Поскольку позволяет

Триггер имеет два состояния устойчивого равновесия: транзистор Т\ заперт, а транзистор 7*2 — насыщен или транзистор 7*i насыщен, а транзистор 7*2 — заперт. Одно из таких состояний (причем заранее неизвестно, какое из них) устанавливается самопроизвольно после соединения схемы с источником питания ?к. Предположим, что в исходном состоянии транзистор 7*2 заперт. Тогда на его коллекторе будет положительный потенциал, близкий по значению к Ек. Этот потенциал через сопротивление обратной связи R прикладывается к базе транзистора Т\, обеспечивая его насыщен-ие. Поскольку потенциал коллектора насыщенного транзистора t/кэ нас близок к нулю, то на базу транзистора 7*2 от источника смещения ?б через делитель RRs подается отрицательное напряжение, надежно удерживающее транзистор Г2 в закрытом состоянии. Такое состояние триггера при отсутствии на его входе управляющих импульсов является устойчивым.

Поскольку потенциал на заземляющем контуре подстанции зависит от крутизны тока молнии, для определения вероятности перекрытия или пробоя изоляции следует построить кривую опасных параметров а = /(/„) подобно тому, как это было сделано в гл. 17 для линейной изоляции ( 17-9), а затем найти вероятность повреждения изоляции Рп при всех возможных сочетаниях опасных параметров (тока и крутизны).

В большинстве случаев проще по заданным условиям найти выражение для потенциала поля в любой его точке, поскольку потенциал — величина скалярная. После того как выражение для потенциала поля найдено, вы-

Векторы междуфазных напряжений UAB, UBc и~ UCA образуют замкнутый треугольник (см. 5. 22,6). Мгновенные значения этих напряжений пропорциональны проекциям соответствующих векторов на некоторую неподвижную ось (ось времени). Положение векторов соответствует указанному в схеме (см. 5.22, а) пути прохождения тока, т. е. фаза А имеет наивысший, а фаза С наинизший потенциалы. Поскольку потенциал точки т равен в рассматриваемом случае потенциалу фазы А, то обратные напряжения на вентилях 2 и 3 равны соответственно мгновенным значениям напряжений UAB и U АС. Обратные напряжения на вентилях 4 и 5 равны соответственно напряжениям UAC и UBC, так как точка п имеет потенциал фазы С. Напряжение на нагрузке равно в данном случае мгновенному значению напряжения UAC и определяется расстоянием между крайними точками а и с на оси времени.

При закрытом триоде Г2 в цепи его коллектора протекает очень малый ток (поскольку потенциал базы триода Г2 в этом режиме выше потенциала эмиттера, ток проходит по цепи база — коллектор, т. е. это об-

разность потенциалов между истоком и затвором. Зтэ можно осуществить применением схемы 4.20, а. Действительно, если в выбранной рабочей точке потенциал затвора относительно истока изй, а ток стока (С0, то, устанавливая в цепи истока резистор с сопротивлением /?н = г/зо 'со. получим i\i нем падение потенциала, как раз равное — пз0 (относительно точки 0 с нулевым потенциалом — «земли»). Поскольку потенциал затвора в этой схеме нулевой (резистор R3 подключен к точке 0, а ток затвора отсутствует), то, следовательно, между затвором и истоков и будет создаваться требуемое смещение, равное из0 нужного знака. Для исключения обратного

7.5,6 равно ^ ^>zdt, поскольку потенциал точки 0 равен нулю. Для того чтобы ф! изменялся во времени так же, как ток t^, и фа, как i,, отношение аналогичных слагаемых в уравнениях (7.37) и (7.39) должно быть одинаково и равно некоторому произвольно выбираемому масштабному числу m [Ом]. То же, в отношении (7.38) и (7.40).

Когда один или несколько входов соединены с общей шиной — непосредственно или через выходной транзистор предыдущего каскада, соответствующий эмиттерный переход транзистора VT1 окажется смещен в прямом направлении, поскольку потенциал базы выше потенциала

ходимо иметь достаточно высокую концентрацию электронов, а следовательно, и высокую концентрацию примеси. Поэтому практически трудно избежать рассеяния на ионах примеси и приходится создавать приборы с пониженной подвижностью носителей. Для решения этой проблемы был предложен метод селективного легирования с использованием гетероперехода GaAs—Al*Gai_*As, с помощью которого были разработаны полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭТ). Метод селективного легирования состоит в следующем. Легирующую примесь вводят только в слой Al^Gai-^As, как показано на 2.22. Электроны, поступающие в кристалл при ионизации примеси, размещаются вдоль границы гетероперехода со стороны GaAs, поскольку потенциал для электронов у GaAs ниже, чем у AlxGai_:«As. При этом электроны отделяются от ионизированной примеси, что затрудняет их рассеяние на ионах примеси. Поэтому в такой структуре подвижность граничных электронов не уменьшается. Граничные электроны здесь образуют двумерный электронный газ. В данной структуре воз-

Рассмотрим ток в канале. Область канала электрически нейтральна. Составляющая Ех = 0, а составляющую Еу можно представить как производную зависимости cp(d) по у. Поскольку потенциал электрода затвора постоянен, то величина

откуда следует, что последовательная ООС по напряжению уменьшает выходное сопротивление в F раз. Таким образом, чем глубже ООС, тем меньше Дшхвс- Это имеет важное значение в усилителях напряжения, поскольку позволяет значительно снизить зависимость выходного напряжения от RH.

Часто задачи конструкторского проектирования элементной базы РЭА решаются в пакетном режиме на ЭВМ, расположенных на вычислительных центрах высших учебных заведений. При этом можно реализовать два подхода. Первый, наиболее простой, состоит в том, что студент использует готовые программы. Он должен уметь выбрать необходимую программу и использовать ее, а также анализировать получаемые результаты. Другой подход подразумевает самостоятельную разработку студентом программы и ее отладку, что с методологической точки зрения более эффективно, поскольку позволяет глубже познакомиться с применяемым методом решения поставленной задачи и развить практические навыки работы с ЭВМ. Недостатком данного подхода является большая затрата времени особенно при отладке разработанной программы.

(7.110) является очень важвым, поскольку позволяет имитировать индуктивность с помощью емкости. Действительно, если Z2 = = 1//соС, то Z1=7'roL3, где Ьэ =C/G? — эквивалентная индуктивность. Это свойство гираторов является очень важным для микроэлектроники, поскольку изготовление индуктивностей по интегральной технологии представляет сложную задачу. Использование же гираторов с малым значением (?г позволяет из небольших емкостей С моделировать большие значения L.

На высоких и сверхвысоких частотах (ВЧ и СВЧ) большинство параметров зависят от частоты и представляют собой комплексные числа, что обозначается точкой над соответствующим символом параметра (Ч, У, 2). Но СВЧ параметры транзистора принято описывать при помощи 5-параметров. Система 5-параметров очень удобна для разработчиков СВЧ аппаратуры, поскольку позволяет определить непосредственные связи между

В производстве многослойная цилиндрическая обмотка из круглого провода для трансформаторов мощностью до 630 кВ-А является более простой и дешевой по сравнению с применяемой иногда непрерывной катушечной обмоткой, поскольку позволяет вести намотку непрерывным проводом без перекладки витков и без точной укладки их в катушки. Кроме простоты намотки, этот тип представляет большие удобства в выполнении регулировочных ответвлений. При выполнении изоляционного цилиндра между обмотками ВН и НН в виде «мягкого» цилиндра, намотанного из рольного электроизоляционного картона или из кабельной бумаги, обмотки ВН и НН на один стержень трансформатора могут быть изготовлены в обмоточном цехе в виде готового комплекта, что в значительной мере облегчает установку обмоток на стержень и упрощает сборку трансформатора. Многослойной цилиндрической катушечной обмоткой называется обмотка, составленная из ряда отдельных, расположенных в осевом направлении катушек, представляющих собой многослойные цилиндрические обмотки.

В производстве многослойная цилиндрическая обмогка из круглого провода для трансформаторов мощностью до 630 кВ-А является более простой и дешевой по сравнению с применяемой иногда непрерывной катушечной обмоткой, поскольку позволяет вести намотку непрерывным проводом без перекладки витков и точной укладки их в катушки, с частотой вращения оправки, на которой наматывается обмотка, до 100—200 об/мин.

Синтез автомата на ПЛМ (s, t,
3. Применение метода радиоактивных индикаторов для изучения износа дает большой экономический эффект, поскольку позволяет сократить в десятки раз .время и затраты на проведение одного эксперимента по сравнению с ранее существовавшими методами.

(7.110) является очень важным, поскольку позволяет имитировать индуктивность с помощью емкости. Действительно, если Z2 = = 1//шС, то Z_1=jfoL3, где L3 =C/G? — эквивалентная индуктивность. Это свойство гираторов является очень важным для микроэлектроники, поскольку изготовление индуктивностей по интегральной технологии представляет сложную задачу. Использование же гираторов с малым значением GT позволяет из небольших емкостей С моделировать большие значения L.

Наиболее универсальным является устройство, приведенное на 5-13,е, поскольку позволяет использовать аппаратуру как для выполнения АЧР, так и для создания возможности АПВ питающего источника без опасения несинхронного включения синхронных двигателей потребителя в режимах, когда одна из питающих линий или один из питающих трансформаторов отключены (выведены в ремонт) и обе секции соединены секционным включателем.

Умножающие ЦАП (и А/Ц-эквивален-ты) открывают возможности для лого-метрических измерений и преобразований. Если некоторый датчик (например, резистивный датчик типа термистора) питается от эталонного напряжения, которое подается также на А/Ц- или Ц/А-пре-образователь в качестве опорного напряжения, то изменения эталонного напряжения не повлияют на результаты измерений. Эта идея чрезвычайно плодотворна, поскольку позволяет проводить измерения и управление с точностью, превышающей стабильность эталонного источника напряжения или источника питания, и наоборот, смягчить требования по стабильности и точности источника питания. Логометрический принцип в своей простейшей форме используется в классической мостовой схеме, где за счет сведения к нулю разностного сигнала между двумя выходами делителей напряжения устанавливается равенство двух отношений (см. разд. 15.02). Приборы типа 555 (см. разд. 5.14) позволяют добиться хорошей стабильности выходной частоты при значительных изменениях напряжения питания; это достигается благодаря применению логометрической схемы: напряжение на конденсаторе, формируемое с помощью .RC-цепочки от источника питания, сравнивается с фиксированной долей напряже-