Поскольку амплитуда

На 2.17, а, б показано распределение концентраций свободных носителей заряда вдоль симметричного и несимметричного /г-п-переходов. Поскольку электроны и дырки представляют собой свободные подвижные носители заряда, их концентрации не могут изменяться скачком от пп до пр и от рп до рр как для жестко связанных с кристаллической решеткой атомов доноров и акцепторов. Эти изменения происходят в некоторой узкой области. Кривые

Если вещество попадает в магнитное поле, то силы взаимодействия между этим полем и полями диполей изменяют ориентацию диполей таким образом, что направление осей диполей приближается к направлению внешнего поля. При этом, поскольку электроны обладают массой, то каждый атом можно рассматривать как своего рода магнитный волчок.

Поскольку электроны и дырки несут разноименные заряды и дрейфуют под действием поля в противоположных направлениях, суммарная плотность дрейфового тока равна:

Поскольку электроны в р-полупроводнике являются неосновными носителями, их преимущественное туннельное движение из р-области в re-область обусловливает рост обратного туннельного тока — It ( 15-14).

водника п-типа зарядов положитель-ной полярности у поверхности возникает обогащенный электронами слой, поскольку последние будут притягиваться из глубинных слоев полупроводника к его поверхности. Если же на поверхности возникают электрические заряды отрицательной полярности, то приповерхностный слой полупроводника обедняется носителями заряда, поскольку электроны этого слоя будут выталкиваться в глубь кристалла.

Поскольку электроны и дырки несут разноименные заряды и дрейфуют под действием поля в противоположных направлениях, суммарная плотность дрейфового тока равна:

Поскольку электроны в р-полупроводнике являются неосновными носителями, их преимущественное туннельное движение из р-области в re-область обусловливает рост обратного туннельного тока — It ( 15-14).

Поскольку электроны легче, чем большинство других заряженных частиц, они обладают и меньшей способностью ионизировать атомы и молекулы, входящие в состав вещества. На 14.4 для электронного излучения показана зависимость массовой тормозной

В заключение сравним процессы энергообмена в приборах типов ОиМ. Ранее было показано, что в приборах типа О электроны отдают высокочастотному электромагнитному полю свою кинетическую энергию и в результате взаимодействия тормозятся. Поскольку электроны входят в пространство взаимодействия в различные .моменты времени, т. е. при различных фазах высокочастотного поля, энергия электронов изменяется еодннаково. На выходе из пространства взаимодействия всегда имеются электроны, отдавшие лишь малую часть своей энергии н потому обладающие значительной скоростью.

усиленного сигнала в нагрузку осуществляется согласованным выводом 5. Поскольку электроны отдают волне свою потенциальную энергию, они приближаются к замедляющей системе, находящейся под положительным потенциалом, и частично оседают на нее. Для повышения устойчивости усиления в первой половине замедляющей системы помещают локальный поглотитель 3.

Поскольку электроны, риближающиеся к замед-1яющей системе, попадают

При графическом изображении АМ-сигнала полезно предварительно нарисовать пунктирные линии ^т") и —Um(t), ограничивающие амплитуду сигнала и (О сверху и снизу. Эти линии называются огибающими АМ-сигнала. Верхняя и нижняя огибающие, повторяя форму управляющего сигнала, являются симметричными, поскольку амплитуда АМ-сигнала одновременно увеличивается или уменьшается и сверху, и снизу

Напряжение, получаемое на выходе выпрямителя, является пульсирующим. Его можно представить суммой постоянной и переменных составляющих (гармоник), частота которых кратна частоте тока питающей сети. С ростом частоты амплитуды гармоник убывают. Поскольку амплитуда основной гармоники, имеющей наименьшую частоту, намного больше амплитуд остальных гармоник, при анализе схем можно пренебречь малыми амплитудами более высоких частот.

Поскольку амплитуда периодической составляющей тока короткого замыкания постепенно затухает, приближаясь к установившемуся значению 1Кт, и индуктивное сопротивление синхронной машины значительно больше активного, т. е. угол фк = arctg(XK//?K) w «л/2, то периодическая составляющая

сатор С служит для выделения переменной составляющей сигнала. Выходной сигнал представляется падением напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора. В свою очередь, сопротивление транзистора будет сильно зависеть от напряжения на входе усилителя. Поскольку амплитуда входного сигнала в общем случае будет меняться, то в связи с нелинейностью вольт-амперной характеристики транзистора меняется в соответствии с этим и сопротивление транзистора в выходной цепи. Поэтому для всех трех схем однокаскадных усилителей справедлива эквивалентная схема на 5.17. Эта схема представляет собой двузвенный делитель напряжения Ек. Одно звено постоянное и является сопротивлением нагрузки, второе звено представляет собой сопротивление транзистора по коллекторной цепи и меняет свое значение /-тр в зависимости от t/BX при постоянных Еэ, Еб и Ек. Через гтр обозначим сопротивление транзистора по выходной цепи. С изменением гтр меняется выходное напряжение (/Вых- Можно всегда подобрать такие значения Еб, Яэ и Ек, чтобы выполнялось неравенство PSb,x>PSx, где РВХ==/ВХ?У„Х; /3Вых==/Вых(Ль,х. В этом и заключается усилительное свойство биполярного транзистора.

Напряжение на выходе изменяется от Up до U1. Изображающая точка переходит на второй восходящий участок в. а. х. Поскольку амплитуда запускающего тока /зап обеспечивает превышение суммарным током /о + ^зап значения 1р, после переключения изображающая точка продолжает перемещаться уже по второму восходящему участку в. а. х. Ток диода стремится к уровню /0--/зап. При уменьшении тока, т. е. во время формирования среза запускающего импульса, изображающая точка стремится к точке с координатами U2, /0 и достигает ее после окончания действия запускающего импульса. Запускающий импульс вызвал переключение напряжения от U0 до U2.

в вагоне, вызывают появление сил притяжения между вагоном и стальными рельсами путевого устройства. При движении датчик измеряет воздушный зазор и выдает сигнал на систему управления током в электромагнитах. Чтобы между магнитами и рельсами поддерживался воздушный зазор примерно в 2 см, необходима мощность магнитной подвески примерно 2 кВт в расчете на 1 т массы вагона. Однако на практике этот показатель должен быть намного больше, поскольку амплитуда и частота колебаний зазора требуют постоянной корректировки. Как следствие необходимо иметь очень точно пригнанное и ровное путевое устройство. В результате исследований, проведенных в последние годы, стало ясно, что соотношение между стоимостью и скоростью для притягивающей магнитной подвески не очень хорошее и она не может быть использована на практике.

ременной ЭДС ?/вх, а на выходе — в виде С/ВЬ]Х. Конденсатор С служит для выделения переменной составляющей сигнала. Выходной сигнал представляет собой падение напряжения на внутреннем сопротивлении транзистора. В свою очередь, сопротивление транзистора будет сильно зависеть от напряжения на входе усилителя. Поскольку амплитуда входного сигнала в общем случае будет меняться, то в связи с нелинейностью вольт-амперной характеристики транзистора меняется и сопротивление транзистора в выходной цепи. Поэтому для всех трех схем однокаскадных усилителей справедлива эквивалентная схема на рисунке 5.15. Эта схема представляет собой двухзвенный делитель напряжения Ек. Одно звено постоянное и является сопротивлением нагрузки, второе звено представляет собой сопротивление транзистора по коллекторной цепи и меняет свое значение гтр в зависимости от UBX при постоянных Еэ, Е6 и Ек. Через Гф обозначим сопротивление транзистора по выходной цепи. С изменением г^ меняется выходное напряжение UBblx. Можно всегда подобрать такие значения Е6, Еэ и Ек, чтобы выполнялось неравенство Рвых> Рвх, где Рвых = 1ВЫХ1/ЪЪК; Ръх= h\UbX. Дых = 4ых^вых- В этом и заключается усилительное свойство биполярного транзистора.

Интеграл Джоуля при fK = 1,5 с может быть определен из выражений (5.12) и (5.Щ, поскольку амплитуда периодической состав-

Поскольку амплитуда напряжения питания может снижаться до 248 В от номинального значения 310 В, а коэффициент пульсаций разумно принять 2%, емкость конденсатора:

потенциального барьера до области анодного перехода. Таким образом, времена задержек и фронт включения являются относительно малыми и не превосходят нескольких десятков наносекунд (15...60 не). Более сложной является картина физических процессов выключения, связанная с рассасыванием накопленного избыточного заряда. В индукционном тиристоре (см. раздел 2.2.4) при прямом смещении анодного перехода и обратном управляющего возникает паразитный биполярный р-л-р-транзистор (с эмиттером в виде анода и коллектором—затвором). Процесс отсекания базового вывода (истоковой области тиристора) потенциальным барьером, как уже упоминалось, происходит достаточно быстро. Дальнейшее запирание тиристора происходит аналогично запиранию р-л-р-транзистора с оборванной базой с постоянной времени, равной времени жизни накопленных дырок. В цепи управляющего электрода при этом протекает значительный по амплитуде импульс обратного тока ( 6.25), связанный с процессом экстракции носителей обратносмещенным переходом Поскольку амплитуда обратного тока примерно равна величине тока нагрузки, в мощных ключах на основе индукционных тиристоров следует учитывать влияние сопротивления в цепи генератора RIN, которое в данном случае должно быть значительно уменьшено. Вытекающий обратный ток затвора создает на р+-областях управляющего электрода, имеющих конечное сопротивление, дополнительное падение напряжения, которое совместно с внутренним сопротивлением цепи генератора RIN уменьшает запирающее смещение:

5. Поскольку амплитуда пульсационной скорости газового потока t>0 равна

После устранения короткого замыкания устройство само переходит на режим стабилизации, поскольку амплитуда пульсаций на конденсаторе С2 достаточна для запуска-