Представлено распределение

Наиболее важны ИЛР, возникающие при вакуумном осаждении металлических пленок. На 3.5 представлено изменение линейных размеров ИЛР пленок Kapton после нанесения слоев Сг — Си — Сг толщиной 1 мкм в зависимости от температуры осаждения (учитывался дополнительный нагрев подложки во время осаждения). С уменьшением температуры осаждения снижается не только ИЛР, но и ее разб С учетом приведенных данных для заданных габаритов модуля полиимидной пленки, а также размеров контактных площадок и переходных отверстий можно опреде-

На XVI.3, а показано изменение фазного тока при коротком замыкании. На XVI.3, б и XVI.3, г соответственно представлено изменение во времени составляющих iy и ia. Составляющие токов в фазах В и С отличаются лишь другими значениями угла т). Углы ^в и1)эс, определяющие в начальный момент напряжение в фазах В и С, соответственно отличаются от угла гзА на 2/3 я и 4/3я.

На 2.111 и 2.112 представлено изменение напряжения на витках обмотки в точке а ( 2.109, 2.110) при прямоугольной бесконечно длинной волне и апериодической волне конечной длины с крутым фронтом.

На 4.79, а—в представлено изменение токов в обмотках синхронной машины при коротком замыкании. Токи в фазах якоря имеют периодическую и апериодическую составляющие, затухающие каждая со своей постоянной времени. На 4.79, а показано изменение тока фазы ia, апериодическая составляющая отсутствует. Переходные токи в обмотке возбуждения и демпферной обмотке изменяются по разным законам, зависящим от постоянных времени обмоток ( 4.79, б и 0).

Важно отметить, что крупные частицы (20 и более мкм) выпадают ближе к источнику выбросов, а мелкие переносятся на более далекие расстояния. На 11.2 представлено изменение дисперсного состава золы, выпадающей на земную поверхность (на уровне дыхания человека), в зависимости от расстояния до ТЭС с высотой трубы 120 м. Данные относятся к ТЭС, работающей на буром угле, очистка дымовых газов осуществляется электрофильтрами с коэффициентом улавливания 87 % [110].

На 6.75 представлено изменение мгновенной мощности потерь и ее среднее значение для отдельного ЮВТ-ключа трехфазного мостового модуля BSM50GD120DN2 в корпусе Econopack 2 фирмы «Infineon Technologies», предназначенного для применения в диапазоне 50 А 1200 В

На 4.14 представлено изменение электрических характеристик системы, приводящее к выпадению из синхронизма, т. е. к нарушению динамической устойчивости. Площадка торможения cede слишком мала, и, хотя рост скорости на участке cd приостанавливается, угол продолжает увеличиваться. Если бы амплитуда характеристики // была меньше, чем Р„ (кривая //'), то рост скорости происходил бы непрерывно, как это показано на 4.14, а штриховой линией. Изменение угла в этом случае показано на 4.14,6 также штриховой линией. На 4.14, а изменение ускорения а = Д6) выделено отдельной характеристикой.

На 7.28, б представлено изменение режима, при котором система находится у предела устойчивости. При этом площадка ускорения abca оказывается уравновешенной площадкой торможения cfdec, частично лежащей за максимумом характеристик Р = ф(б). Участок характеристики Р =
ристики элемента почти не влияют поры в a-Si: Н, выращенном на полированной нержавеющей стали с указанной выше шероховатостью поверхности. При использовании морфологии роста пленок a-Si: Н с n-i-p-структурой (общая толщина 5400 А), осаждаемых на полированную нержавеющую сталь выявлено, что состояние поверхности в значительной мере определяется условиями осаждения р-слоя, который первым формируется на нержавеющей стали. На 5.3.1 представлено изменение морфологии поверхности при изменении температуры осаждения и уровня легирования В2Н6. Заштрихованная часть является той областью, в которой наблюдается образование дефектов на поверхности. Поскольку шероховатость поверхности является потенциальным источником пор в a-Si: Н, р-слой должен осаждаться при надлежащих условиях (см. 5.3.1). Коэффициенты термического расширения a-Si: Н и нержавеющей стали существенно различаются. Солнечные элементы в процессе коммутации, герметизации и службы подвергаются действию различных температур. Термомеханические напряжения из-за изменения температуры будут влиять на характеристики элементов. Для оценки этого влияния приведены термоциклические испытания и испытания на изгиб солнечных элементов на основе a-Si: Н, выполненных на подложках из нержавеющей стали размером 7X7 см2 [49]. Результаты испытания (табл. 5.3.1) показывают, что после 10 термических циклов какого-либо заметного изменения характеристик элементов не наблюдается. Внешний вид элементов также не изменился при обычных условиях испытания. Только при очень жест-

ристики элемента почти не влияют поры в a-Si: Н, выращенном на полированной нержавеющей стали с указанной выше шероховатостью поверхности. При использовании морфологии роста пленок a-Si: Н с n-i-p-структурой (общая толщина 5400 А), осаждаемых на полированную нержавеющую сталь выявлено, что состояние поверхности в значительной мере определяется условиями осаждения р-слоя, который первым формируется на нержавеющей стали. На 5.3.1 представлено изменение морфологии поверхности при изменении температуры осаждения и уровня легирования В2Н6. Заштрихованная часть является той областью, в которой наблюдается образование дефектов на поверхности. Поскольку шероховатость поверхности является потенциальным источником пор в a-Si: Н, р-слой должен осаждаться при надлежащих условиях (см. 5.3.1). Коэффициенты термического расширения a-Si: Н и нержавеющей стали существенно различаются. Солнечные элементы в процессе коммутации, герметизации и службы подвергаются действию различных температур. Термомеханические напряжения из-за изменения температуры будут влиять на характеристики элементов. Для оценки этого влияния приведены термоциклические испытания и испытания на изгиб солнечных элементов на основе a-Si: Н, выполненных на подложках из нержавеющей стали размером 7X7 см2 [49]. Результаты испытания (табл. 5.3.1) показывают, что после 10 термических циклов какого-либо заметного изменения характеристик элементов не наблюдается. Внешний вид элементов также не изменился при обычных условиях испытания. Только при очень жест-

повреждения материалов в процессе их эксплуатации в различных условиях. Устойчивость полупроводниковых приборов к воздействию ионизирующих излучений является более сложной, чем реакция материалов (в связи с использованием в каждом из них нескольких различных материалов). Радиационная стойкость радиоэлементов колеблется в большом диапазоне доз (потоков) ионизирующих частиц. На 12.3 представлено изменение параметров материалов и радиоэлементов в зависимости от экспозиционной дозы у-излучения. Радиационная стойкость радиоэлектронной аппаратуры зависит прежде всего от стойкости применяемых в ней элементов, определяющим при этом является радиаци-14* 203-

нии расчетов магнитного поля аналитическим и численным методами. Магнитная проницаемость зубцов ц = 1000 цо Различие в результатах kR и К, полученных на основании аналитических и числовых расчетов магнитного поля, тем заметнее, чем меньше отношение bi/bu. На 19.10 представлено распределение плотности тока по высоте массивного стержня в двух его сечениях: / — центр стержня ( 19.10,6); // — периферия ( 19.10, в).

На 1-8 представлено распределение температуры при нагреве под поверхностную закалку на глубину хк. Кривая_/_ соответствует режиму лгк<Дк, называемому глубинным^Гтак"как теплота выделяется по всей глубине слоя хц. Кривая 2 соответствует случаю хк>Ак. Здесь основную роль играет теплопроводность, так же, как и при нагреве внешними источниками тепла, например в соляной ванне или печи сопротивления. JTaicofl тип нагрева называется чисто поверхностным. Он характеризуется большими по-

На 1.6, а представлено распределение магнитной индукции в воздушном зазоре двухполюсной машины в функции геометрического угла а. Начало координат О выбрано посередине между полюсами. В этой точке значение индукции равно нулю. По мере приближения к полюсному наконечнику индукция возрастает, сначала медленно (до точки а) у края полюсного наконечника, а затем резко. Под ной полюсного наконечни ка в точке b индукция имеет наибольшее значение. Кривая распределения индукции располагается симметрично относительно оси полюса и в точке с, находящейся посередине между полюсами, проходит через нуль, затем индукция меняет знак. Кривая cde является зеркальным отображением относительно оси абсцисс кривой oabc. Области, в которых индукция имеет положительное и отрицательное значение, чередуются.

На 1.16, б представлено распределение напряженности поля и индукции вдоль оси х для магнитной проницаемости материала проводов [1 > (V Посередине между проводами поле минимально, но в нуль не обращается. Поле также не равно нулю на осях проводов. На внутренней стороне проводов напряженность поля и индукция

На 1.34 представлено распределение магнитных потоков в четырех-полюсном асинхронном двигателе при нагрузке. Силовые линии поля деформируются и распределяются в участках магнитной системы неравномерно. Картина поля на одном полюсном делении явнополюсной синхронной машины представлена на 1.35.

На 2.130 представлено распределение температуры в сечении трансформатора.

На 5-4 представлено распределение слоев обмотки при

На 20-11, б представлено распределение напряжения вдоль линии с продольной компенсацией и вдоль линии с реактором в середине при условии, что q = qc. Напряжения за УПК или за реактором одинаковы, но напряжение перед УПК может оказаться выше, чем напряжение в конце линии. Этот скачок напряжения вызван прохождением емкостного тока участка линии /2 через емкостное сопротивление УПК-

концентрацией Л/2о- Сильнолегированный п+-слой коллектора является подложкой транзисторной структуры, концентрация доноров в которой А'п. На 2.15, о представлено распределение результирующей примеси в укрупненном масштабе и обозначены границы ОПЗ эмиттерного и коллекторного р-п переходов. Концентрация примеси в базе ( 2.15, в) максимальна, как правило, в левой трети базы, примыкающей к эмиттеру. В этой части базы создается не ускоряющее, а тормозящее электроны электрическое поле, что отрицательно сказывается на усилительных и частотных свойствах транзистора. Однако то, что толщина базы дрейфовых транзисторов мала, полностью окупает недостатки, связанные с наличием участка тормозящего поля в базе. По традиции к дрейфовым транзисторам причисляются все биполярные транзисторы с неоднородно легированным слоем базы, полученным методом диффузии или имплантации примеси.

Структура р-«-перехода. Параметры и характеристики перехода зависят от распределения концентраций примесей и геометрических размеров областей. На 2Л,а показана структура кремниевого р-п-перехода, полученная методом диффузии акцепторов в полупроводник n-типа через маску из пленки диоксида кремния. Такая структура широко распространена в дискретных приборах и типична для интегральных схем. На 2.1,6 представлено распределение концентраций доноров Ng и акцепторов Na по вертикали; координата х ( 2.1, а) отсчитывается от поверхности в глубь полупроводника. Поверхность, на которой Na—Ng, называется металлургической границей х0. На ней эффективная концентрация примесей (§ 1.1) равна нулю.

и — число секций обмотки по ширине паза. На 5-1 представлено распределение токов при коммутации одной секции для пяти следующих друг за другом положений якоря с простой петлевой кольцевой обмоткой через интервалы времени,