Представлена структурная

На 16.4,а представлена структура автоматической поточной линии, которая характеризуется следующими признаками: жестко связанным технологическим оборудованием 1—5; использованием одного автомата для реализации одной операции; отсутствием разделения на секции, страховых и оборотных заделов; наличием жесткой транспортной связи; маршрутом движения детали по всем единицам оборудования.

На 16.5 представлена структура автоматической роторной линии сборки РЭА, состоящей из рабочих 1 и транспортных 2,7 роторов с питающим 4 и приемным 5 устройствами. Структура линии определяет: наличие транспортного задела в роторах и оборотного задела в питающих устройствах; жесткий характер транспортной связи 3, 6, 8 между оборудованием; маршрут движения собираемого изделия по всем единицам оборудования.

На 9.31 представлена структура ССП для обоих режимов управления. Слово состояния программы занимает два 32-разрядных слова.

В качестве примера применения асинхронного конвейера команд может служить процессор ЭВМ ЕС- 1050, в котором реализован конвейер, выполняющий одновременно три команды [18]. Рабочий цикл выполнения команды разбит на три этапа: I — выборка очередной команды; II — формирование исполнительных адресов и выборка операндов; III — операция в АЛУ, формирование признака результата и запись результата в память. Для каждого из указанных этапов выполнения команды имеется соответствующая аппаратура. Например, кроме сумматора АЛУ есть отдельный сумматор для формирования исполнительного адреса на этапе II. На 9.37 представлена структура управляющего устройства с «жесткой» логикой процессора ЭВМ ЕС- 1050, на которой показаны блоки, управляющие процедурами отдельных этапов выполнения команды.

На 11.11 представлена структура буфера с *ф = 4, принимающего поток байт, поступающий из ПУ, например с дискового или ленточного ЗУ, и передающего 4-байтные слова в ОП. Рисунок позволяет более подробно представить функционирование буферного регистра РгСИ в каналах ввода -вывода.

На 11.16 представлена структура с индивидуальными линиями и шинами. Жирными линиями изображены шины, по которым передаются данные.

На 11.17 представлена структура с коллективными линиями и шинами. По коллективной шине В происходит обмен информацией между Уо и У/, по коллективной линии А из У, в У0 передается сигнал

и для создания сложных ЭВМ. В сочетании с блоком микропрограммного управления, контроллера состояний, а также и с БИС других МПК (ОЗУ, блок ускоренного переноса и др.) может быть образована 16-разрядная ЭВМ с общим числом разновидностей машинных операций до 512. На 8.5 представлена структура такой ЭВМ.

На 3.3,г показана структура ПТУП с горизонтальным каналом. Затвором такого транзистора является область р-типа электропроводности, служащая базой п-р-n-транзисгора, каналом — коллекторная область этого транзистора. На З.З.д представлена структура ПТУП с вертикальным каналом. Особенность данной структуры заключается в том, что длина канала определяется разностью глубин залегания эмиттерного и коллекторного р-л-переходов вертикального транзистора типа п-р-п. Поскольку глубину залегания />-/г-переходов в трехдиф-фузионной структуре (ЗД) можно контролировать, длина канала данного ПТУП может иметь малое значение (вплоть до субмикронных значений) даже при относительно больших значениях минимально допустимого литографического размера.

На 4.13 представлена структура л-п+-типа, на которой выполняются измерения. Со стороны подложки структура освещается монохроматическим модулированным по интенсивности светом с малым коэффициентом поглощения, так что генерация носителей заряда имеет однородный характер. Генерированные светом неосновные носители заряда (дырки) диффундируют в сторону контакта Шотки, создавая фототок. Избыточная концентрация носителей заряда на границе области объемного заряда может считаться равной нулю, если измеряется ток короткого замыкания. Протяженностью области объемного заряда можно пренебречь, если диффузионная длина велика. Тогда граничное условие для контакта Шот-

Следует отметить большую гибкость УФЭ на ПАВ. Например, разорвав электрическую цепь между выходными парциальными преобразователями (см. 3.49), реализуют разветвление или деление мощности входного электрического сигнала. На 3.50 представлена структура акустического преобразователя, обеспечивающая не только трансформирование сопротивления, но и деление мощности входного сигнала с заданным коэффициентом трансформации. Разрабатывая такую структуру, рассуждают следующим образом: «Для уменьшения потерь сигнала попытаемся

На 7.4 представлена структурная схема АЛУ для умножения я-разрядных целых двоичных чисел. В состав АЛУ входят входной регистр множимого Pel, регистры множителя Рг2 и Рг2', на которых с помощью косой передачи вправо Рг2' : — П (1) Рг2 и передачи Рг2: = Рг2' выполняется сдвиг множителя вправо; сумматор См для образования суммы частичных произведений, входные и выходной регистры сумматора соответственно РгА, РгВ и РгСм, на которых соответственно хранится текущее значение и образуется новое значение суммы, счетчик циклов СчЦ.

На 10.6 представлена структурная схема МП K18JO, в которой имеются относительно автономные устройства: а) устройство сопряжения с шиной (УСШ), обеспечивающее опережающую выборку команд и формирование очереди выбранных байт последовательности команд в специальной регистровой памяти (емкость 6 байт), а также формирование физического адреса памяти, чтение операндов из памяти или регистров ввода-вывода и запись результата операции в память или регистры ввода-вывода; б) операционное устройство (ОУ), извлекающее команды из очереди и реализующее предписанные командами операции в 16-разрядном АЛУ.

На 10.17 представлена структурная схема персональных профессиональных компьютеров ЕС-1840 и его расширенного варианта ЕС-1841 [44]. Эти ПК построены на основе рассмотренного в § 10.3 16-разрядного микропроцессора К1810ВМ86.

На 6.3 представлена структурная схема одной из моделей супермини-ЭВМ. Эта система по быстродействию ЦП эквивалентна средним ЭВМ «Ряд-3»

К недостаткам полиимидных пленок можно отнести повышенное водопоглощение и относительно высокую стоимость их производства, которая, однако, не столь существенна для изделий МЭА ввиду малой массы потребляемого материала. На 3.1 представлена структурная схема технологического процесса изготовления двухуровневой коммутационной платы на основе полиимидной пленки. Сначала с помощью двустороннего фототравления за один цикл формируются отверстия диаметром 20—30 мкм на пленке толщиной 25 мкм и диаметром 50—70 мкм на пленке толщиной 50 мкм; число отверстий может достигать и нескольких десятков тысяч — на площади 100 X 100 и 150 X X 150 мм. Именно при двустороннем фототравлении поли-имида достигается благоприятная для вакуумной металлизации конусообразная форма отверстий, а «проколы» в пленке фоторезиста не вызывают появление «лишних» отверстий (травление на этих участках происходит приблизительно на половину толщины платы).

Следует отметить, что с РТЭ связывают дальнейшие перспективы развития космических регенеративных электроэнергетических установок (РЭУ), в том числе предназначенных для использования на долговременных орбитальных пилотируемых технологических базах, а также на лунных базах [1.7]. На 1.12 представлена структурная схема водород-кислородной РЭУ космического назначения. В качестве первичного источника электроэнергии предусмотрены солнечные батареи (фотоэлектрические генераторы), широко распространенные на КЛА.

На 11.1 представлена структурная схема включения усилителя в цепь усиления электрического сигнала, где 1 — источник входного сигнала, 2 — усилитель, 3 - нагрузка, 4 — источник питания.

Структурная схема концентратора. Рассмотрим один из возможных вариантов построения концентратора, который может быть использован в терминальной сети передачи данных. Принцип действия описываемого концентратора состоит в том, что блоки данных, составляющие сообщение, поступают в специально выделенные зоны накопителя. Устройство управления анализирует состояние зон накопителя и поочередно подключает зоны к выходному (высокоскоростному) каналу. На 3.11 представлена структурная схема описываемого концентратора [26].

На 5Л2 представлена структурная схема установки для измерения параметров глубоких ловушек. Принцип действия установки следующий. Емкость структуры С с барьером Шотки или р-л-перехода измеряется мостовым измерителем емкости МИЕ. При изменении емкости сигнал разбалпнса подается на управляемый источник напряжения ИН, который изменяет напряжение на структуре так, чтобы сохранить сигнал разбаланса, а следовательнс, и емкость структуры постоянными. Последовательно с ИН включено устройство УКЗ, которое, отключая источник напряжения, замыкает структуру С накоротко. Этим устройством управляет импульсный генератор Г. Напряжение «а структуре регистрируется с помощью самописца Сп. Этот метод был с успехом применен для определения параметров глубоких ловушек, создаваемых в кремнии п- и р-типа такими примесями, как золото, платина, палладий, родий.

На 4.7 представлена структурная схема матричной БИС с программируемой архитектурой. Шина управления (ШУ) служит для записи в блоки распределенной памяти (П) кодов настройки (программирования) архитектуры субсистемы на определенную задачу. Решающие блоки матрицы (М) соединяются между собой распределенными коммутаторами (К) через коммутационную шину (ШК).

На П. 5 представлена структурная схема осциллографа С1-72.