Представлена эквивалентная

На 2.3 представлены зависимости физических свойств железо-никелевых сплавов от содержания никеля. Кривые показывают, что наибольшими значениями \лнач и цтах обладает сплав с содержанием около 80% Ni. Высокие свойства этого сплава объясняются очень малыми кристаллографической анизотропией и магнитострикцией. Уменьшение магнитной кристаллографической анизотропии приводит к тому, что разница в работе, необходимой для намагничивания кристаллов в легком или трудном направлении, становится меньше. Уменьшение магнитострикции обусловливает снижение напряжений

Такой отжиг в течение длительного времени сопровождается изменением цвета полиимидной пленки (потемнением). Необходимо обратить внимание на то, что поверхность обработанных полиимидных пленок при хранении их даже в условиях эксикатора с силикагелем после 24 — 26 ч полностью теряет свои активационные свойства. На 3.2 представлены зависимости адгезии As вакуумосажденных слоев меди с подслоем хрома, ванадия и титана от температуры подложки Гп. Подслой металла, имеющего большую теплоту образования оксида, обеспечивает и большую адгезию (при одной и той же температуре). При этом отмечается зависимость адгезии от температуры, характерная для химического взаимодействия, что подтверждает влияние на адгезионное взаимодействие свободных связей по кислороду на поверхности активированного полиимида (подтверждается и прямыми измерениями методами ожеспектроскопии и ионного травления). На 3.3 представлена зависимость внутренних напряжений (ВН) а пленок Сг— Си — Сг толщиной 0,8 — 1,0 мкм, нанесенных на полиимидную пленку,

На 3.1 представлены зависимости Мэ=/(0 и a)r—f(t) при луске асинхронного двигателя АОЗ-24-4 мощностью 3 кВт, 2р = 4, ,(7=380 В, когда нагрузка навалу равна нулю (Мс=0). На 3.2 для этого же двигателя даны зависимости токов в статоре isa и роторе ira от времени. Осциллограммы 3.1 и 3.2 получены на ЭВМ при решении уравнений (3.1) при подстановке в уравнения значения параметров в режиме насыщения М, Ls и Lr.

На 3.14 представлены зависимости My=-f(Rr)', iy=f(Rr)', tn=^(Rr) при реверсе для двигателя А2- 102-8; на 3.15 — зависимости этих же величин от взаимной индуктивности; на 3.16 — зависимости My=f(J); iy=f(J); tn=f(J) от момента инерции, а на 3.17 — зависимости этих же величин от индуктивности рассеяния ротора. Переходные процессы при реверсе сложнее процессов при пуске, влияние параметров на процессы при реверсе отлично от влияния их на процессы при пуске. Оптималь-

На 3.1 представлены зависимости Л/э =ДО и о, =ДО при пуске асинхронного двигателя АОЗ-24-4 мощностью 3 кВт, 2р = 4, U = 380 В, когда нагрузка на валу равна нулю (Мс - 0). На 3.2 для этого же двигателя даны зависимости токов в статоре i!a и роторе /та от времени. Ос-

На 3.14 представлены зависимости Му =ДЛГ), /у =J{Rr); tn = /(Rr) при реверсе для двигателя А2-102-8; на 3.15 — зависимости этих же величин от взаимной индуктивности; на 3.16 — зависимости Му = =Л-А «у -flj)', 'п -f(J) от момента инерции, а на 3.17 — зависимости этих же величин от индуктивности рассеяния ротора. Переходные процессы при реверсе сложнее процессов при пуске, влияние параметров на процессы при реверсе отличается от влияния их на процессы при пуске. Оптимальные параметры при пуске, реверсе или других динамических режимах отличаются друг от друга.

работают с большими и переменными во времени отклонениями от номинального режима. При .этом имеет место значительное изменение потребления реактивной мощности из сети. В качестве примера на 8.1 представлены зависимости tgcp от напряжения для двигателя

На 7.10, б представлены зависимости масс активных материалов от индукции. Как видно из кривых, с увеличением индукции при а = const и /к = const масса стали уменьшается, так как уменьшается сторона сечения полюса Ъ. Величина b обратно пропорциональна квадрату индукции. Значение hK, определяющее при прочих постоянных размерах среднюю длину стали магнитопровода, в меньшей степени зависит от В&. Поэтому с ростом Вь сечение стали уменьшается быстрее, чем растет средняя длина магнитопровода, и масса стали снижается. Масса меди вначале падает, достигает минимального значения и вновь растет с увеличением Вв. Это объясняется тем, что при малых В6 основное влияние на массу меди оказывает средняя длина витка, зависящая главным образом от размера Ь. С ростом индукции начинает оказывать влияние Лк, т. е. масса меди больше зависит от сечения обмоточного окна.

На 7.18 представлены зависимости ?Тр от у для различных значений X, которые показывают, что изменения величины /тр в значительной степени определяются соотношениями геометрических размеров.

На 2.7 представлены зависимости \пп0(\02/Т) для полупроводника, содержащего некоторое число доноров и акцепторов. Для наглядности предположим, что Л^й — yva=1016 см~3 во всех рассматриваемых случаях. Донорные уровни расположены на 0,01 эВ ниже дна зоны проводимости, g
ной концентрации носителей заряда, не всегда справедливо. Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром — для ион-но-легированных слоев.

Согласно указанным выше видам поляризации на 1.3. и представлена эквивалентная электрическая схема замещения ТЭ. Здесь Г,л емкость двух электродов, разделенных электролитом: Г,, общая емкость пары двойных слоев зарядов на поверхности электродов, которая учитывает

В настоящее время в ЦАП широко используются параллельные дискретные делители, значения сопротивлений резисторов Rl, R2, ... ..., /?„ ( 10.14, а) которых выбраны согласно принятому коду. На 10.14, б представлена эквивалентная схема этого делителя, где SAB — суммарная проводимость резисторов, подключенных посредством переключателей SA на шину В, a gAc — суммарная проводимость резисторов, подключенных посредством переключателей SA на шину С. Благодаря этому входное напряжение EQ «= const делится в зависимости от значения ?АВ, причем выходное напряжение

В настоящее время в ЦАП широко используются параллельные дискретные делители, значения сопротивлений резисторов Rl, R2, ... ..., Rn ( 10.14, а) которых выбраны согласно принятому коду. На 10.14, б представлена эквивалентная схема этого делителя, где gAB — суммарная проводимость резисторов, подключенных посредством переключателей SA на шину В, а §АС — суммарная проводимость резисторов, подключенных посредством переключателей SA на шину С. Благодаря этому входное напряжение ?„ = const делится в зависимости от значения §АВ, причем выходное напряжение

Пример 2.3. На 2.14 представлена эквивалентная схема простейшей электрической системы.

На 7-10 представлена эквивалентная схема линий связи между отдельными элементами конструкции РЭА. Если эту линию рассматривать как короткую, то параметры ее будут: L* — индуктивность линии, Гн; С,- — емкость

На 7-12 представлена эквивалентная схема генератора и приемника, связанных короткой линией, имеющей индуктивный характер. При подаче на вход схемы скачка напряжения ивх изменение выходного напряжения можно оценить выражением

На основании уравнений (20.9), (20.11) и (20.13) на 20.3 представлена эквивалентная схема замещения автотрансформатора, в которой проводимости намагничивающего контура gu и Ьы определяются уравнениями (14.13).

На 6.17, б представлена эквивалентная схема этого делителя для случая, когда часть весовых резисторов включена на шину В. В эквивалентной схеме gA-в — суммарная проводимость резисторов, включенных на шину В, gA-c — суммарная проводимость резисторов, включенных на шину С.

В дальнейшем буДем исходить из выражения (11.45). На 11.9, б представлена эквивалентная линейная параметрическая схема, на которой цепь накачки не показана, а на 11.10 — та же схема применительно к заданным функциям e(f) и C(t).

На 10.13, б представлена эквивалентная линейная параметрическая схема, на которой цепь накачки не показана.

В катушках, предназначенных для измерения на переменном токе, применяют особые способы намотки, позволяющие свести к минимуму индуктивность катушки и паразитные межвитковые емкости. На 1-10 представлена эквивалентная схема катушки. Реактивность катушки характеризуется постоянной времени т, которая для данной схемы равна: