Положение нагрузочной

Имеется возможность изменять положения максимума спектральной характеристики светодиодов, варьируя удельный вес компонентов твердого раствора сплава GaAs^Pi-;,:, где х изменяется от 0 до 1. Положение максимума линейно связано со значением х. В граничных точках (х = 0, GaP) К — 565 нм и (х = 1, GaAs) Я = 920 нм.

Также можно измерить начальное и установившееся значения напряжения на конденсаторе при замыкании и размыкании ключа. Переведя с помощью мыши курсор в положение максимума по каналу А, можно измерить ток 1С0. Расчетные и экспериментальные данные приведены в таблице.

На 2.8 показаны распределения концентраций примесей бора Na (x) для одной и той же дозы легирования #л-а, но разных энергий ионов. Длина пробега ионов является случайной величиной, распределенной по нормальному закону, и характеризуется средним значением / и среднеквадратическим отклонением ст. Обе величины 7 и а увеличиваются с ростом энергии ионов. Положение максимума распределения N& (x) соответствует 7, толщина легированного слоя («ширина» распределения Na (х)) пропорциональна а, а максимальная концентрация определяется дозой легирования: NMeiKC = N (l) = —Nлл!(У%по). При малой энергии ионов слой р-типа образуется у поверхности, а его толщина определяется из условия

Таким образом, оптимальное скольжение асинхронного двигателя прямо пропорционально активному сопротивлению обмотки ротора. Изменяя активное сопротивление обмотки ротора R-2, можно менять положение максимума кривой М (s) , как показано на 8.15.

Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупроводнике. При резком увеличении коэффициента поглощения с уменьшением длины волны падающего света, например в германии, положение максимума определяется шириной запрещенной зоны (A,1Ila)i --= 1,55 мкм) и практически не зависит от толщины базы.

Другой способ измерения больших КСВН состоит в использовании аттенюаторов с плавной и точной установкой затухания на входе измерительной линии. Зонд измерительной линии устанавливают в положении минимума, уровень минимума устанавливают равным более половины шкалы индикатора. Затем перемещают зонд в положение максимума, одновременно вводится ослабление. Уровень максимума устанавливают равным уровню минимума. Измеряется изменение затухания аттенюатора А—Ат*х — — Amin, где Лтах и Лтщ — затухания, соответствующие установке зонда в положении максимума и минимума.

Положение максимума на спектральной характеристике фотодиода сильно зависит от спектральной характеристики коэффициента поглощения материала фотодиода. Если глубина поглощения хо резко уменьшается с уменьшением дли-

вы волны падающего света, как, например, в германии (см. 5.37), то положение максимума определяется шириной запрещенной зоны (Ктах = 1,55 мкм для Ge) и от толщины базы практически не зависит. Если же зависимость глубины поглощения хо от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. Так, максимум спектральной характеристики кремниевого фотодиода можно изменять в диапазоне Хтах от 0,6 до 1 мкм.

Таким образом, положение максимума для &fl определяется условием

Резонансные потери возможны и в твердых веществах, если частота шнужденных колебаний, вызываемых электрическим полем, совпадает с частотой собственных колебаний частиц твердого вещества. Наличие максимума в частотной зависимости tg 8 характерно также и для резонансного механизма потерь, однако в данном случае температура не влияет на положение максимума.

положение максимума на кривой распределения микропор по размерам не меняется.

Как изменится положение нагрузочной прямой при уменьшении сопротивления нагрузки Як в транзисторном усилителе в схеме с общим эмиттером

Как изменится положение нагрузочной прямой при увеличении сопротивления нагрузки R? в транзисторном усилителе в схеме с общим эмиттером?

Как изменится положение нагрузочной прямой при увеличении ЭДС источника ?к в транзисторном усилителе с общим эмиттером

Как изменится положение нагрузочной прямой при уменьшении сопротивления нагрузки Як в транзисторном усилителе в схеме с общим эмиттером

Как изменится положение нагрузочной прямой при увеличении сопротивления нагрузки Rj^ в транзисторном усилителе в схеме с общим эмиттером?

Как изменится положение нагрузочной прямой при увеличении ЭДС источника Як в транзисторном усилителе с общим эмиттером

Пунктиром на 15.32, д показано положение нагрузочной прямой 2 в управляемом тиристоре. Переход от закрытого состояния к открытому происходит за доли микросекунды. Тиристоры выполняют на токи от долей миллиампер до нескольких килоампер. На 15.32, е, ж показано условное изображение тиристора на схемах: 15.32, е соответствует управлению тиристором со стороны анода, 15.32, ж — со стороны катода.

1) астабильный (автоколебательный). Этому режиму соответствует положение /нагрузочной прямой на 7.11. Нагрузочная пря-

2) бистабильный (триггерный). Этому режиму соответствует положение // нагрузочной прямой. Нагрузочная прямая пересекает S-образную в. а. х. в трех точках. Точки, находящиеся на первом и втором восходящих участках в. а. х., являются устойчивыми. В со-

Рассмотренная структура имеет малый разброс напряжения включения f вкл. малое напряжение ивыкл, а при использовании быстродействующих транзисторов и более высокое быстродействие, чем обычные ОПТ. Недостатком ее является малое отношение /Выкл/'вкл и малый диапазон тока А/ = /выкл — — ^вкл> соответствующий участку отрицательного сопротивления входной в. а. х., что затрудняет использование структуры в автоколебательных генераторах, поскольку при малом значении /ВЫКл — 'вкл положение / нагрузочной прямой (см. 7.11) удается обеспечить лишь для узкого диапазона значений R времязадающей цепи 7.10.

Действительно, в точках / и 3 при случайном (например вызванном помехами) небольшом отклонении тока в диоде в сторону его увеличения происходит, в соответствии с характеристикой диода, увеличение и напряжения диода. При этом левая часть уравнения (8.98), определяемая характеристикой диода, становится больше правой части, определяемой нагрузочной линией. В результате ток уменьшается и возвращается к прежнему значению. При отклонении тока в сторону его уменьшения произойдет уменьшение напряжения «т, левая часть (8.98) станет меньше правой и ток возвратится к прежнему значению. Напротив, в точке 2 увеличение тока приводит к снижению напряжения «т, левая часть (8.98) становится меньше правой, что приводит к дальнейшему росту тока и снижению напряжения. Так продолжается до совпадения рабочей точки (мт, t'T) с точкой /, где наступает новое равновесие. При уменьшении тока напряжение возрастает, что приводит к дальнейшему уменьшению тока и возрастанию напряжения до совпадения рабочей точки с точкой 3. Положение нагрузочной линии [прямой (8.98)] зависит от сопротивления R и напряжения питания Упит. При изменении t/пит прямая перемещается параллельно себе, пересекая каждый раз ось абсцисс в точке ыт = ?/пит {по (8.98) при iT = 0].