Параметры резисторов

Параметры реакторов БН ......

Параметры реакторов БН

Таблица 7.3. Параметры реакторов-размножителей на быстрых нейтронах' и тепловых реакторов2

Параметры реакторов на быстрых нейтронах

ПРИЛОЖЕНИЕ П-5 Основные параметры реакторов

П-5. Основные параметры реакторов ...........................................500

На подстанциях, а также в РУ ТЭЦ намечены к установке выключатели типа ВМП-10 с номинальным током отключения 20 кА. Следовательно, параметры реакторов определяются требованием термической стойкости кабелей.

Проектные характеристики усовершенствованных реакторов BWR приведены в табл. 2.6. Как следует из данных табл. 2.6, параметры реакторов BWR-90, ABWR и SBWR близки (за исключением мощности SBWR, равной 600 МВт), однако удельная энергонапряженность активной зоны SBWR за-

Параметры реакторов ВВЭР позволяют осуществлять в ПГ слабый перегрев пара до 25—30 °С, что повышает КПД станции и облегчает работу паровпускных устройств турбины.

Проектные характеристики усовершенствованных реакторов BWR приведены в табл. 2.6. Как следует из данных табл. 2.6, параметры реакторов BWR-90, ABWR и SBWR близки (за исключением мощности SBWR, равной 600 МВт), однако удельная энергонапряженность активной зоны SBWR за-

Параметры реакторов ВВЭР позволяют осуществлять в ПГ слабый перегрев пара до 25—30 °С, что повышает КПД станции и облегчает работу паровпускных устройств турбины.

Резисторы являются простейшими элементами электроники, в которых ток прямо пропорционален напряжению. Резистор характеризуется сопротивлением R, ко'торое измеряется в омах (например, Ом, кОм, МОм). Существуют и другие параметры резисторов: допустимая мощность, разброс номиналов, температурный коэффициент. Широко используются последовательное и параллельное соединения резисторов.

Параметры резисторов R.I, R/'и R2, R21 должны обеспечить условия отсечки и насыщения. Они выбираются по следующим выражениям:

Параметры резисторов в базовых цепях R^ - R^ определяются из условия насыщения транзисторов по выражению

полупроводниковые резисторы, у которых р-га-переход отсутствует. К полупроводниковым резисторам относят варисторы, терморезисторы, тензорезисторы, фоторезисторы. Такие резисторы изготовляют из однородного полупроводникового материала, электрические свойства которого определяют характеристики и параметры резисторов.

Во-первых, это факторы, действующие до окончания изготовления аппаратуры и связанные с технологией производства элементов. Так, транзисторы имеют большой разброс коэффициентов усиления и обратных токов коллектора. Параметры резисторов и конденсаторов при их изготовлении обеспечиваются с определенными отклонениями от среднего значения, 'называемого номинальным (номиналом). При этом завод-изготовитель указывает максимальное отклонение — класс точности. Например, резисторы ^могут иметь класс точности 0,5; 1; 5 или 10%. Чем меньше разброс номинала, тем дороже данный элемент. В настоящее время промышлен-НОСТЁЮ выпускается с высоким классом точности только небольшая часть общего объема элементов. Это приводит к требованию — применять элементы с малыми разбросами номиналов только в особо необходимых случаях, т. е. для части устройства. В остальных же случаях выбираются элементы с достаточно большим разбросом (5, 10 или 20%). Дополнительными причинами, обусловливающими такое решение, являются, как правило, несколько меньшая надежность более точных элементов и их большие габариты.

Электрические параметры резисторов. При определении необходимой для обеспечения нормальной работы УРЗ величины сопротивления каждого резистора следует кроме технологического отклонения 6i учитывать также зависимость величины сопротивления от температуры 6г и от старения бз.

В табл. 6.3 приведены параметры резисторов реле тока по схеме 6.3. Некоторые резисторы выбраны с большим запасом по мощности, что сделано по соображениям однотипности элементов.

На первых этапах развития микроэлектроники толстопленочная технология не могла удовлетворить требованиям точности, стабильности качества и надежности элементов. Однако с развитием этой технологии были •найдены методы и материалы, которые позволили эффективно конкурировать с тонкопленочной технологией. Для иллюстрации в табл. 15-1 сопоставлены основные параметры резисторов, полученных первым и ВТО-

12.10. Определить Л-параметры четырехполюсника, схема которого представлена на 12.6, a; R=l Ом. Найти параметры резисторов, которые образуют эквивалентные Т- и П-структуры.

ЗЗА. 6. Определить токи /х и /5 в цепи, изображенной на ЗЗа. Для решения воспользоваться методом узловых напряжений. Для сокращения расчетов параметры резисторов заданы в виде проводимостей:

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ РЕЗИСТОРОВ И КОНДЕНСАТОРОВ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ