Полностью совпадают

Это дифференциальное уравнение полностью совпадает (с точностью до обозначений элементов) с уравнением (5.4). Следовательно, его общее решение аналогично (5.9):

Формуле э д с С>-Зо) полностью совпадает о формулой (I.I9), выввдэииой шин путем, веди учввть, что иаксимальаое эньченив ма-гнитаого потока тда првдстамавт со^ой «дуль вектора магнитного поля многофазной обмотки .

коместа, которое полностью совпадает с шагом выходных К.П кристалла ИМС для метода монтажа ИМС перевернутым кристаллом, а также исходя из современных возможностей высокоплотного монтажа таких многослойных коммутационных плат, как МПП на полиимидной пленке, длина межсоединений бескорпусных ИМС значительно меньше, чем корпусных ( 2.5).

Рассмотрим структуру микропроцессора, изображенную на 3.18 [18]. Она практически полностью совпадает с функциональной схемой той части калькулятора, которая размещена на кристалле БИС. Особенность микрокалькулятора состоит в том, что он представляет собой полностью автономный прибор, поэтому комплект микропрограмм должен обеспечивать выполнение отдельных арифметических операций, обработку и анализ получаемых результатов и принятие решений.

Технология изготовления элементов БИС полностью совпадает с технологией изготовления элементов малых и средних ИС. Качественное отличие между технологиями БИС и МИС состоит в изготовлении многослойных соединений БИС. На первом уровне соединяются отдельные элементы; на втором уровне схемы соединяются в функциональные узлы; на третьем — формируются связи в блоках.

Это дифференциальное уравнение полностью совпадает (с точностью до обозначений элементов) с уравнением (5.4). Следовательно, его общее решение аналогично (5.9):

Это дифференциальное уравнение полностью совпадает (с точностью до обозначений элементов) с уравнением (5.4). Следовательно, его общее решение аналогично (5.9) :

Зависимость Jo/(hv) от a~' в соответствии с (4.39) линейна. На 4.10 представлены теоретически рассчитанные зависимости интенсивности /o/(/iv) от а^1 для образца толщиной 10 мкм при различных значениях диффузионной длины. Зависимость, полученная для эпитаксиального слоя кремния n-типа электропроводности с удельным сопротивлением 5,0 Ом-см и толщиной 10 мкм на подложке с удельным сопротивлением 0,0095 Ом-см толщиной 250 мкм, полностью совпадает с теоретической. Измерения выполнены в интервале длин волн 0,8—1,0 мкм. В этой области спектра! коэффициент а-1 = 0,526367—1,14425Л-1+0,58368^2+0,039958^3. Спектральная зависимость коэффициента отражения существенна при малых значениях диффузионной длины, что можно учесть, построив зависимость /0[1—R(h)]/(hv) от a~l, где 1—/?(А,) — = 0,6786+0,03565Х-1—0,031497т"2. Требования к точности измере-

что полностью совпадает с (7.68).

что полностью совпадает с ранее полученным уравнением (7.59). Из рассмотренного примера хорошо видны преимущества операторного метода: простота, отсутствие громоздких операций по определению постоянных интегрирования. Следует подчеркнуть, что, базируясь на законах Ома и Кирхгофа в операторной форме, можно рассчитать переходный процесс любым из ранее рассмотренных методов: контурных токов, узловых напряжений и др. При этом удобно пользоваться эквивалентными операторными схемами. При составлении эквивалентных операторных схем источники тока и напряжений i(t\ и u(t) заменяются соответствующими изображениями 1(р\ и U(p), индуктивность L заменяется на pL, а емкость С — на \/рС при нулевых начальных условиях. Если начальные условия ненулевые, то последовательно с pL добавляется источник напряжения L/(0_), а с С — источник напряжения — ис(0^)/р ( 7.20).* Например, эквивалентная операторная схема для цепи, изображенной на 7.16, будет иметь вид ( 7.21). Составив для этой схемы уравнения по законам

х[(я+1)й]«х(лЛ)+Ах(яА)Л, т. е. полученное уравнение полностью совпадает с (7.93).

Графики АЧХ и ФЧХ для нормированного сопротивления параллельного контура ZH(g) — Z()/^p полностью совпадают с теми, которые изображены на 5.13. Частотные зависимости вещественной и мнимой частей входного сопротивления, а также годограф Найквиста для параллельного контура аналогичны изображенным на 5.14.

Как видим, рассчитанные по методу, принятому в Великобритании, тарифы на электроэнергию (без учета прибыли) в различных зонах суточного графика нагрузки полностью совпадают с результатами расчета тарифов по методу, приведенному в параграфе 7.4.

грамме пунктиром, а их номера обозначены прежними цифрами, но со штрихами (10', II1, 72'). Повернутые векторы полностью совпадают со сходными векторами ЭДС катушек первой катушечной группы. При обходе следующего двойного полюсного деления такое положение сохраняется. В общем случае совпадение векторов ЭДС сходных катушек, включенных встречно, катушечных групп одной фазы сохраняется при любом целом числе q, так как сходные катушки двух соседних

Автоматическое регулирование в функции напряжения, тока и реактивной мощности. Регулирование мощности конденсаторных установок по напряжению применяется в тех случаях, когда режим напряжения в сети предприятия определяется в основном режимом реактивных нагрузок. Практически это имеет место тогда, когда конденсаторные установки подключаются к сети, питающейся от нерегулируемого трансформатора. В этом случае требования к регулированию напряжения и реактивной мощности полностью совпадают, так как рост реактивной нагрузки приводит к понижению напряжения и, наоборот, понижение реактивной нагрузки вызывает повышение напряжения.

На 4.14 представлена зависимость tg9 и г мплитуды фототока /к от частоты модуляции ю для эпитаксиальнсго слоя кремния л-типа толщиной 50,2 мкм с удельным сопротивлением 28 Ом-см и диффузионной длиной 18,5 мкм. Контакт Шотки образован вакуумным напылением золота, диаметр контакта 2Е>0 мкм. Экспериментальные и теоретические зависимости полностью совпадают.

Модули в формулах (2.46) и (2.47) полностью совпадают. Следовательно, частотная характеристика согласованного фильтра точно совпадает с амплитудным

чении (табл. 9.3). Требования, предъявляемые к схемам регулирования,аппаратуре и измерительным приборам для проверки контрольной точки, полностью совпадают с перечисленными выше условиями снятия вольт-амперных характеристик ТТ.

Если необходимо выполнить функции полного сумматора при наличии только прямых значений аргументов xlt х2, xs, то может быть применена схема на 5-13, б. Здесь объединение диодов диодной матрицы и включение в нее нагрузок z^ z2, г3, г4 полностью совпадают с предыдущей схемой и поэтому диоды вместе с нагрузками условно обозначены узлом ДМ. Схема содержит на 2 сердечника больше, чем предыдущая. Сердечники С/, С2 выполняют те же функции, что и в предыдущей схеме. Легко убедиться в том, что условия прохождения тока по одной из четырех ветвей переключателя СЗ — С6 в схеме на 5-13, а совпадают с условиями прохождения тока по одной из четырех ветвей переключателя СЗ — С6 и С7, С8 в схеме на 5-13, б. Если обозначить через qia состояние сердечников в схеме на 5-13, а и через ql5 — в схеме на рис, 5-13, б, то будут справедливы соотношения:

деленного объема в линейной модели и рассчитать по (2.3) или (2.13) искомую ЭМС Dg, действующую на выделенный объем в направлении перемещения A
Соотношение между приращениями магнитной энергии и ДНП по (2.36) или между ЭМС \DqH]l\ и Dq\ по (2.37), которые соответствуют этим приращениям, зависит от уровня магнитного насыщения нелинейных сред, в которых располагается поверхность 5, выделяющая объем V (см. 1.5). При больших магнитных насыщениях нелинейных сред, в которых располагается поверхность S, приращения энергии AU^I и ЭМС \Однл\, найденные без перехода к линейной модели по (2.32) и (2.3), могут быть в несколько раз меньше, чем те же величины А W\ и \Dq \, найденные с помощью линейной модели по (2.7) и (2.3). И только в некоторых частных случаях, когда поверхность S, выделяющая объем V, располагается целиком в магнитно-линейных средах, приращения ДИ%Л и &W, а также ЭМС О4кл и Dq полностью совпадают. Имеется два таких

Сопоставляя (5.29) и (5.32), (5.31) и (5.33), (5.30) и (5.34), видим, что силы, найденные через натяжения 1см. (4.24)], как и следовало ожидать, полностью совпадают с силами, найденными через объемную плотность ЭМС [см. (4.46)].