Полностью ионизированы

Во-первых, при описании работы цепей можно полностью абстрагироваться от геометрической конфигурации элементов и соединительных проводников. Это дает возможность рассмотрения абстрактных моделей реальных цепей, называемых принципиальными схемами. Физические линейные размеры также не играют роли при изучении квазистационарных цепей. Поэтому теоретически все конденсаторы, имеющие емкость 1 мкФ, полностью идентичны.

При этом каналы регулирования по осям о, р двух радиальных опор полностью идентичны. Тогда

Из 3.25,а видно, что соединения катушечных групп каждой фазы обмотки полностью идентичны, поэтому то же количество информации может быть представлено более компактно, т.е. изображением схемы только одной фазы обмотки при соответствующих надписях на чертеже ( 3.25,6).

Катушечные группы уложенной на станке концентрической обмотки не полностью идентичны из-за различного положения сторон катушек в пазах. Это приводит к некоторому неравенству индуктивных сопротивлений различных катушечных групп. Позтому двухслойная концентрическая обмотка может быть соединена в несколько параллельных ветвей только при условии, если в каждой из них будет содержаться одинаковое число катушечных сторон, расположенных в нижних и верхних слоях пазов. Это дополнительное условие несколько ограничивает возможность образования параллельных ветией обмотки.

Из 3-25 видно, что соединения катушечных групп каждой фазы обмотки полностью идентичны, поэтому то же количество информации о соединениях в обмотке может быть представлено более компактно. ГОСТ 2.705-70 допускает изображение схемы только одной фазы обмотки при соответствующих надписях на чертеже ( 3-26).

Катушечные группы уложенной на станке концентрической обмотки не полностью идентичны из-за различного положения сторон их катушек в пазах. Это приводит к некоторому неравенству индуктивных сопротивлений различных катушечных групп. Поэтому концентрическая обмотка может быть соединена в несколько параллельных ветвей только при условии, если в каждой из них будет содержаться одинаковое число катушечных сторон, расположенных в нижних и верхних частях пазов. Это дополнительное условие несколько ограничивает возможность образования параллельных ветвей.

обмотки полностью идентичны, поэтому то же количество информации может быть представлено более компактно, т. е. изображением схемы только одной фазы обмотки при соответствующих надписях на чертеже ( 3.25, б).

Катушечные группы, уложенные на станке концентрической обмотки, не полностью идентичны из-за различного положения сторон катушек в пазах. Это приводит к некоторому неравенству индуктивных сопротивлений различных катушечных групп. Поэтому двухслойная концентрическая обмотка может быть соединена в несколько параллельных ветвей только при условии, если в каждой из них будет содержаться одинаковое число катушечных сторон, расположенных в нижних и верхних слоях пазов. Это дополнительное условие несколько ограничивает возможность образования параллельных ветвей обмотки.

таких первичных изображений, зафиксированных в зрительном образе, зависит от периода развертки, длительности послесвечения люминофора и зрительной памяти человека Налож ние осциллограмм с образованием неподвижного изображения в )зможно при выпочнении условия, принятого при построении (см. рис 8 6), т. е., когда Тс = ТР, периодический сигнал делится на временные интервалы, в пределах которых «отрезки» сигнала полностью идентичны и при наложении осциллогралш образуют неподвижное изображение Так же образуется изображение осциллограммы, когда ТР -= пТс. Если п — целое число, то в одном периоде напряжения развертки укладывается ровно п периодов сигнала. Осциллограмма будет отличаться от изображенной на 8.6 числом периодов сигнала (2,3...), отложенных вдоль оси х Выполнение условия ТР - лТс требует, чтобы период развертки ТР был равен или кратен периоду сигнала

Унифицированные стандарты — стандарты, которые идентичны по содержанию, но не полностью идентичны по форме представления.

Для полупроводника р-типа приведенные рассуждения полностью идентичны. Подставляя в (2.33) концентрацию ионизированных акцепторов Л'а, запишем:

X Ю16—3-W см~3) этот интервал температур находится вблизи 77' К. При этой температуре все примеси полностью ионизированы и эффективная концентрация экранирующих зарядов равна концентрации электронов. Следовательно, из соотношения (2.39) можно в явном виде найти Na. Определенные таким способом концентрации ионов примеси могут быть сопоставлены со значениями подвижности электронов при 77 К. Зависимость псдвижности электронов при 77 К от концентрации ионов примеси представлена на 2ЛЗ.

Пусть имеется кристалл полубесконечного объема, поверхность которого имеет координату х=0 ( 5.1). Полупроводник содержит доноры и акцепторы, концентрации которых Nd и Na. Изгиб энергетических зон соответствует ефп, поверхность характеризуется потенциалом 4V Определим распределение плотности объемного заряда, полагая, что акцепторные и донорные примеси полностью ионизированы. В объеме полупроводника вдали от поверхности, где ее влияние уже не сказывается, соблюдается условие электронейтральности

Метод релаксации емкости. Рассмотрим основные свойства емкости структуры металл — полупроводник при нестационарном процессе. Пусть в полупроводнике имеется основная до-норная примесь с концентрацией Nd и энергией Ed, а также глубокие доноры с концентрацией jVr и энергией ?г. Для глубокого уровня выполняется соотношение вп^вр. Полупроводник однороден, т. е. концентрации примесей не зависят от координаты. В состоянии термодинамического равновесия мелкие доноры полностью ионизированы, а глубокие доноры практически полностью заполнены электронами, т. е. для глубокого уровня выполняется неравенство Ер—Er>4kT. Хотя структура при обратном смещении не находится в состоянии термодинамического равновесия, тем не менее используем статистику равновесной системы.

Чтобы выразить плотность объемного заряда р(х) через концентрации примесных атомов Л/» и N*, сделаем следующие допущения. Будем считать, что атомы донорной и акцепторной примесей полностью ионизированы. Тогда, пренебрегая концентрацией подвижных носителей заряда, получим

диапазоне температур они полностью ионизированы. В этом диапазоне температур концентрация основных носителей не зависит от температуры.

При монополярной генерации поглощение кванта света сопровождается ионизацией примесных атомов. Энергия поглощаемого фотона при этом должна быть: hv ^ &Еп или hv ^ AEa. Примеси с мелко залегающими уровнями при комнатной температуре почти полностью ионизированы. Поэтому монополярная генерация при примесном поглощении квантов света имеет существенное значение лишь при наличии относительно глубоко залегающих примесей. _ Более подробно поглощение света полупроводниками и возникающие при этом процессы образования свободных носителей заряда рассматриваются в гл. 14.

При температуре диффузии оба типа примеси частично или полностью ионизированы, что приводит к возникновению ускоряющего электрического поля для примесных ионов, т. е. к увеличению коэффициента диффузии,

При монополярной генерации поглощение кванта света сопровождается ионизацией примесных атомов. Энергия поглощаемого фотона при этом должна быть: hv ^ &Еп или hv ^ AEa. Примеси с мелко залегающими уровнями при комнатной температуре почти полностью ионизированы. Поэтому монополярная генерация при примесном поглощении квантов света имеет существенное значение лишь при наличии относительно глубоко залегающих примесей. _ Более подробно поглощение света полупроводниками и возникающие при этом процессы образования свободных носителей заряда рассматриваются в гл. 14.

Чтобы выразить плотность объемного заряда р(л;) через концентрации примесей Л^д и Na, сделаем следующие упрощающие предположения. Будем считать, что атомы донорной и акцепторной примесей полностью ионизированы. Тогда, пренебрегая концентра-

При температуре диффузии оба типа примеси частично или полностью ионизированы, что приводит к возникновению ускоряющего электрического поля для примесных ионов, т. е. к увеличению коэффициента диффузии,

диапазоне температур они полностью ионизированы. В этом диапазоне температур концентрация основных носителей не зависит от температуры.