Политехнического института

Существование доменов можно проверить экспериментально. Если соединить телефон через усилитель с катушкой, охватывающей феррит, и медленно его перемагничивать, можно различать отдельные щелчки, связанные со скачкообразным изменением индукции. На полированной поверхности намагниченного образца феррита можно обнаружить узоры, образующиеся при осаждении тончайшего ферромагнитного порошка на границах отдельных доменов.

Фактура и пластика служат для создания нюансных способов отделки, фактура- -для создания тонких контрастов, например противопоставление матовой и полированной поверхности одного и того же материала.

Из полирующих наиболее стабильные хорошие результаты дает бром-метаноловый травитель, содержащий от 5 до 20 об. % Вг2 в метаноле (метиловом спирте) СН3ОН. Механизм работы этого травителя до настоящего времени полностью не определен. Можно лишь утверждать, что бром выступает в роли интенсивного окислителя, образующего с элементом А"1 спирторастворимые бромиды, а с элементом Bv — газообразные соединения типа бромидов, .гидробромидов или бромоксидов с участием метанола. Так как травление сопровождается бурным газовыделением, бром в состав травителя вводят по каплям до начала газовыделения. Скорость процесса травления сильно зависит от содержания брома. Травитель обеспечивает получение полированной поверхности как на плоскостях А111, так и на плоскостях Bv.

Измерение интерференции пучка света на полированной поверхности подложки. Точность измерения 0,01 мкм

Сравнение полированной поверхности подложки с поверхностью эталонных образцов. Точность измерения ± (0,5— 1) мкм

Для любого нечерного тела излучательная способность будет меньше; в общем случае она зависит от длины волны излучения. Для «серых» тел, не имеющих блестящей полированной поверхности и диффузно отражающих лучистую энергию, излучательная способность одинакова во всем диапазоне длин волн.

Магнитные свойства материалов обусловлены внутренними скрытыми формами движения электрических зарядов, представляющими собой элементарные круговые токи. Такими круговыми токами являются: вращение электронов вокруг собственных осей — электронные спины и орбитальное вращение электронов в атомах. Явление ферромагнетизма связано с образованием внутри некоторых материалов ниже определенной температуры (точки Кюри) таких кристаллических структур, при которых в пределах макроскопических областей, называемых магнитными доменами, электронные спины оказываются ориентированными параллельно друг другу и одинаково направленными. Таким образом, характерным для ферромагнитного состояния вещества является наличие в нем самопроизвольной (спонтанной) намагниченности без приложения внешнего магнитного поля. Однако, хотя в ферромагнетике и образуются самопроизвольно намагниченные области, но направления магнитных моментов отдельных доменов получаются самыми различными, как это вытекает из закона о минимуме свободной энергии системы. Магнитный поток такого тела во внешнем пространстве будет равен нулю. Возможные размеры доменов для некоторых материалов составляют около 0,001—10 мм3 при толщине пограничных слоев между ними в несколько десятков — сотен атомных расстояний. У особо чистых материалов размеры доменов могут быть и больше. Существование доменов удалось показать экспериментально. При очень медленном перемагничивании ферромагнитного образца в телефоне, соединенном через усилитель с катушкой, охватывающей образец, можно различать отдельные щелчки, связанные непосредственно со скачкообразными изменениями индукции. На полированной поверхности намагничиваемого образца ферромагнетика можно обнаружить появление типичных узоров, образующихся с помощью осаждения тончайшего ферромагнитного порошка на границах от-

Поверхностные дефекты могут быть обнаружены также визуально следующим способом. Поверхности сварного шва в местах выявления дефектов зачищают шлифовальными кругами и полируют до зеркального блеска, смачивают керосином и выдерживают в течение часа, а затем обрабатывают песком. Через полчаса после обработки поверхность осматривают, дефекты выявляют по керосиновым пятнам. Часто дефекты удается обнаружить на полированной поверхности без дополнительной обработки,в некоторых случаях применяют травление полированной поверхности.

Проверка качества полированной поверхности кернов производится под микроскопом с 50-кратным увеличением при освещении кернов рассеянным светом. Контроль угла конуса и радиуса сферы керна осуществляется в специальной проекционной аппаратуре с помощью шаблонов при 500-кратном увеличении или с применением монукулярного микроскопа с насадкой при 100-кратном увеличении.

Работа выхода электронов в вакууме для вольфрамового покрытия с текстурой {100} равна 4,6 эВ, в то время как для вольфрамового покрытия с текстурой {110} она составляет 5—• 5,3 эВ [172]. Отсюда видно, насколько важно получить вольфрамовые покрытия именно с текстурой {НО}. Хорошая адгезия вольфрамового покрытия на молибденовом катоде достигается, когда покрытие осаждается на рекристаллизованной и травленой поверхности. На механически полированной поверхности адгезия покрытия недостаточна. С другой стороны, ориентированные покрытия вольфрама с текстурой {110} на молибденовом эмиттере получаются только на хорошо полированных поверхностях [8, 171]. В работах при создании реактора JTR [19] эти взаимоисключающие обстоятельства были устранены применением двуслойных -вольфрамовых покрытий, полученных по так называемой дуплекс-технологии. Первый подслой вольфрама на рекристаллизованную травленую поверхность наносится восстановлением паров WF6 водородом (фторидная технология), а второй (основной по толщине) слой вольфрама наносится восстановлением водородом паров WC14 (хлоридная технология).

Прозрачная керамика из MgO рассматривается как перспективный материал вследствие высокого прямого светопропускания, малой плотности, повышенной теплопроводности и хорошей химической стойкости к парам щелочных металлов. Однако ее способность к гидратации, выражающаяся в потемнении полированной поверхности, летучести при высокой температуре, и сравнительно невысокая механическая прочность ограничивают возможности использования этого материала.

Рецензенты: кафедра электрических станций Московского энергетического института и кафедра автоматизированных электрических систем Уральского политехнического института

Автор выражает свою признательность сотрудникам кафедры электрических станций Московского энергетического института и кафедры автоматизированных электрических систем Уральского политехнического института за тщательное рецензирование рукописи, критические замечания и предложения, которые учтены при доработке рукописи.

Рецензенты: кафедра теории цепей и сигналов. Нижегородского политехнического института; доктор техн. наук, профессор А. В. Нетушил

Выражаю признательность рецензентам — профессорам А. В. Нетушилу и В. В. Крылову, а также преподавателям кафедры теории цепей и сигналов Нижегородского политехнического института за тщательный и высококвалифицированный анализ текста. рукописи, за ценные замечания и конструктивную доброжелательную критику.

Автор выражает искреннюю признательность рецензентам — коллективам преподавателей кафедры схемотехники Московского института электронной техники (зав. кафедрой проф. Г. И. Весе-лов) и кафедры теоретических основ радиотехники Киевского политехнического института (зав. кафедрой проф. Я. К. Трохимен-ко). Их замечания и советы оказали автору неоценимую помощь.

кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры Московского авиационного института им. С. Орджоникидзе (зав. кафедрой — д-р техн. наук, проф. Б. Ф. Высоцкий); кафедра автоматики и вычислительной техники Ленинградского политехнического института им. М. И. Калинина (зав. кафедрой — проф. В. Д. Ефремов)

Г. Б. Левенталю и коллективу кафедры тепловых электростанций Минского политехнического института за ценные замечания, сделанные при рецензировании рукописи.

кафедра электрических машин Томского политехнического института (заведующий кафедрой проф. Г. А. Сипайлов); проф. Д. Э. Брускин (Московский энергетический институт)

Авторы выражают благодарность рецензентам д-ру техн. наук, проф. Д. Э. Брускину, сотрудникам кафедры «Электрические ма-. шины» Томского политехнического института и ее заведующему д-ру техн. наук, проф. Г. А. Сипайлову за ценные замечания и предложения.

Рецензенты: кафедра «Теория цепей и сигналов» Горьковского политехнического института, доктор техн. наук, профессор С. И. Баскаков

На 5.2, а изображена схема политехнического института, в составе которого находится радиотехнический (либо с аналогичным названием) факультет. Такие институты выпускают специалистов по широкой номенклатуре инженерных специальностей. К ним относятся, например, Челябинский, Красноярский, Каунасский и другие политехнические институты.