Полярностью напряжения

Адгезия — это явление возникновения сил молекулярного' взаимодействия между полярными молекулами клея и молекулами соединяемых материалов. Процесс склеивания сопровождается не только возникновением специфических сил сцепления между адгезивом и субстратом, но и проникновением адгезива в поры склеиваемого материала и удержанием в них затвердевшего клея благодаря механическому заклиниванию.

2. Ионное растворение. В этом случае исходное состояние вещества и состояние в растворе не идентичны. В растворе происходит разделение ионного кристалла на катионы и анионы, которые окружены сольватационными оболочками (в водных растворах образованными полярными молекулами воды), которые обеспечивают устойчивость таких растворов. Тем не менее, как и в случае молекулярных растворов, после удаления растворителя растворенное вещество может быть выделено в химически неизмененном виде, хотя с ним также могут произойти морфологические изменения. Примером такого типа реакций может служить растворение NaCl в воде или практически все реакции гидротермального синтеза монокристаллов, таких, как SiO2, A12O3 и др.

Существует ряд диэлектриков, молекулы которых при отсутствии внешнего поля электрически нейтральны, так как среднее положение отрицательного заряда совпадает с ядром ( 1.7, а). Такие молекулы называют неполярными. У диэлектриков с полярными молекулами среднее положение отрицательного заряда смещено относительно ядра.

Во вторую входят диэлектрики, молекулы которых при отсутствии внешнего электрического поля представляют собой диполи, т. е. центры действия положительных и отрицательных зарядов этих молекул при отсутствии внешнего электрического поля не совпадают (полярные молекулы). Диэлектриком с полярными молекулами является, например, хлористый водород.

Убедимся, в том, что вязкостные процессы при поляризации диэлектриков с полярными молекулами приводят к тому, что еа становится комплексным числом.

У жидких диэлектриков с полярными молекулами заметно проявляется зависимость диэлектрических потерь от вязкости. Удельная проводимость таких жидкостей при комнатной температуре 1(И0— П~11 См/м. Диэлектрические потери, наблюдаемые в полярных вязких жидкостях при переменном напряжении, значительно превосходят потери, обусловленные электропроводностью. Такие потери называют дипольно-релаксационными потерями. Объяснение природы потерь в полярных вязких жидкостях можно дать, основываясь на представлениях о механизме дипольно-релаксационной поляризации.

Диэлектрики с неполярными молекулами, не имеющие примесей, обладают ничтожно малыми диэлектрическими потерями. К таким диэлектрикам относятся: церезин, неполярные полимеры — полиэтилен, политетрафторэтилен, полистирол и др. Указанные вещества в связи с их весьма малыми потерями применяются в качестве высокочастотных диэлектриков.

Диэлектрики молекулярной структуры с полярными молекулами представляют собой главным образом органические вещества, широко используемые в технике. К ним принадлежат материалы на основе целлюлозы (бумага, картон), полярные полимеры: полиметил-метакрилат (органическое стекло), полиамиды (капрон) и полиуретаны, каучуковые материалы (эбонит), фенолформальдегидные смолы (Закелит), эфиры целлюлозы (ацетилцеллюлоза), и другие материалы. Эти вещества из-за присущей им дипольно-релаксационной поляризации обладают большими потерями, которые существенно зависят от температуры; при некоторых температурах обнаруживаются максимум и минимум потерь; возрастание потерь после минимума объясняется увеличением потерь от сквозной электропроводности.

Эта пропорциональность характерна и для веществ с полярными молекулами. При этом она нарушается лишь при очень сильных полях, когда почти все диполи ориентируются вдоль внешнего поля.

В качестве интенсификатора процесса химического эмульгирования при рельефной и пористой поверхности обрабатываемых изделий применяют ультразвук. Здесь главную роль играют газовые пузырьки, которые всегда присутствуют в жидкости вследствие тепловых флуктуации. Возникнув, они не сразу растворяются, потому что на их оболочке (поверхность раздела) образуется монослой из адсорбированных органических молекул, препятствующий диффузии газа в окружающую жидкость. Пузырьки преимущественно возникают на жировой пленке, так как между ней и полярными молекулами воды наиболее слабое взаимодействие. Под воздействием ультразвуковых колебаний часть пузырьков входит в механический резонанс. В таком режиме интенсивность их воздействия на жировую пленку велика и пленка легко разрывается. Длительность процесса при интенсивности облучения 1 Вт/см2 составляет 1—2 мин.

Рассмотрим теперь диэлектрик с полярными молекулами. В этом случае каждая молекула имеет определенный дипольный момент /?0 уже в отсутствии поля. Однако, вследствие теплового движения, в отсутствии поля молекулы расположены совершенно хаотично рис gg схема элек-( 89, а), и поэтому векторная сумма всех тронной поляризации, моментов диполей в среднем близка к нулю.

Так же как и диод, тиристор обладает односторонней электропроводностью. В отличие от диода сопротивление тиристора определяется не только полярностью напряжения ывх, но и зна-

элемент типа 0 передается в линию отрицательной полярностью напряжения, • то следующий элемент типа 0 (третий) передается положительной полярностью напряжения и т. д. Поскольку элементы положительной и отрицательной полярностей строго чередуются, то в ли-составляющая практически

Полярность наведенного напряжения в зависимости от взаимного расположения и направления намотки катушек может совпадать (быть согласной) или не совпадать (быть встречной) с принятой положительной полярностью напряжения второй катушки.

При Lia>0 полярность напряжения взаимоиндукции «1а совпадает с принятой положительной полярностью напряжения катушки /, а при L1S<;0 — будет обратной (встречной) ей.

Полярность напряжения инвертирующего входа 2 — обратна, а неинвертирующего входа / — одинакова с полярностью напряжения на выходе 3. ОУ может включаться по схеме с одним управляющим входом ( 9.7, в). ОУ выпускаются промышленностью серийно на основе современной интегральной технологии, так что они могут рассматриваться как самостоятельный многополюсный активный элемент. По условиям получения устойчивой работы в линейном режиме выход и вход противоположной полярности ОУ всегда соединяются ветвью так называемой обратной связи.

Проводимость канала будет модулироваться полярностью напряжения, приложенного к затвору (относительно истока). В канале р-типа положительное напряжение на затворе 3 способствует выталкиванию дырок из области канала в область полупроводниковой подложки. При этом канал обедняется носителями заряда, что приводит к уменьшению проводимости канала, а следовательно, и тока в нем (режим обеднения).

Для перевода двигателя из двигательного режима работы в генераторный (из первого квадранта во второй) необходимо переключить контакты реверсора, изменив одновременно полярность ЭДС преобразователя, что достигается переводом выпрямителя из выпрямительного режима в инверторный. Переключение реверсора осуществляется автоматически логическим переключающим устройством ЛПУ в результате сравнения заданного и фактического знака (направления) тока якоря. Заданный знак определяется полярностью напряжения на промежуточном выходе регулятора скорости PC (выходной сигнал регулятора скорости (/3Т является выпрямленным). Фактический знак тока якоря определяется замкнутым состоянием одного из вспомогательных контактов реверсора. Если появляется необходимость переключения реверсора (из-за несовпадения заданного и фактического знаков тока якоря), то ЛПУ выдает сигнал ограничения на регулятор скорости и блокирует регулятор тока, в результате чего выпрямитель переводится в инверторный режим. Когда ток в цепи якоря спадает до 0, происходит переключение реверсора, и регуляторы PC и РТ деблокируются. Если фактическая угловая скорость выше заданной (при торможении в процессе реверса или остановки привода), то поддерживается инверторный режим работы выпрямителя и энергия от двигателя возвращается в сеть.

Так как на эмиттеры транзисторов напряжение подается в про-тивофазе от Тр2, то транзисторы отпираются поочередно. Ток через транзистор и нагрузку протекает в том случае, когда положительная -полярность напряжения на эмиттере совпадает с отрицательной полярностью напряжения на коллекторе. Поэтому при одном соотношении фаз входного сигнала t/Bx и напряжения питания выпрямленный однополупериодныи ток проходит через одну половину дагрузки, при ином соотношении — через другую. Для выпрямления переменного напряжения питающего трансформатора Тр\ используют полупроводниковый диод Д, большое обратное сопротивление которого препятствует прохождению тока через транзистор в обратном направлении.

Возникновение положительного заряда ионов можно объяснить следующим образом. Ионизирующее излучение вызывает образование электронно-дырочных пар в слое диэлектрика. Если к затвору приложено положительное относительно подложки напряжение, то в первую очередь из-за большой подвижности электроны будут перемещаться полем к затвору. Дырки захватываются дырочными ловушками или рекомбинируют с электронами до выхода из оксида. В результате в диэлектрике SiO2 формируется избыточный положительный заряд. Образующийся заряд Q при фиксированном потенциале затвора уменьшает напряженность поля в оксиде, что приводит к насыщению заряда Q при росте D. Объемный заряд расположен внутри оксида на расстоянии нескольких десятков нанометров от границы раздела кремний — диэлектрик. Значение объемного заряда определяется не только поглощенной дозой облучения, но и значением и полярностью напряжения на затворе в процессе облучения. Наблюдаемая при этом линейная зависимость наведенного заряда от t/зи связана с тем, что все приложенное к затвору напряжение падает на слое объемного заряда, создающегося в оксиде во время облучения, а не на всем слое оксида.

Распространенная схема двухполупериодного кольцевого фа-зочувствительного демодулятора показана на 15.8, б. Входной сигнал и опорное напряжение подаются через трансформаторы 77 и Т 2- с выводами от средних точек. Резисторы Rl — R4 ограничивают токи диодов, предохраняя их от перегрузки. Выходное напряжение создается на сопротивлении R,,, включенном между средними точками трансформаторов, одна из которых заземлена. Под воздействием опорного напряжения в один из полупериодов, когда полярность напряжения на вторичной обмотке Т2 такова, что плюс будет в точке А, а минус в точке Б, диоды VD3 и VD4 открываются, а диоды VD1 и VD2 запираются. Обмотка Wl оказы-йается отключенной от схемы. Через сопротивление нагрузки пройдет ток, направление которого определяется только полярностью напряжения t/2 в данный полупериод, т. е. фазой напряжения ?/„*• Для полярности, показанной на схеме, ток через Ru будет проходить сверху вниз и далее его цепь замыкается через W3, R4 и VD4. В последующий полупериод полярности всех напряжений изменяются на противоположные (обозначения в скобках). Теперь открываются диоды VD1 и VD2, а закрываются диоды VD3n VD4. Отключенной от схемы будет обмотка W2, а ток в нагрузке будет создаваться напряжением U1. Как видно из 15.8, б, направление тока через Ra не изменится, но теперь цепь замкнется через W4, R2 и VD2.

После лавинного запирания транзистора отрицательное напряжение на конденсаторе поддерживает транзистор в запертом состоянии. При этом конденсатор С заряжается через резистор /?э от источника питания -}-Е9, и величина отрицательного запирающего напряжения на эмиттере Т уменьшается. Когда напряжение на эмиттере превысит нулевой уровень и повысится до е„б, транзистор снова переходит в активный режим и начинается лавинный процесс его включения. В данной схеме в перезарядке конденсатора С участвует не ток /ко, а обратный ток запертого эмиттерного перехода /эо, который при использовании несимметричных биполярных транзисторов в несколько раз меньше, чем /ко. Нестабильность величины /эо в силу малости этого тока меньше сказывается на стабильности зарядного тока. Стабильность частоты колебаний повышается. Однако это повышение приводит к необходимости использования дополнительного источника питания с полярностью напряжения, обратной полярности источника —Е. Другим недостатком является резкий спад вершины выходного импульса блокинг-генератора. При формировании импульса транзистор Т насы-