Пользуясь полученными

Амплитуду ifm и начальную фазу <>ц напряжения и определим, пользуясь комплексным методом. С этой целью от уравнения электрического состояния для мгновенных значений перейдем к уравнениям для комплексных значений напряжений и тока:

Этот же расчет можно провести, пользуясь комплексным методом. В этом случае расчет начинают с записи комплекса тока

ном процессе, пользуясь комплексным методом и учитывая, что ток является одним и тем же во всех участках, можем написать

Интересно адесь отметить, что, пользуясь комплексным методом, автоматически получаем соотношения между эквивалентными про-

Пусть ток и напряжение в линии изменяются во времени по синусоидальному закону с угловой частотой <о. Пользуясь комплексным методом, напишем уравнения линии для комплексных действующих напряжения О и тока /:

где модуль г— Z = Vг*-\-(ыЬ)2 — полное сопротивление; аргумент cp = arctg(cL>L/r) >0; xL = (uL — индуктивное сопротивление. Пользуясь комплексным сопротивлением, равенство (4-20) можно записать в виде закона Ома для комплексов

Составляющую установившегося режима находим, пользуясь комплексным методом:

Амплитуду Um, начальную фазу г5„ напряжения и определим, пользуясь комплексным методом. С этой целью от уравнения электрического состояния для мгновенных значений перейдем к уравнению для комплексных действующих значений напряжений и тока:

Этот же расчет можно провести, пользуясь комплексным методом. Для этого необходимо начать с записи комплексного действующего значения тока / = 1е'^'. Если задана синусоида тока [см. формулу (7.32)], то эта запись однозначна, так как известны

Пусть ток и напряжение в линии изменяются во времени по синусоидальному закону с угловой частотой со. Пользуясь комплексным методом, напишем уравнения линии для комплексных действующих напряжения U и тока /:

Здесь интересно отметить, что, пользуясь комплексным методом, автоматически получаем соотношения между эквивалентными проводимостями g и b и сопротивлениями г их цепи или ее участка, выведенные в § 4.8.

Пользуясь полученными соотношениями, нетрудно установить, как будут меняться значения тока, напряжения, мощности и других величин при изменении сопротивления г, например, при подключении к источнику различных приемников или изменении числа параллельно включенных приемников. Если отключить приемник с помощью выключателя В ( 1.4, а), то электрическая цепь и все ее элементы будут работать в режиме холостого хода. В этом случае следует считать г = со. Из (1.14) видно, что при холостом ходе / = 0. Вследствие этого оказываются равными нулю падение напряжения 1г0, потери мощно-

Падение давления пара зависит от гидравлических характеристик парового тракта, начальной и конечной нагрузок блока, аккумулирующей способности котла и скоростей нагружения. Допустимое значение падения давления пара перед турбиной указывается заводом-изготовителем. Пользуясь полученными выше зависимостями, можно подобрать соотношение между q/ и w таким образом, чтобы в момент достижения заданной конечной мощности блока падение давления пара не превышало допустимого.

2. Пользуясь полученными вольт-амперными харак-

и токов мало отклоняются от синусоиды. В таких случаях реально существующие несинусоидальные э. д. с. и токи заменяют эквивалентными синусоидальными и производят расчеты, пользуясь полученными значениями эквивалентных величин.

Пример 1-2. Пользуясь полученными в примере 1-1 соотношениями, определить, какой высоте столба воды и столба ртути соответствует 1 бар и 1 am (техническая).

Пользуясь полученными соотношениями, находим выражение для мощности трехфазной системы при симметрии и системы токов, и системы напряжений, справедливое как для соединения звездой, так и для соединения треугольником:

няют эквивалентными синусоидальными и производят расчеты, пользуясь полученными значениями эквивалентных величин.

Пользуясь полученными соотношениями, можно показать распределение неосновных носителей и базе для различных режимов работы транзистора ( 12-5). На этом рисунке протяженность базы (0 — w), соответствующая границам эмиттерного и коллекторного переходов, показана без учета изменения ширины запирающего слоя при различных напряжениях ?/эв и t/кв- Из 12-5 видно, что концентрация р (w) = рпй только при С/кв = = 0; при. ?/КБ < 0 в результате экстракции неосновных носителей р (w) = 0, а при ?/КБ > Q (режим насыщения) р (w) > рп0. График 12-5, в иллюстрирует различие в значениях /кво и /КБК- ПРИ ^ЭБ = 0 градиент концентрации дырок в базе выше, чем в случае Гэ = 0, и, следовательно, /квк > /кво-

Пользуясь полученными соотношениями, можно показать распределение неосновных носителей и базе для различных режимов работы транзистора ( 12-5). На этом рисунке протяженность базы (0 — w), соответствующая границам эмиттерного и коллекторного переходов, показана без учета изменения ширины запирающего слоя при различных напряжениях ?/эв и t/кв- Из 12-5 видно, что концентрация р (w) = рпй только при С/кв = = 0; при. ?/КБ < 0 в результате экстракции неосновных носителей р (w) = 0, а при ?/КБ > Q (режим насыщения) р (w) > рп0. График 12-5, в иллюстрирует различие в значениях /кво и /КБК- ПРИ ^ЭБ = 0 градиент концентрации дырок в базе выше, чем в случае Гэ = 0, и, следовательно, /квк > /кво-

и для этих сечений определить пазовые коэффициенты А;П1, &П2 и А:пз. Пользуясь полученными величинами, находят по характеристике намагничивания ( 2-6) соответствующие им напряженности магнитного поля: Ha2i, H322 и Нам.

Этот метод расчета достаточно трудоемок и к нему можно не обращаться, если не требуется большой точности или кривые э. д. с. и токов мало отклоняются от синусоиды. В таких случаях реально существующие несинусоидальные э. д. с. и токи заменяют эквивалентными синусоидальными и производят расчеты, пользуясь полученными значениями эквивалентных величин.