Параметры некоторых

этому в состав основных параметров мощных транзисторов наряду с предельно допустимыми напряжениями и токами обязательно входят следующие параметры: напряжение насыщения коллектор— эмиттер t/кэнас при заданном токе коллектора и токе базы, время задержки /Зд, время нарастания /„р. время рассасывания /рас и время спада /сп при заданных значениях напряжения питания коллектора, тока коллектора и тока базы.

Физические процессы в МДП-структуре и ее основные параметры. Напряжение затвора создает электрическое поле, проникающее через тонкий (толщиной e?=0,03-f-0,1 мкм) слой диэлектрика в приповерхностный слой полупроводника, где оно изменяет концентрацию носителей. В зависимости от значения напряжения наблюдаются рассмотренные в § 1.9 режимы обогащения, обеднения или инверсии. Напряжение U0, при котором в полупроводнике

Основные параметры усилителя К1УС744: напряжение источника питания (/„ п = 5,4..-9,9 В;

правильным использованием изоляционных материалов и правильной технологией изготовления изоляционных деталей. Однако при изготовлении и укладке обмоток могут быть случаи смещения изоляции, повреждение ее, образование трещин и другие нарушения целостности, плохая пайка. Поэтому для своевременного предотвращения брака следует испытывать изоляцию обмоток в процессе их изготовления и укладки. Так как повреждения изоляции могут возникать на разных этапах изготовления изделия, принято испытывать изоляцию после каждой технологической операции, если это возможно по условиям организации производства. При испытании проверяется целостность: витковой, корпусной и междуфазной изоляции, коллекторных манжет, междуламельной изоляции, изоляции втулок контактных колец, сопротивление корпусной и междуфазной изоляции и сопротивление обмоток. Так как основным параметром изоляции является ее электрическая прочность, то качество изоляции проверяется повышенным напряжением. Испытательные параметры: напряжение и время приложения испытательного напряжения должны обеспечить выявление явных и скрытых дефектов (проколы, надрывы, смещения, надломы), не вызывая разрушений годных участков изоляции. Время приложения испытательного напряжения выбирается таким, чтобы выявились дефекты в изоляции, но не имело места старение изоляции под действием электрического поля. Наибольшее испытательное напряжение, как правило, должно быть не менее чем в 2 раза ниже пробивного напряжения изоляции в исходном состоянии (при кратковременном приложении напряжения), но значительно больше рабочего напряжения изделия. По мере перехода от одной технологической операции к другой испытательное напряжение снижается.

В 1950 г. была введена в действие первая в нашей стране линия постоянного тока от Каширской ГРЭС до Москвы. Параметры первой электропередачи были довольно скромными: напряжение 200 кВ (±100 кВ), передаваемая мощность 30 МВт, длина линии 112 км. Для сооружения линии был использован одножильный алюминиевый кабель сечением 150 мм2 с бумажной изоляцией.

Линия электропередачи постоянного тока Волгоград—Донбасс (Михайловская подстанция) была запроектирована на параметры: напряжение 800 кВ (±400 кВ) и мощность передачи 750 МВт при длине передачи 473 км. Первая очередь этой линии на половину проектных параметров по напряжению и передаваемой мощности введена в эксплуатацию в 1962 г. Начиная

Испытательные устройства постоянного тока на напряжения до 1 MB и при токе около 100 мА, питающиеся от сети 50 Гц, могут быть построены на основе показанных на 3.4 и 3.6 однофазных одно- или двухполупериодных схем выпрямления с умножением напряжения. Если такие схемы выпрямления питать от источников повышенной частоты (500—2000 Гц), ток в цепи нагрузки может доходить до нескольких ампер при испытательном напряжении свыше 1 MB. Для устройств с напряжением до 2 MB и при токе до 2 А можно также использовать трехфазные схемы с умножением напряжения, питающиеся от сети 50 Гц; одна из таких схем показана в качестве примера на 5.30 [5.31]. Эта схема имеет следующие параметры:

Параметры ВЛ Напряжение UH0M, кВ

Параметры Напряжение ?/„„„, кВ

В табл. 2.2 приведены параметры некоторых диэлектриков, а в табл. 2.1 - условные графические изображения конденсаторов.

В табл. 1.2 приведены основные параметры некоторых машин общего назначения ЕС ЭВМ, выпускаемых промышленностью стран СЭВ [48, 49, 18, 45].

В табл. 8.1 приведены параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов, из которой видно, что эти материалы имеют домены с диаметрами порядка нескольких микрометров, что позволяет получить плотность размещения информации 105—10е бит/см2 и даже выше. Однако подвижность доменных границ этой группы материалов ниже, чем у ортоферритов.

Таблица 8.1 Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов

Параметры некоторых конденсатных насосов могут быть выбраны из табл. 1.2. Применяют обычно сальниковые насосы (т. е. насосы с протечкой). Насосы с напором более 100 м выполняются многоступенчатыми с односторонним расположением колес по схеме, аналогичной изображенной на 1.16.

Статические МН сохраняют запасенную энергию, находясь в неподвижном состоянии. Носителями потенциальной энергии в них служат упруго деформированные твердые тела или сжатые газы, находящиеся под избыточным давлением, а также массы, поднятые на высоту относительно земной поверхности. Типичными примерами статических МН являются: растянутые или сжатые пружины, резины; газобаллонные аккумуляторы и пневмоаккумуляторы; ударные устройства различных копров, например для забивания свай, использующие энергию масс в поднятом состоянии; водохранилища гидроаккумулирующих электростанций, баки водонапорных установок. Приведем основные энергетические соотношения и характерные параметры некоторых типовых устройств.

Приведем в качестве примеров основные параметры некоторых генераторов вертикального исполнения отечественного и зарубежного производства.

Полупроводниковые резисторы. В качестве пассивных элементов в электронных устройствах применяют также полупроводниковые резисторы. Параметры некоторых типов терморезисторов, варисторов и фоторезисторов приведены в табл. ПН.З —ПП.5.

Таблица 5.1 Основные параметры некоторых выпрямительных диодов

Т а б л и ц а 5.2 Основные параметры некоторых импульсных диодов

Таблица 5.3 Параметры некоторых детекторных диодов СВЧ диапазона [16,5]