Поглотителей нейтронов

Основным недостатком фотодиода является малый коэффициент усиления. Быстродействие его определяется процессами, связанными с разделением пары электрон— дырка, возникшей при поглощении излучения полем р — п-перехода.

Оптоэлектронные датчики — приборы, преобразующие различные физические воздействия (температуру, давление, влажность, ускорение, магнитное поле и др.) в электрические сигналы. Широкое распространение получили лазерные и светодиодные датчики влажности и загрязнения атмосферы. Их принцип действия основан на селективном поглощении излучения регистрируемыми

Быстродействие фотодиода. Быстродействие фотодиода определяется, с одной стороны, процессами разделения носителей, возникающих при поглощении излучения, полем р-п перехода, с другой стороны — емкостью р-п перехода. Разделение фотоносителей полем р-п перехода происходит после того, как соответствующий фотоноситель (дырка или электрон) из места возникновения (генерации) продиффун-дирует к р-п переходу. Время пролета носителей через р-п переход

При фоторезистивном эффекте происходит изменение электропроводности полупроводника под действием излучения. Темновая проводимость полупроводника при световом потоке Ф=0 и постоянной температуре определяется [см. (1.15)] соотношением ao = q(no\in+po\ip), где По, ро—' равновесные концентрации электронов и дырок; \лп, ЦР — их подвижности. При поглощении излучения в полупроводнике генерируются избыточные носители. При постоянных значениях светового потока Ф=5^0, подвижности и времени жизни носителей в полупроводнике наступает полное динамическое равновесие с концентрациями избыточных носителей Ал и Др. Проводимость полупроводника изменяется на величину

ном поглощении излучения в инфракрасной области

отдачи ящик приобретет некоторую скорость v и будет двигаться справа налево до тех пор, пока излучение не достигнет тела Б. При поглощении излучения ящик получит импульс, направленный слева направо, и остановится, так что в результате произойдет перемещение центра массы ящика О на некоторое расстояние х. Но это противоречит закону сохранения импульса, согласно которому при действии только внутренних сил центр массы должен оставаться неизменным. Для устранения этого противоречия имеется только единственный выход, а именно — заключить, что увеличение энергии тела Б сопровождается увеличением его массы и притом как раз таким, что положение центра массы О остается неизменным.

Теории механизмов фотопроводимости поликристаллических слоев условно можно разделить на три категории [14]: а —теория модуляции концентрации; б — теория модуляции барьер.ов; в — обобщенная теория. Наиболее простое объяснение фотопроводимости в этих слоях состоит в, том, что' при поглощении излучения возрастает концентрация носителей тока.

перную характеристику длинного диода запишем в общем виде как I=f(V). При поглощении излучения в базе через нее протекает фототок I$=o$(SIW) V—c\Q)V, где аф — фотопроводимость, определенная по (2.10), Ф-—интенсивность света, а с1=(7^р([х„тэп+[Хр'Сэр) (S/W) [обозначения те же, что и в (2.10)]. Общий ток через диод/=ДУ)+С1ФУ.

Так как цвет свечения фотолюминофора (ZnS, CdS • Си) отличается от цвета свечения катодолюминофора (ZnS-Ag), в момент возбуждения экрана электронным лучом видна яркая вспышка голубоватого цвета, а затем, после выключения (запирания) электронного луча, на экране длительное время наблюдается желтое свечение фотолюминофора. При растровом возбуждении двухслойного экрана цвет его свечения также заметно отличается от цвета свечения обоих люминофоров, хотя, как показывают измерения, доля яркости свечения катодолюминофора не превышает 5—7% от общей яркости экрана. Очевидно, наилучшие условия возбуждения фотолюминофора были бы при полном поглощении излучения катодолюминофора в слое фотолюминофора, но для этого потре-

Физическая природа рассматриваемого процесса заключается в поглощении излучения отдельными спектральными линиями, поэтому кратко рассмотрим вопрос об аналитическом представлении линий поглощения. Ширина спектральной линии определяется рядом факторов, как-то: радиационным затуханием, уширением линий за счет эффекта Допплера, возникающего при тепловом движении молекул, и за счет столкновений молекул.

Кроме стержневых поглотителей нейтронов для реакторов ВВЭР-440 и ВВЭР-1000 дополнительно используется жидкий поглотитель— раствор борной кислоты Н3ВО3, вводимый в воду реактора. (Атом бора имеет большое сечение поглощения нейтронов.) Борная кислота хорошо растворяется в воде, обладает низкой коррозионной способностью и достаточно легко выделяется из воды реактора на фильтрах спецводоочистки. При большой реактивности (начало работы реактора) концентрация борной кислоты в теплоносителе 8—13,5 г/кг, а по мере выгорания топлива она снижается за счет сорбции борной кислоты на очистной уста-

Технология воды, однако, не ограничена описанием нежелательных свойств воды. Она также включает использование ее свойств, чтобы достигнуть улучшения в конструкциях реакторов и повышения их эффективности, например использование растворов химических поглотителей нейтронов и смесей легкой и тяжелой воды для регулирования реактивности в энергетических реакторах с водой под давлением; использование воды как газа или суперкритической жидкости в высокотемпературных реакторах. Основные принципы технологии водного теплоносителя применимы ко всем типам водяных реакторов: промышленным, для испытаний и исследований, военным (военно-морским) и электростанциям. Каждой из этих областей применения свой-

циклом, и использование химических поглотителей нейтронов, регулирующих реактивность до высокого выгорания. Целостность оболочек, перенос активности, загрязнение системы и обработка отходов также являются предметами рассмотрения.

стн создается введением и извлечением различных поглотителей нейтронов: ней1 тральных (обычно это бор), полезных выгорающих, таких, как 238U или 2ИТЬ, а также подпиткой свежим делящимся нуклидом. Используются эти поглотители и вместе в определенной последовательности их действия.

В ядерно-чистом уране содержание нейтронно-активных примесей (бор, кадмий, редкоземельные элементы и др.) не должно превышать 10~5—10~6%, а таких умеренных поглотителей нейтронов, как железо, кремний, алюминий, ванадий и др.,— 10~3—10~4%. Чтобы обеспечить это условие, необходима очень высокая степень очистки исходного концентрата природного урана. Значения коэффициентов очистки* колеблются в пределах от 100 до 1000. Их можно обеспечить только при очень большой селективности процессов очистки и применении чистых реагентов.

стн создается введением и извлечением различных поглотителей нейтронов: ней1 тральных (обычно это бор), полезных выгорающих, таких, как 238U или 2ИТЬ, а также подпиткой свежим делящимся нуклидом. Используются эти поглотители и вместе в определенной последовательности их действия.

В ядерно-чистом уране содержание нейтронно-активных приме-ей (бор, кадмий, редкоземельные элементы и др.) не должно пре-ышать 10~5—10~6%, а таких умеренных поглотителей нейтронов, ак железо, кремний, алюминий, ванадий и др.,— 10~3—10~4%. 1тобы обеспечить это условие, необходима очень высокая степень чистки исходного концентрата природного урана. Значения коэффициентов очистки* колеблются в пределах от 100 до 1000. Их южно обеспечить только при очень большой селективности про-[ессов очистки и применении чистых реагентов.

Роль радиоактивного распада станозится особенно заметной при быстром, например аварийном, останове реактора. После введения в активную зону аварийных стержней — поглотителей нейтронов — интенсивность делений снижается почти скачком, а затем по истечении 2—3 мин постепенно спад интенсивности приближается

Q0 — тепловыделение до погружения поглотителей нейтронов; Q\ — тепловыделение после погружения

поглотителей нейтронов; Q2 — компонент тепловыделения, не связанный с радиоактивностью; бз — компонент тепловыделения, связанный с радиоактивностью; т — время от момента погружения поглотителей нейтронов

Роль радиоактивного распада становится особенно заметной при быстром, например аварийном, останове реактора. После введения в активную зону аварийных стержней — поглотителей нейтронов — интенсивность делений снижается почти скачком, а затем по истечении 2—3 мин постепенно спад интенсивности приближается



Похожие определения:
Подлежащих изготовлению
Подобрать сопротивление
Параметры импульсов
Подстанций необходимо
Подстанциях напряжением
Подстанции электрическая
Подстанции применяются

Яндекс.Метрика