Поглощения излучения

значений: a>cl=^/$ng/A0 для Л0<0,3 мм и юс2 = Р«?/^о Ддя К0<0,8м/с, где « — перегрузка; g —ускорение силы тяжести. Уменьшения Р можно добиться, вводя в плату слои из вибро-поглощающего материала. Требуемое значение Р для ячейки того или иного типа при заданных параметрах внешних вибраций удобно определить по номограмме 5.24. Ломаные линии, образующие семейство графиков для различных коэффициентов виброизоляции платы (ячейки), получены расчетным путем по приведенным формулам для Л0<0,3мм и F0< 800 мм/с, причем левые части ломаных линий соответствуют первому условию, а правые (более пологие) — второму. В точке излома выполняются оба условия одновременно. Таким образом, область, ограниченная кривой графика сверху и осью абсцисс, является областью нормального обеспечения вибропрочности. Ступенчатая штриховая линия отображает заданные параметры внешних вибраций (перегрузки в определенных диапазонах частот). После oпpeдeJ ления собственной частоты платы необходимо из расчетной точки восстановить перпендикуляр к оси частот и сравнить перегрузки на этой частоте для внешних вибраций (ступенчатая кривая) и допустимую перегрузку плат (ломаная кривая с выбранным значением Р). Если первый уровень перегрузок выше второго, то на семействе ломаных кривых надо выбрать такую

Корпус модуля СВЧ обычно выполняется коробчатой формы (см. 7.19 и 7.20) и имеет крышку с одной или двух сторон. Герметизация осуществляется паяным швом или резиновыми прокладками (см. гл. 4). Высота от подложки до крышки модуля ( 7.25) выбирается из соображений предотвращения распространения волн высших типов, а также с учетом высоты навесных элементов (транзисторов, диодов, ИС, конденсаторов, постоянных магнитов, подмагничивающих катушек и т. д.) и различных переходных устройств. Для исключения распространения волн высших типов необходимо соблюдать условие (Я — /2ш,)/Апл>5 (до 10) для подложек из поликора (см. 7.25). Иногда для исключения распространения высших типов волн на внутреннюю сторону крышки наносят слой поглощающего материала или изменяют конфигурацию поля с помощью настроечного винта, ввернутого в экспериментально определенное место в экране. С этой же целью размеры любой стороны корпуса, в котором установлены не разделенные экраном подложки, не должны быть более половины самой короткой резонансной длины волны.

Дверца в рабочей камере, служащая для загрузки и выгрузки нагреваемых изделий, должна быть снабжена специальными устройствами, препятствующими СВЧ-излучению. Так как всякая прорезь в стенке резонатора, прерывающая путь тока, является источником излучения, то дверца рабочей камеры должна иметь по всему периметру надежный электрический контакт из кнопок или пластинчатых пружин. Дальнейшее ослабление излучения достигается путем использования четвертьволновых дросселей и прокладок из поглощающего материала. В дверце может быть расположено окно из металлизированного стекла.

Поглощающие покрытия должны удовлетворять двум условиям: 1) необходимо, чтобы отсутствовало отражение энергии от внешней поверхности покрытия; 2) энергия радиоволн, проникающая внутрь покрытия, должна в нем полностью поглощаться. Выполнение этих условий достигается соответствующим подбором диэлектрической и магнитной проницаемостей поглощающего материала.

пов в местах переходов и неоднородностей, в местах подключений шлейфов и микрополосковых резонаторов и др. Кроме того, при больших коэффициентах стоячих волн по напряжению (КСВН) и при преобразовании одного типа волны в другой может возникать паразитное излучение неэкранируемых микрополосковых линий передач. В некоторых случаях нежелательные резонансы могут быть устранены за счет применения поглощающего материала. Ряд резонансов можно свести к минимуму за счет уменьшения расстояния между подложкой и экраном; при этом экран нельзя располагать так близко, чтобы он влиял на распределение поля в схеме. Предотвращение паразитных резонансов в конкретном частотном диапазоне обеспечивается соответствующим выбором размеров корпуса и расчетом.

Металлические корпуса обеспечивают экранирование СВЧ-мо-дулей от внешних электромагнитных полей. Однако при этом часто наблюдается нарушение формы частотных характеристик, проявляющееся в виде пиков потерь или фазовых искажений. Эти искажения объясняются возникновением колебаний высших типов в местах переходов и неоднородностей, в местах подключений шлейфов и микрополосковых резонаторов и др. Кроме того, при больших коэффициентах стоячих волн (К.СВН) и при преобразовании одного типа волн в другой может возникать паразитное излучение неэкранируемых микрополосковых линий передач. В некоторых случаях нежелательные резонансы могут быть устранены за счет применения поглощающего материала. Ряд резонансов можно свести к минимуму за счет уменьшения расстояния между подложкой и экраном; при этом экран нельзя располагать так близко, чтобы он влиял на распределение поля в схеме. Предотвращение паразитных резонансов в конкретном частотном диапазоне обеспечивается соответствующим выбором размеров корпуса и расчетом.

ема нависает над микрополосковым проводником и соединяется с ним с помощью пайки индиевым припоем либо сварки. Компактный низкоиндуктивный контакт с заземленной пластиной формируется с помощью широкой золотой ленты, которая приваривается к подложке и прижимается к боковой стенке. Характеристики такого перехода можно оценить с помощью оконечной нагрузки микро-лолосковой линии, Состоящей из секции магнитного поглощающего материала и металлического клина, который соединен с верхней крышкой корпуса миниатюрными пружинами.

Соответствующим выбором поглощающего материала, длины и угла ленты КСВН оконечной нагрузки может быть уменьшен до 1,1 в полосе частот 8—10 ГГц. Для разделения отражения от перехода и нагрузки последняя сделана скользящей вдоль микрополо-сковой линии. Эго позволило экспериментально оптимизировать

12. Если образен материала поместить в реактор, то ядра этого образца будут поглощать нейтроны с образованием новых ядер, как правило, радиоактивных. Если n(v) — поток нейтронов, ca(v) — сечение поглощения нейтронов ядрами, N — число ядер поглощающего материала, то скорость получения новых ядер определяется следующим образом:

В реакторах ВВЭР-440 применяются исполнительные органы унифицированного типа, выполняющие все три функции (компенсации, регулирования и защиты). Они изготовлены в виде топливных ТВС с насадкой из поглощающего материала (бори-стая сталь) в верхней части. Всего в реакторе (в зависимости от модификации) находится 37 или 73 регулирующих кассеты. Они объединены в 12 групп по 3 или 6 кассеты в каждой. Оператор, как правило, управляет сразу всеми кассетами, входящими в группу. Имеется возможность индивидуального управления кассетами. Средняя эффективность одной кассеты (т. е. изменение реактивности при ее полном перемещении) около 0,4%.

шаровыми, блочными твэла-ми), по наличию поглощающего материала и твердого замедлителя, по размещению топлива (с профилированием по содержанию делящегося материала по длине твэла и по сечению сборки и без профилирования).

1. Фоторезисторы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на использовании фоторезистивного эффекта (внутреннего фотоэффекта), т. е. изменения электрического сопротивления полупроводника в результате поглощения излучения.

2. Полупроводниковые фотоэлементы (фотогальванические элементы) — полупроводниковые приборы, действие которых основано на использовании фотогальванического эффекта, т. е. возникновения в результате поглощения излучения фото-э. д. с. между двумя разнородными полупроводниками или между полупроводником и металлом, разделенными электрическим переходом. Полупроводниковые фотоэлементы непосредственно преобразуют энергию излучения в электрическую без потребления энергии от источников питания. В зависимости от количества р—п-переходов они разделяются на две основные подгруппы. К первой относятся фотодиоды — приборы с одним р—«-переходом, обратный ток которого зависит от его освещенности. Ко второй — фототранзисторы — трехслойные полупроводниковые приборы с двумя р-п-пере-ходами, обладающие-свойствами усиления фототока при воздействии оптического излучения.

Вольт-фарадные методы измерения параметрои полупроводников основаны на определении зависимости емкости структуры, обусловленной наличием объемного заряда в приповерхностной области полупроводника, от приложенного к ней напряжения. Одновременно на структуру могут оказывать влияние другие факторы, которые могут варьироваться при измерениях. К ним относятся воздействие на структуру внешнего фотоактивного излучения и ее нагревание по определенному закону. В первом случае емкость, возникающую за счет поглощения излучения, называют фотоемкостью, а во втором — термостимулированной емкостью.

При выращивании твердых растворов этого типа используют в качестве донорной лигатуры гидриды H2S или H2Se, а акцепторной — чаще всего пары Zn. Для смещения максимума спектральной характеристики излучателей на базе GaASjjPj-j в коротковолновую область применяют изоэлект-ронное легирование азотом из аммиака NH3. Хотя излучающий переход может быть изготовлен непосредственно в процессе эпитаксии твердого раствора, в большинстве случаев р-область формируют диффузией цинка. Это объясняется тем, что мелкие переходы (1—2 мкм) можно получить при диффузионном легировании. Это уменьшает эффект самопоглощения излучения р-слоем.

В целях увеличения внешнего квантового выхода приборов за счет уменьшения поглощения излучения в качестве подложки применяют пластины фосфида галлия с выводом излучения через подложку. Фосфид галлия более прозрачен для красного излучения по сравнению с арсенидом галлия.

Преимущества пирометров спектрального отношения сказываются в условиях неселективного поглощения излучения промежуточной средой, в условиях частичного перекрытия поля зрения пирометра. При измерении температуры в условиях кратковременных помех более интенсивного излучения, например раскаленных пылинок сажи, лучше использовать пирометры полного излучения с инерционными приемниками, производящими как бы интегрирование входящей информации, либо пирометры частичного излучения с интегрированием входного сигнала.

Преимущества пирометров спектрального отношения сказываются в условиях неселективного поглощения излучения промежуточной средой, в условиях частичного перекрытия поля зрения пирометра. При измерении температуры в условиях кратковременных помех более интенсивного излучения, например раскаленных пылинок сажи, лучше использовать пирометры полного излучения с инерционными приемниками, производящими как бы интегрирование входящей информации, либо пирометры частичного излучения с интегрированием входного сигнала.

где х-- коэффициент поглощения излучения газом; 0 (х) телесный угол, под которым виден катод из точки х; g (х) •— отношение числа фотонов, достигающих поверхности катода по всем возможным направ-

10-2. Процесс поглощения излучения в слое негативного фоторезиста.

где 1/Хо — коэффициент поглощения излучения в активной среде; 2рез — длина оптического резонатора; k{, k2 — коэффициенты отражения зеркал резонатора.

Типичная спектральная характеристика фотоприемника изображена на 5.39. Длинноволновая граница спектра ЯГР определяет максимальную длину волны падающего на фотоприемник излучения; коротковолновая граница Кк обусловлена возрастанием поглощения излучения в пассивных областях структуры при уменьшении длины волны.