Подзатворный диэлектрик

Ток КЗ в сети постоянного тока состоит из составляющих тока КЗ от аккумуляторной батареи и от выпрямительных, зарядных и подзарядных агрегатов. Точный метод расчета токов КЗ в настоящее время разрабатывается. Ниже приводится метод расчета токов КЗ в сети постоянного тока от свинцово-кислотных аккумуляторов, применяемый ГПИ «Теплоэлектропроект».

На тепловых электростанциях на случай полной, длительной (более 30 мин) потери напряжения промышленной частоты, связанной с авариями на электростанции или системными авариями, предусматривается, кроме указанного выше, надежное питание от неблочной части станции (если она имеется), от ближайших электростанций или от аварийных дизель-генераторных или газотурбогенераторных установок следующих потребителей: электродвигателей ва-лоповоротных устройств, подзарядных агрегатов аккумуляторных батарей, аппаратуры контрольно-измерительных приборов, аварийного освещения.

В большинстве электроустановок экономически оправдано применение двух агрегатов — зарядного (значительной мощности) и подзарядного (небольшой мощности), рассчитанного только на подзаряд батареи и питание постоянной нагрузки. В качестве зарядных и подзарядных агрегатов обычно применяют генераторы постоянного тока с самовозбуждением.

В качестве зарядных и подзарядных агрегатов преимущественно применяются статические преобразователи с кремниевыми вентилями, которые обладают значительной мощностью, высокой надежностью, имеют более высокий КПД, чем двигатель-генератор, проще в обслуживании и долговечнее. Статические преобразователи присоединяются к сети переменного тока через разделительные трансформаторы, так как электрическая связь сетей постоянного и переменного тока может привести к опасным повы-

На КС вместо машинных зарядных и подзарядных агрегатов применяются полупроводниковые зарядные устройства типа ВАЗП-380/260-40/80.

На тепловых электростанциях на случай полной, длительной (более 30 мин) потери напряжения промышленной частоты, связанной с авариями на электростанции или системными авариями, предусматривается, кроме указанного выше, надежное питание от неблочной части станции (если она имеется), от ближайших электростанций или от аварийных дизель-генераторных или газотурбогенераторных установок следующих потребителей: электродвигателей ва-лоповоротных устройств, подзарядных агрегатов аккумуляторных батарей, аппаратуры контрольно-измерительных приборов, аварийного освещения.

В большинстве электроустановок экономически оправдано применение двух агрегатов — зарядного (значительной мощности) и подзарядного (небольшой мощности), рассчитанного только на подзаряд батареи и питание постоянной нагрузки. В качестве зарядных и подзарядных агрегатов обычно применяют генераторы постоянного тока с самовозбуждением.

Для дублирования питания ответственных потребителей постоянного тока и улучшения условий эксплуатации каждая система шин щита постоянного тока разделена на две секции, связанные между собой рубильниками. В качестве зарядно-подзарядных агрегатов применены стабилизированные выпрямительные агрегаты VI, V2 (один рабочий, другой резервный).

Выбор зарядно-подзарядных агрегатов.

Регулируемое (балластное) сопротивление СР служит для обеспечения одинакового заряда, подзаряда и разряда как основных (я=100 и 108), так и дополнительных (при rt == 120, 128, 140) элементов. В качестве зарядно-подзарядных агрегатов применены стабилизированные выпрямительные агрегаты (1ВУ, 2ВУ)\ один — рабочий, второй — резервный.

Станции на органическом топливе, работающие даже на сверхкритических параметрах пара, по сравнению с атомными электростанциями имеют то преимущество, что блок может быть аварийно остановлен без мощных механизмов с электродвигателями 6 кВ. При таком останове на случай длительного (более 30 мин) аварийного обесточивания необходимо обеспечить надежное электроснабжение ответственных электродвигателей 0,4 кВ, от которых зависит сохранность и готовность к пуску оборудования блоков: валоповоротных устройств, аварийного освещения, контрольно-измерительной аппаратуры, подзарядных агрегатов аккумуляторных батарей, маслонасосов систем смазки, систем регулирования и систем уплотнения вала генераторов.

Подзатворный диэлектрик

РПЗУ МДП-транзистор с захватом заряда Подзатворный диэлектрик Лавинная инжекция Электрический, излучением

каналом л-типа: а - при UC]/[ = 0, С/зи < < U3M пор б - при ис\л = ~ °- U3V\ -> L>3M, пор. в -при ис\л >0. изи>и3и пор,' 1 — подложка р-типа, 2 — слой оксида кремния, 3, 7 — р-п- переходы исток — подложка, сток - подложка, 4, 8 — п -области истока и стока, 5 — электрод затвора, 6 - подзатворный диэлектрик, 9 - индуцированный канал

с встроенным каналом п-типа: 1 — подложка р-типа, 2 — спой оксида кремния, 3, 8 — /^-области истока и стока, 4 — р-п-переход, 5 — электрод затвора, 6 — подзатворный диэлектрик, 7 — встроенный канал п-типа

держит затвор 5, подзатворный диэлектрик 4, подзатвор-ную область 6 р-типа, а также части истоковой 2 и стоковой 8 областей п+-типа, лежащие за пределами омических контактов к ним; обедненные слои р-тг-переходов исток — подложка и сток — подложка заштрихованы. Поверхностный потенциал ( 5.3,6) отсчитывается относительно потенциала в глубине подложки, где нет электрического поля (см. § 1.9); для простоты предполагается, что поверхностный заряд и контактная разность потенциалов затвор — подложка равны нулю, т. е. равно нулю напряжение нейтрализации (2.25).

некоторые ТПТ с целью исследования основных свойств материала a-Si изготавливаются на подложках из кристаллического кремния [14, 15], который не пригоден для интеграции. В подавляющем большинстве описанных ТПТ во избежание ухудшения свойств пленок a-Si они осаждались на подзатворный диэлектрик. Ухудшение свойств, в основном, обусловлено выделением водорода из пленок a-Si, которое ускоряется при высоких температурах, используемых для осаждения и отжига подзатворного диэлектрика.

Слои a-Si. Для получения a-Si-ТПТ с высокими характеристиками очень важно иметь слои a-Si и подзатворного диэлектрика улучшенного качества. ТПТ были изготовлены, главным образом, на основе гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si : Н), а в некоторых случаях на основе a-Si : !•' 16] или a-Si . И F. Только слой a-Si : F, нанесенный реактивным распылением, проявил хорошую стабильность к действию высоких температур, вплоть до 600 °С [ 161. Пленки a-Si : Н осаждались в ВЧ тлеющем разряде (ВЧТР), тлеющем разряде постоянного тока (ТРПТ) или дуговом разряде постоянного тока (ДРПТ). При осаждении в ТРПТ подзатворный диэлектрик деградирует из-за проколов, являющихся результатом разряда при осаждении [17]. Транзисторы a-Si-ТПТ, полученные в дуговом разряде, обладают лучшими характеристиками, чем транзисторы, полученные в тлеющем разряде. При дуговом разряде малой мощности в одном процессе можно получать много образцов. На основании данных по фотопроводимости вплоть до!0~2 См/см предполагается, что свойства a-Si, полученного в дуговом разряде, будут фактически такими же, как свойства a-Si,полученного в тлеющем разряде.

Как показано в разделе 6.1.2, плотность состояний в запрещенной зоне a-Si, особенно у границ зоны (хвосты состояний) около порога подвижности, в значительной степени влияет на статические характеристики a-Si-ТПТ. Статические характеристики также зависят от поверхностных состояний на границе раздела слой a-Si/подзатворный диэлектрик. Описание плотности состояний в запрещенной зоне пленки a-Si и плотности поверхностных состояний очень важно для улучшения характеристик ТПТ. Однако имеется несколько сообщений, в которых эти плотности состояний и их распределение вычислялись раздельно, что затрудняет оценку изменения характеристик ТПТ. В работе [15] сделана попытка оценить верхние пределы общей плотности состояний. Получены значения 3 • 1016 см~3 • эВ"1 для плотности состояний в запрещенной зоне в a-Si и 5 • 1011 см"2 • эВ"1 для плотности поверхностных состояний.

щая a-Si-ТПТ со ступенчатым расположением электродов (длина канала 40 мкм, ширина 500 мкм, S-N-подзатворный диэлектрик получен плазменным химическим осаждением). По причине большой нагрузочной емкости 10 пФ время топ, необходимое для насыщения потенциала V через конденсатор С„, составляло > 200 мкс. Панель с мерцающими нематическими жидкими кристаллами работала при напряжении на затворе 15 В. Было достигнуто 250 линий на дисплей при времени кадра 25 мс. В принципе возможно сканирование 1000 линий на дисплей.

Тонкопленочные полевые транзисторы с МОП-структурой были изготовлены на основе поликристаллических пленок кремния толщиной ~ 0,3- 1,0 мк!^. Подзатворный диэлектрик толщиной 4800 А был нанесен методом химического осаждения при 400 °С. Области стока и истока были созданы путем имплантации и последующего отжига. Затворный электрод и контакты были созданы напылением алюминия.

Такие характеристики ТПТ, как VT, y.FE и время отклика, сильно зависят не только от свойств поликристаллического кремния, но и от свойств подзатворного диэлектрика. Мисуми и др. [28] сообщили о создании ТПТ с компланарной структурой на основе поликристаллического кремния, нанесенного в ультравысоком вакууме. Они обнаружили, что двухслойный подзатворный диэлектрик, состоящий из плаз-менно- осажденного Si02 и А1203, является вполне удовлетворительным с точки зрения и характеристик, и стабильности ТПТ.