Подкоренное выражение

Схема внутри камер но го устройства термовакуумного напыления приведена на 2.9. Стационарная и съемная оснастки подколпачного устройства периодически очищаются от наслоений предыдущих напылений. Навески напыляемого вещества обезжириваются, травятся для удаления оксидных пленок и загрязнений. Непосредственно перед напылением производятся отжиг испарителей и навесок и очистка подложек. После этого ведут напыление на подложки различных материалов, поворачивая карусель с подложками на соответствующие позиции над испарителями.

Одна из первых моделей многопозиционных карусельных напы-лительных установок показана на 12-3. Она предназначена для изготовления многослойных структур. Управление технологическим процессом осуществляется автоматически от пульта управления. Установка ( 12-3) состоит из следующих основных частей: подколпачного устройства /, рабочей камеры 2, рамы 3, испарите-телей 4 и 5, вакуумного агрегата 6 (АВТО-20М), механического насоса 7 (ВН-2М-Г), вакуумной коммуникации и арматуры. В конструкцию вакуумного агрегата АВТО-20М входит сорбционный титановый насос СТОН-20М, используемый для безмасляной откачки до остаточного давления газов 10~i2 Па.

а — общий вид установки: / — подколпачвое устройство; 2 — рабочая камера; 3 — рама; 4, 5 — испарители; 5 — вакуумный агрегат АВТО-20М; 7 — механический вакуумный насос ВН-20М; 8 — вакуумная коммуникация и арматур»; в — кинематическая схема подколпачного устройства: / — карусель маскодержателей; 2 — иаскя; 3 — стойка; 4—8, 12, 20 — электродвигатели; 5 —

На основании подколпачного устройства в. Диаметрально противоположных точках установлены два испарителя. Типы испарителей выбираются в зависимости от конкретных технологических требований (пятипозиционный электронно-лучевой и тигельный).

Перемещение подложек, масок и смена напыляемого материала осуществляются механизмами подколпачного устройства. Подложки из кассеты (вмещающей 33 подложки) поочередно попадают с помощью механизма транспортировки на позиции напыления. Карусельное устройство, снабженное шестью- различными масками, дает возможность производить напыление слоев на подложку из любого испарителя и в любой последовательности. Подложка, прошедшая полный технологический цикл, возвращается в кассету и вместе с ней перемещается на один шаг.

Работа" механизмов подколпачного устройства поясняется кинематической схемой ( 12-3,6). Диск-маскодержатель /, представляющий собой зубчатый венец с шестью масками 2, совершает вращательное и возвратно-поступательное движение относительно стойки 3. Вращательное движение диск получает от электродвигателя 4 через сильфонный ввод вращения 5 и ведущую шестерню 6, которая входит н зацепление с .зубчатым венцом диска. Через одну шестую часть оборота диск-маскодержатель останавливается фиксатором 7. Возвратно-поступательное движение диск получает от электродвигателя 8 через сильфонный узел 9 и рычажную систему 10. При этом, не выходя из зацепления с ведущей шестерней, диск занимает относительно сектора // три положения: верхнее — режим совмещения (диск прижимается к сектору с подложкой, происходит совмещение подложки с маской в позициях напыления А и Б); точность совмещения не хуже 50 мкм; среднее — режим зацепления (диск с масками движется совместно с сектором, происходит перемещение подложек с одной позиции на другую); нижнее — режим смены маски (диск с масками вращается незави-мо от перемещения сектора с подложкой). В сектор.// напыляемая подложка 12 попадает- из кассеты 13 с помощью рычага 14, приводимого в движение через рычажную систему 15 и сильфонный узел 16 от электродвигателя 17. Подложка захватывается защелкой 18 рычага и перемещается из кассеты в направляющие сектора 19. От электродвигателя 20 через сильфонный узел 21_ и храповой механизм осуществляется подъем кассеты на один шаг и очередная подложка выводится в исходное положение. Очередность технологического цикла напыления на подложку определяется нумератором на пульте управления. Процесс напыления прекращается, когда поток напыляемого материала перекрывается электромагнитной заслонкой.

К основным элементам подколпачного устройства относятся: испарители, маски, подложки, подложкодержа-тели и маскодержатели, нагреватели подложек, заслонки.

К установкам этого типа относится установка УВН-2М-2, упрощенная схема подколпачного устройства которой представлена на 2.34. В данном случае карусель подложек и масок имеет 8 позиций и может непрерывно вращаться со скоростью 40—150 об/мин. Это обеспечивает идентичность свойств пленки на всех подложках. На базовой плите смонтирована 5-позиционная карусель резистивных испарителей таким образом, что питание подается только на тот испаритель, который выведен на рабочую позицию.

Примером установки данного типа является установка УВН-2М-1, схема подколпачного устройства которой изображена на 2.35. Подложки располагаются на 6-позиционной-карусели, маски— на 6-позиционном не-

Источниками газовыделения являются десорбция газа с поверхности элементов подколпачного устройства и течи, через которые газ проникает извне.

^Оборудование для распыления ионной бомбардировкой. На 2.47 представлена схема подколпачного устройства установки УВН-62П-1, предназначенной для промышленного получения танталовых пленок методом катодного распыления (по двухэлектродной схеме).

Область низких частот. Задается неравенством 0<я< < У~%, т. е. 0<(о<озс, где (ос = 2/ У LC — частота среза фильтра. Подкоренное выражение в (5.90) положительно; аргумент логарифма представляет собой комплексное число с единичным модулем. Так как, по определению, lnz = lnz+/argz, то, очевидно, в области низких частот, называемой областью прозрачности, а = 0, т. е. фильтр не вносит ослабления.

Здесь Ро — коэффициент фазы той же линии в предположении отсутствия потерь. Подкоренное выражение в формуле (1.47) мало отличается от единицы, поэтому целесообразно разложить радикал в степенной ряд вида

Сравнивая это общее соотношение с формулой (3.14), которая относится к случаю идеализированной линии передачи без потерь, отмечаем наличие растущего экспоненциального множителя перед знаком корня, что говорит о возрастании амплитуды падающей волны -в направлении от нагрузки к генератору. Кроме того, следует учесть, что на достаточно больших расстояниях от нагрузки, т. е. при а/^>1, подкоренное выражение в (3.29) стремится к единице и поэтому осцилляции результирующей ам<пли-туды будут затухать. Причина этого явления заключается в том, что волна, отраженная от нагрузки, экспоненциально уменьшает свою амплитуду, двигаясь к генератору, так что в конце концов эффект интерференции волн исчезнет.

Максимальное значение А = Ат получается, когда подкоренное выражение равно нулю, т. е.

Выражение (3.46) представляет собой запись ЛАЧХ. При низких и средних частотах коэффициент усиления ОУ равен 201§^иоуо, т. е. ЛАЧХ представляет собой прямую линию, параллельную оси частот. С повышением частоты Киоу начнет уменьшаться за счет влияния второго члена в правой части (3.46). С некоторым приближением можно считать, что на высоких частотах спад Киоу происходит со скоростью 20 дБ/дек, т. е. возрастание частоты в 10 раз приводит к уменьшению Ки оу на 20 дБ. Действительно, при <в»сов можно упростить подкоренное выражение в правой, части (3.46). При этом получим

Исследуем выражение модуля проводимости передачи. Частота (обобщенная расстройка) входит только в подкоренное выражение знаменателя. Приравняв нулю производную:

Величину емкости Сб выбирают так, чтобы подкоренное выражение в знаменателе (VI.59) составляло 1,2. При этом /С будет отличаться от Ктах на 10%. Дальнейшее увеличение Сб нецелесообразно, так как для небольшого роста /( она должна непомерно возрасти.

Умножив и разделив подкоренное выражение в (3.78) на (3.79), получим

Предполагая, что характеристика датчика достаточно точно описывается коренной зависимостью (25-2) частоты от зазора и зная показатель п, можно непосредственно рассчитать погрешность от нелинейности унл. Для этого подкоренное выражение в формуле (25-2) разлагается в ряд по степеням измеряемого приращения за-зсра: _____

Случай равных корней. В этом случае подкоренное выражение равно нулю:

13-28. При однополупериоднем выпрямлении подкоренное выражение в формуле действующего значения сину-