Подключении обратного

Различают несколько характерных режимов работы асинхронного двигателя: номинальный режим, соответствующий номинальному скольжению ротора s = SHOM при номинальном напряжении U\ = ^1ном и токе /1 =^1ном питающей сети; рабочий режим, при котором напряжение питающей сети близко к номинальному значению или равно ему, U * УНОМ, а нагрузка двигателя определяется тормозным моментом на валу при скольженииз ^SHOM и токе It =/,ном; режим пуска двигателя в ход, возникающий при подключении напряжения питающей сети и неподвижном роторе s = 1.

Различают несколько характерных режимов работы асинхронного двигателя: номинальный режим, соответствующий номинальному скольжению ротора s =SHOM при номинальном напряжении U\ = ^,ном и токе /1 = / питающей сети; рабочий режим, при котором напряжение питающей сети близко к номинальному значению или равно ему, t/j * ^ном» а нагрузка двигателя определяется тормозным моментом на валу при скольжении s
Различают несколько характерных режимов работы асинхронного двигателя: номинальный режим, соответствующий номинальному скольжению ротора s =SHOM при номинальном напряжении Ut = U ы и токе /, = ^1ном питающей сети; рабочий режим, при котором напряжение питающей сети близко к номинальному значению или равно ему, U «» U а нагрузка двигателя определяется тормозным моментом на валу при скольжениих
Переключение информационных и управляющих шин, шин питания должно выполняться коммутаторами, входящими в состав каждого блока матрицы. Отключение неисправных блоков и создание необходимых для решения определенной задачи информационных каналов (настройка микросистемы) могут осуществляться под воздействием информационных сигналов и сигналов управления, передаваемых к каждому блоку от соседних в матрице блоков или с внешних контактных площадок субсистемы. Если для настройки внутренних блоков микросистемы используются сигналы, поступающие только от соседних блоков (внешние блоки могут получать сигналы с внешних контактных площадок, то на устройство управления блоками возлагаются функции диагностики. При подключении напряжения источников питания необходимо каждый раз выполнять настройку.

эмиттеры, соединенные с общей (нулевой) точкой через резисторы R1 и R2. При подключении напряжения источника питания происходит самопроизвольное переключение триггера в одно из устойчивых состояний равновесия, при котором один из транзисторов (например VT1) будет открыт, а другой (VT2) заперт. Если одновременно на нижние и верхние эмиттеры по линиям «выборка X» и «выборка У» приходит сигнал разрешения чтения и подаются положительные напряжения логической 1, то ток из нижних и средних эмиттеров переключается на верхние и ток открытого транзистора (в данном случае VT1) начинает проходить через соответствующий резистор R1 (или R2), создавая на нем падение напряжения, которое отображает логическую 1. Поскольку второй транзистор (в данном случае VT2) заперт и ток через него не проходит, нет и падения напряжения на резисторе R2, т. е. на линии данных (в точке В) действует напряжение логического 0. Если необходимо провести запись в триггер, переключив, например, транзистор VT1 в запертое состояние, то, одновременно

При подключении напряжения ывх ток / нарастает по экспоненциальному закону и достигает тока срабатывания через некоторое время, обычно равное сотым долям секунды. Это время примерно равно времени срабатывания реле (для точности следует еще учесть время движения якоря).

Рассмотрим работу потенциального триггера. Предположим, что входной сигнал отсутствует, а характеристики двух полови!- схемы абсолютно одинаковые. При подключении напряжения отрицательного смещения С/см обе лампы заперты. Если теперь подать анодное напряжение Еа, то на обоих выходах появятся напряжения, равные (с/ВЫх i = t/вых 2 = fa), приложенные через сопротивления Яос к сеткам ламп и компенсирующие напряжение L/CM. Лампы начнут открываться, через них пройдут анодные токи, создавая падение напряжения на Ra\ и Raz. Выходные напряжения (7ВЫХ =Еа — Ra\Ial И L/вых 1~Еа — Rallal уМСНЬ'

При подключении напряжения и1 по МС начинает проходить переменный поток. Часть этого потока сцепляется с экранирующим витком и индуцирует в нем ток /эк = ЕЭК17^^, где 1ик, Еяк — действующие значения тока и ЭДС в витке, a Z3.3X — его полное электрическое сопротивление. МДС, создаваемая током /„„, направлена так, чтобы уменьшить поток Фэк, сцепленный с витком. Таким образом, коротко-замкнутый виток можно интерпретировать как дополнительное магнитное сопротивление на пути потока в том участке МС, который охватывает виток. Тогда МДС витка /а„ЛГак (NaK — число витков ко-роткозамкнутой обмотки; для одного витка NaK --= 1) можно заменить падением магнитного потенциала на эквивалентном магнитном сопротивлении ZM.3K, т. е. — 4к#эк=2„.эк Фэк.

ном представлении вольт-амперной характеристики диода ( 3.39, б) в виде ломаной линии, можно считать, что в отсутствие подаваемого на вход вольтметра напряжения Ux, ток через диод не протекает. При подключении напряжения Ux = Um sin at и подаче отрицательного напряжения смещения (компенсационного) UK можно отрегулировать последнее так, чтобы ток через диод исчез. Тогда можно считать, что U'т — t/K,

отрицательногонапряжения С/си и соответствующим возрастанием продольного электрического пбля в канале. Отклонение от линейного закона объясняется изменением сопротивления канала вследствие уменьшения его поперечного сечения по мере удаления от истокового конца. При подключении напряжения — С/си Р-П переход на границе сток— подложка оказывается под обратным напряжением (f/пи = 0), в то время как на р-п переходе у границы исток — подложка напряжение по-прежнему равно нулю. Запирающий слой у стокового перехода расширяется, увеличивается положительный объемный заряд ионов доноров в подложке, и дырки частично выталкиваются из канала у его стокового конца. Канал в этой области сужается ( 13-13, а). При напряжении С/си = \Ucsi нас объемный положительный заряд еще больше увеличивается и канал у стокового конца стягивается в узкую полоску ( 13-13, б). Наступает режим насыщения, характеризуемый очень слабой зависимостью тока /с от напряжения С/си! (пологие участки стоковых характеристик). С дальнейшим увеличением напряжения С/си начало «горловины» канала смещается к истоковому концу ( 13-13, в); сопротивление канала еще более увеличивается. Сопротивление канала растет не строго пропорционально увеличению' напряжения С/си , что и обусловливает некоторое возрастание тока /о

отрицательногонапряжения С/си и соответствующим возрастанием продольного электрического пбля в канале. Отклонение от линейного закона объясняется изменением сопротивления канала вследствие уменьшения его поперечного сечения по мере удаления от истокового конца. При подключении напряжения — С/си Р-П переход на границе сток— подложка оказывается под обратным напряжением (f/пи = 0), в то время как на р-п переходе у границы исток — подложка напряжение по-прежнему равно нулю. Запирающий слой у стокового перехода расширяется, увеличивается положительный объемный заряд ионов доноров в подложке, и дырки частично выталкиваются из канала у его стокового конца. Канал в этой области сужается ( 13-13, а). При напряжении С/си = \Ucsi нас объемный положительный заряд еще больше увеличивается и канал у стокового конца стягивается в узкую полоску ( 13-13, б). Наступает режим насыщения, характеризуемый очень слабой зависимостью тока /с от напряжения С/си! (пологие участки стоковых характеристик). С дальнейшим увеличением напряжения С/си начало «горловины» канала смещается к истоковому концу ( 13-13, в); сопротивление канала еще более увеличивается. Сопротивление канала растет не строго пропорционально увеличению' напряжения С/си , что и обусловливает некоторое возрастание тока /о

На практике широко используются методы возбуждения полупроводникового кристалла, содержащего электронно-дырочный переход: инжекцию неосновных носителей под действием внешнего источника напряжения, включенного в прямом направлении; лавинный пробой в /7-л-переходе при подключении обратного напряжения и др.

При подключении внешней батареи в прямом направлении потенциальный барьер снижается, сопротивление запирающего слоя уменьшается и через переход течет ток, обязанный перемещению электронов в металл. При подключении обратного напряжения потенциальный барьер повышается, но под действием увеличившегося поля на переходе возможно движение дырок в металл. Этот ток мал, так как концентрация неосновных носителей в ге-по-лупроводнике невелика. Таким образом, такой переход также обладает униполярными — выпрямляющими свойствами.

рого больше, чем у металла (ефор > еф„). В этом случае также возникает запирающий слой, лежащий в р-полупроводнике. Электроны, переходя из металла в р-полупроводник, заряжают его отрицательно. Образующееся контактное поле препятствует дальнейшему переходу электронов и вытесняет из запирающего слоя дырки. Этот переход также обладает униполярными свойствами, так как при подключении прямого напряжения увеличивается поток электронов из металла, а при подключении обратного напряжения течет лишь ток, обязанный движению неосновных носителей заряда — электронов из р-полупроводника в металл. Плотность этого тока невелика.

При подключении обратного напряжения запирающий слей расширяется:

Диффузионная емкость. Как уже отмечалось, эта емкость обусловлена изменением зарядов у границ перехода при изменении напряжения U. При подключении обратного напряжения емкость CD невелика, так как изменение концентрации неосновных носителей от равновесного значения до значения, близкого к нулю, наблюдается лишь при изменении U от нуля до небольшой отрицательной величины (см. 10-4, в). При дальнейшем увеличении обратного напряжения закон распределения неосновных носителей остается практически неизменным.

Широко используются методы возбуждения полупроводникового кристалла, содержащего электронно-дырочный переход: ин-жекция неосновных носителей под действием внешнего источника напряжения, включенного в прямом направлении; лавинный пробой в р-п переходе при подключении обратного напряжения, туннельный пробой и др.

При подключении внешней батареи в прямом направлении потенциальный барьер снижается, сопротивление запирающего слоя уменьшается и через переход течет ток, обязанный перемещению электронов в металл. При подключении обратного напряжения потенциальный барьер повышается, но под действием увеличившегося поля на переходе возможно движение дырок в металл. Этот ток мал, так как концентрация неосновных носителей в ге-по-лупроводнике невелика. Таким образом, такой переход также обладает униполярными — выпрямляющими свойствами.

рого больше, чем у металла (ефор > еф„). В этом случае также возникает запирающий слой, лежащий в р-полупроводнике. Электроны, переходя из металла в р-полупроводник, заряжают его отрицательно. Образующееся контактное поле препятствует дальнейшему переходу электронов и вытесняет из запирающего слоя дырки. Этот переход также обладает униполярными свойствами, так как при подключении прямого напряжения увеличивается поток электронов из металла, а при подключении обратного напряжения течет лишь ток, обязанный движению неосновных носителей заряда — электронов из р-полупроводника в металл. Плотность этого тока невелика.

При подключении обратного напряжения запирающий слей расширяется:

Диффузионная емкость. Как уже отмечалось, эта емкость обусловлена изменением зарядов у границ перехода при изменении напряжения U. При подключении обратного напряжения емкость CD невелика, так как изменение концентрации неосновных носителей от равновесного значения до значения, близкого к нулю, наблюдается лишь при изменении U от нуля до небольшой отрицательной величины (см. 10-4, в). При дальнейшем увеличении обратного напряжения закон распределения неосновных носителей остается практически неизменным.

Широко используются методы возбуждения полупроводникового кристалла, содержащего электронно-дырочный переход: ин-жекция неосновных носителей под действием внешнего источника напряжения, включенного в прямом направлении; лавинный пробой в р-п переходе при подключении обратного напряжения, туннельный пробой и др.

На практике широко используются методы возбуждения полупроводникового кристалла, содержащего электронно-дырочный переход: инжекцию неосновных носителей под действием внешнего источника напряжения, включенного в прямом направлении; лавинный пробой в ^-«-переходе при подключении обратного напряжения и др.