Параметры характеризующие

В книге описаны параметры, характеристики и конструктивно-технологические особенности основных типов интегральных и функциональных микросхем, выпускаемых промышленностью, а также принципы рационального применения этих микросхем в РЭА.

:-.реобра:ювания; ai — параметры характеристики преобразования; t — время;

Так как эмиттер и коллектор транзистора различаются только конструктивно, то принципиально возможно такое включение транзистора, при котором коллектор играет роль эмиттера, а эмиттер — коллектора. При таком включении, называемом инверсным, транзистор имеет параметры, характеристики и предельно допустимые величины токов и напряжений, которые существенно отличаются от таковых для нормального режима и, как правило, хуже последних.

Параметры характеристики размагничивания литых сплавов (ГОСТ 17809—72)

7. Параметры характеристики размагничивания металлокерамических сплавов (ГОСТ 13596 — 68)

8. Параметры характеристики размагничивания деформируемых сплавов

9. Параметры характеристики размагничивания магнитно-твердых интерметаллических соединений

10. Параметры характеристики размагничивания магнитно-твердых ферритов

11. Параметры характеристики размагничивания магнитно-твердых композиционных материалов

15. Параметры характеристики размагничивания магнитно-твердых композиционных материалов (по данным каталогов иностранных фирм)

18. Параметры характеристики размагничивания ковких сплавов (по данным каталогов иностранных фирм)

где Pi, Р2, • • •, Рт — параметры, характеризующие сборочный агрегат.

туды колебаний и др.; выходными параметрами станка являются параметры, характеризующие качество выполнения операции.

напряжение возрастает до установившегося значения UycT за время tj с момента подключения нагрузки. При сбросе нагрузки напряжение генератора возрастает до значения Umax, а затем за время ^ снижается до величины напряжения холостого хода генератора, равного номинальному. В табл.7.9 приведены основные параметры, характеризующие процессы включения и отключения нагрузок на зажимы бесконтактного генератора с СГК.

Осциллограммы наброса и сброса полуторакратной нагрузки на зажимы генератора со штатной аппаратурой регулирования напряжения приведены на 7.8. В табл.7.10 приведены основные параметры, характеризующие процессы включения и отключения нагрузок на зажимах генератора со штатной аппаратурой регулирования.

3. Нарисуйте статическую характеристику вход—выход магнитного усилителя и определите параметры, характеризующие его.

§ 5.1. ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИЕ РАБОТУ ДВИГАТЕЛЯ

§ 5.1. Параметры, характеризующие работу двигателя . . . .174 § 5.2. Тепловой баланс двигателя...... . 187

В отличие от полупроводниковых диодов и транзисторов интегральные микросхемы представляют собой не отдельные элементы, а целые функциональные устройства, предназначенные для преобразования электрических сигналов. В зависимости от назначения в интегральной микросхеме могут нормироваться разные параметры, характеризующие функциональное устройство в целом. По назначению все интегральные микросхемы подразделяются на два класса: линейно-импульсные и логические.

Радиотелеметрические системы предназначены для дистанционного измерения различных физических или технологических величин на удаленном объекте. Таким объектом может быть, например, космический корабль, на котором необходимо измерять давление, температуру среды, биологические параметры космонавтов, параметры, характеризующие состояние различных технических устройств.

тов в БИС. Основные параметры, характеризующие МП как БИС, — степень интеграции, рассеиваемая мощность, число выводов корпуса и др. Кроме того, МП классифицируют по технологии изготовления (биполярные, МДП) и по схемотехнической организации. При построении однокристальных МП наибольшее распространение получила схемотехника с непосредственными связями на МДП-транзисторах (особенно элементах КМДП) и БТ (элементах И2Л).

После сборки при необходимости может быть проведена функциональная подгонка схемы. Она отличается от простой подгонки тем, что контролируемым параметром является не сопротивление подгоняемого резистора, а непосредственно выходные параметры, характеризующие схему: коэффициент усиления, уровень выходного напряжения и т. д.