Параметры гальванометровОсновные параметры фоторезисторов (табл. 8.1):
Основные параметры фоторезисторов
При подключении фоторезистора к источнику питания в электрической цепи проходит небольшой ток /т, называемый темповым. При освещении фоторезистора ток в цепи возрастает за счет фототока, обусловленного внутренним фотоэффектом. Вольт-амперная характеристика, т. е. зависимость фототока от приложенного напряжения при постоянном световом потоке Ф, практически линейна ( 17.23). Параметры фоторезисторов, как и других полупроводниковых приборов, существенно зависят от температуры.
Температурный коэффициент фототока. Как и у большинства полупроводниковых приборов, характеристики и параметры фоторезисторов существенно зависят от температуры. Эту зависимость принято оценивать с помощью температурного коэффициента фототока
Параметры фоторезисторов различных типов. В режиме формирования электрических сигналов при облучении фоторезисторов лучистым потоком применяются фоторезисторы из сульфида кадмия, селенида кадмия, сульфида и селенида свинца. Спектральные характеристики этих приборов показаны на 14-4. Фоторезисторы из сульфида кадмия отличаются высоким рабочим напряжением (до 400 В), значительными максимальными токами (несколько миллиампер) и очень высокой интегральной чувствительностью, достигающей нескольких ампер на один люмен. Темновое сопротивление этих приборов велико: RT = 107 -=- 1010 Ом.
Основные параметры фоторезисторов: темновое сопротивление (сопротивление при отсутствии освещенности), удельная чувстви--тельность (величина фототока, приходящегося на единицу светового потока, отнесенная^ к номинальному напряжению).
Основные параметры фоторезисторов:
Температурный коэффициент фототока. Как и у большинства полупроводниковых приборов, характеристики и параметры фоторезисторов существенно зависят от температуры. Эту зависимость принято оценивать с помощью температурного коэффициента фототока
Параметры фоторезисторов различных типов. В режиме формирования электрических сигналов при облучении фоторезисторов лучистым потоком применяются фоторезисторы из сульфида кадмия, селенида кадмия, сульфида и селенида свинца. Спектральные характеристики этих приборов показаны на 14-4. Фоторезисторы из сульфида кадмия отличаются высоким рабочим напряжением (до 400 В), значительными максимальными токами (несколько миллиампер) и очень высокой интегральной чувствительностью, достигающей нескольких ампер на один люмен. Темновое сопротивление этих приборов велико: RT = 107 -=- 1010 Ом.
При подключении фоторезистора к источнику питания в электрической цепи проходит небольшой ток 1Т, называемый темновым. При освещении фоторезистора ток в цепи возрастает за счет фототока, обусловленного внутренним фотоэффектом. Вольт-амперная характеристика, т. е. зависимость фототока от приложенного напряжения при постоянном световом потоке Ф , практически линейна ( 1.47). Параметры фоторезисторов, как и других полупроводниковых приборов, существенно зависят от температуры.
Основные параметры фоторезисторов приведены в табл 12-86, они соответствуют нормальной температуре окружающей среды /окр = 20° С (если нет иных оговорок).
Полупроводниковая пластина с двумя омическими контактами на концах может быть использована в качестве фоторезистора. Рассмотрим основные параметры фоторезисторов.
Параметры гальванометров приведены в табл. 5-38.
Основные параметры гальванометров различных модификаций приведены ниже:
Параметры гальванометров различных модификаций приведены в табл. 6-79.
Параметры гальванометров усилителей приведены в табл. 9-16.
Параметры гальванометров, при значении индукции 1,2 тл в рабочем зазоре 1,5 мм и при длине оптического рыч'ага 300 мм приведены в табл. 11-7.
Гальванометры предназначены для эксплуатации при температуре окружающего воздуха от 10 до 35 °С и относительной влажности до 80%. Гальванометры выпускаются в двух модификациях. Параметры гальванометров приведены в табл. 11-8.
Параметры гальванометров приведены в табл. 11-9.
Параметры гальванометров приведены в табл. 11-10.
Параметры гальванометров при значении индукции 1,6 тл в рабочем зазоре 0,7 мм приведены в табл. 11-11.
Параметры гальванометров при значении индукции 1,5 и 1,95 тл в рабочем зазоре гальванометра 0,9 мм и при длине оптического рычага 300 мм приведены в табл. 11-13.
Гальванометры выпускаются в двух модификациях. Параметры гальванометров-приведены в табл. 11-15.
Параметры гальванометров для температуры 20 ±5 °С приведены в табл. 11-16
Похожие определения: Положительное направление Положительного сопротивления Положительно относительно Положительную действительную Полосовые усилители Полюсного сердечника Получается изображение
|