Параметры биполярного

h-параметры биполярных транзисторов. Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используют так называемые /i-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Параметры биполярных транзисторов малой, средней и большой мощностей приведены в табл. Ш.5. Масса биполярных транзисторов составляет 0,5—50 г, импульсный ток может в 10—50 раз превышать /к тах.

Параметры биполярных транзисторов сильно зависят от температуры, Поэтому усилители, выполненные на биполярных транзисторах, необходимо термостатировать или рассчитывать так, чтобы изменения параметров были минимальными. Термостатиро-вание применяется редко; обычно осуществляются электрические способы стабилизации режима работы.

Рассматриваются технологические основы, структуры и параметры биполярных и полевых транзисторов, а также пассивных элементов интегральных микросхем. Анализируются важнейшие логические и запоминающие элементы на биполярных и полевых транзисторах, в том числе для сверхбольших и сверхскоростных интегральных микросхем. Описываются основные типы цифровых и аналоговых интегральных микросхем. Дается представление о приборах с зарядовой связью, элементах интегральной опто-, акусто- и магнитоэлектроники.

Частотные характеристики биполярных фототранзисторов значительно хуже частотных характеристик фотодиодов, т. е. граничная частота /гр значительно ниже и составляет обычно несколько килогерц. Это объясняется наличием большой емкости эмиттер-ного перехода. Параметры биполярных фототранзисторов, так же как фотодиодов, сильно зависят от температуры.

1.5. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1.5. Характеристики и параметры биполярных транзисторов 25

§ 17.9. Параметры биполярных транзисторов

? 17.9. Параметры биполярных транзисторов........... . 333

Основные параметры биполярных Схем, Полученных с применением различных методов изоляции

дованием и уровень отработки на данном предприятии технологических процессов, необходимых для выполнения того или иного метода изоляции. Основные параметры биполярных схем, полученных различными технологическими методами, приведены в табл. 16-2.

- параметры биполярного транзистора, которые можно рассчитать по заданным статическим характеристикам. Их типовые значения находят-

Uкз — изя — действующие значения переменных составляющих тех же напряжений «кэ—Мзи — мгновенные значения переменных составляющих тех же напряжений Vu—скорость нарастания выходного напряжения ОУ Упа — У21э — параметры биполярного транзистора в

Пример 5.3. Рассчитать шумовые параметры биполярного транзистора КТ503А, включенного по схеме с ОЭ Rm, Gm, /Сш на частотах /<Ю Гц.

Непременным условием нормальной работы биполярного транзистора является достаточно малая ширина базы W; необходимо, чтобы было выполнено условие W
- параметры биполярного транзистора, которые можно рассчитать по заданным статическим характеристикам. Их типовые значения находят-

— параметры биполярного транзистора, которые можно рассчитать по заданным статическим характеристикам. Их типовые значения находят-

1. Как классифицируются полупроводниковые диоды? 2. Опишите устройство полупроводникового диода. 3. Охарактеризуйте основные группы полупроводниковых диодов. 4. Объясните вольт-амперную характеристику выпрямительного диода. 5. Где применяются высокочастотные диоды? 6. Дайте определение основных параметров стабилитронов. 7. Для какой цели служат полупроводниковые фотодиоды? 8. От чего зависит цвет свечения светодиода? 9. Как классифицируются биполярные транзисторы? 10. Что называют коэффициентом передачи по току для транзистора по схеме ОБ? 11. Объясните процесс усиления мощности в биполярном транзисторе. 12. Как рассчитывают динамический режим работы транзистора? 13. Что такое ключевой режим работы транзистора? 14. Перечислите основные физические параметры биполярного транзистора. 15. Опишите принцип работы униполярного полевого транзистора. 16. Почему униполярные транзисторы называют полевыми? 17. Какими параметрами описывают свойства полевых транзисторов? 18. Объясните стокозатворную характеристику полевого транзистора. 19. Какие функции выполняют фототранзисторы? 20. Опишите устройство и принцип работы однооперационного тиристора. 21. Поясните вольт-амперную характеристику однопере-ходного транзистора. 22. Какие полупроводниковые материалы применяются при изготовлении терморезисторов? 23. По какой схеме работают оптроны с внутренней прямой оптической связью?

5.3. ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

5.3. Параметры биполярного транзистора........... 49

'гн> 'Ii2> ^22» ''si — /г-параметры биполярного транзистора С к— емкость коллекторного перехода Сэ — емкость эмиттерного перехода /"в— сопротивление базы U си — напряжение между стоком и истоком ^зи— напряжение между затвором и истоком ?Лш— напряжение между истоком и подложкой

Параметры биполярного транзистора 74