Появлению дополнительного

и решение их приводит к появлению дополнительных членов в выражении скалярного потенциала

8. Наличие высокотемпературных процессов. Наличие высоких температур теплоносителей и металла, кото- • рый соприкасается с ними, требует осуществления контроля за состоянием металла, за температурным режимом котлов, паропроводов, турбин, за перекосами температур в параллельных элементах. Все элементы, имеющие высокие температуры, испытывают температурные удлинения, которые компенсируются за счет их гибкой конфигурации. Ведется контроль за температурными удлинениями трубопроводов, элементов турбин и котлов, который особенно важен при их пуске и нагру-жении. При пуске оборудования его температурный режим меняется, так как осуществляется прогрев барабанов и коллекторов, паропроводов, турбин. При этом необходим контроль за скоростью повышения температуры, за разностью температур по толщине стенки (барабана котла, фланцев), которая приводит к появлению дополнительных термических напряжений в металле.

На частоте резонанса параллельный контур имеет очень большое сопротивление и не шунтирует вход ОУ. При этом глубина ПОС становится больше глубины ООС и в устройстве выполняются условия возникновения генерации (4.8). При отклонении частоты от /0 сопротивление контура уменьшается и приобретает реактивный характер, что приводит к уменьшению Ки усилителя (за счет снижения глубины ПОС, которая становится меньше глубины ООС) и появлению дополнительных фазовых сдвигов. Таким образом, генерация колебаний в устройстве ( 4.12) оказывается возможной лишь на частотах, весьма близких к /0.

Неравновесные носители заряда и их основные характеристики. Воздействие света, электрического поля и других факторов может привести к появлению дополнительных, избыточных по отношению к равновесным, концентраций свободных носителей, их называют неравновесными носителями заряда. При неизменной интенсивности внешнего фактора в полупроводнике устанавливается стационарное состояние, при котором скорости генерации и рекомбинации носителей заряда равны. В этих условиях концентрации избыточных носителей заряда равны: An = = п — п0 и Ар = р = рй, где пир — постоянные концентрации электронов и дырок при наличии внешнего фактора; п0 и р„ — то же, в отсутствие внешнего фактора, т. е. равновесные концентрации. Если в полупроводнике нет объемного заряда, то выполняется условие его электрической нейтральности:

Воздействие света, электрического поля и других факторов может привести к появлению дополнительных, избыточных по отношению к равновесным, концентраций свободных носителей, их называют неравновесными носителями заряда. При неизменной интенсивности внешнего фактора в полупроводнике устанавливается стационарное состояние, при котором скорости генерации и рекомбинации носителей заряда равны. В этих условиях концентрации избыточных носителей заряда равны: Дл = п — пд и Др = р - ро, где пир- постоянные концентрации электронов и дырок при наличии внешнего фактора; пд и ро — то же, в отсутствие внешнего фактора, т. е. равновесные концентрации. Если в полупроводнике нет объемного заряда, то выполняется условие его электрической нейтральности:

Градуировка термопар осуществляется при температуре свободных концов, равной нулю. Если в процессе измерения температура свободных концов отличается от нуля, то это ведет к появлению дополнительных погрешностей, устранить которые можно путем термостатиро-вания свободных концов либо схемным способом. Следует отметить, что термоэлектроды не всегда можно сделать достаточно длинными,

Сложнее обстоит дело с высшими гармоническими м. д. с., на поле которых неравномерность зазора оказывает большее влияние. Неравномерность зазора приводит, кроме того, к появлению дополнительных гармонических поля, как это видно из 4-18. При ориентировочных расчетах можно принять, что неравномерность зазора и насыщение оказывают на поле высших гармонических такое же влияние, как и на поле основной гармонической, т. е. можно пользоваться соотношением (447).

Уравнения электрической цепи с взаимной индуктивностью. Наличие индуктивных связей в цепи переменного тока приводит к появлению дополнительных э. д. с. взаимной индукции, которые должны быть учтены при составлении уравнений по второму закону Кирхгофа.

Значения tg б зависят от химического строения, структуры полимера. Низкомолекулярные примеси и, в частности влага, включения пузырей воздуха, пыль, частицы низко- и высокомолекулярных веществ могут привести к появлению дополнительных максимумов в температурной зависимости tg б. Значения tg б для неполярных полимеров лежат в пределах от 10~4 до 10~3. Вблизи и выше Тс возможен рост tg б при повышении температуры, что обусловлено повышением ионной проводимости полимера. Значения tg б полярных полимеров в сильной степени зависят от частоты и температуры, что ограничивает их применение при высоких частотах.

3. Наличие внутренней ПОС снижает помехоустойчивость тиристоров в закрытом состоянии, приводит к появлению дополнительных паразитных эффектов (эффекта du/dt, эффекта локализации энергии при переключении и т. п.).

стального сердечника, находящегося в переменном маг-:, естественно, приводит к появлению дополнительных ансформаторе. Эти потери обусловлены затратой энер-ремагничивание сердечника и 2) выделение в нем тепла о. Для уменьшения потерь на перемагничивание сер-

Если ввести в состав травителя значительное количество карбоновой, например уксусной, кислоты, это приведет вследствие ее диссоциации к появлению дополнительного количества протонов

К недостаткам применения демпферных обмоток следует отнести увеличение стоимости генератора, снабженного демпферными обмотками, и некоторые конструктивные осложнения, заключающиеся в том, что обеспечение высокой надежности генераторов при наличии демпферных обмоток оказывается несколько затруднительным. Кроме того, повышение веса ротора из-за наличия на нем демпферных обмоток приводит к появлению дополнительного давления на подпятники, что также определенным образом сказывается на усложнении конструкции гидрогенератора и увеличении его стоимости. К определенным недостаткам относится и то, что уменьшение сопротивления обратной последовательности приводит к росту тока при несимметричных коротких замыканиях.

Таким образом, роль активной составляющей нагрузки сводится к изменению следующих параметров схемы замещения: уменьшению расчетной э. д. с., уменьшению расчетного емкостного сопротивления, появлению дополнительного активного сопротивления г3 „, которое увеличивается с увеличением хс, т. е. с уменьшением емкости линии.

Из механики известно, что при действии на вращающийся волчок момента сил возникает так называемое прецессионное движение оси вращения, при котором свободный конец оси волчка начинает совершать круговые движения. Применительно к вращению электронов в атоме такое прецессионное движение эквивалентно появлению дополнительного замкнутого контура тока, магнитное поле которого направлено против внешнего поля и поэтому уменьшает его значение. Возникновение дополнительного магнитного поля, вызванного прецессионным движением магнитного волчка, называется диамагнитным эффектом. Этот эффект возникает при действии внешнего магнитного поля на атомы любого вещества. При устранении внешнего поля диамагнитный эффект тотчас же исчезает.

Ионная упругая поляризация. Она происходит в кристаллических диэлектриках, построенных из положительных и отрицательных ионов, — в галоидно-щелочных кристаллах, слюдах, керамиках. В электрическом поле в таких диэлектриках происходит смещение электронных оболочек в каждом ионе — электронная поляризация. Кроме того, упруго смещаются друг относительно друга подрешетки из положительных и отрицательных ионов ( 5.12,6), т. е. происходит упругая ионная поляризация. Это смещение приводит к появлению дополнительного электрического момента /п„, увеличивающего поляризованность, а следовательно, и диэлектрическую проницаемость на еги. Таким образом, диэлектрическая проницаемость ионного кристалла равна ег — eroo -f еги, где еги зависит от физической природы ионов, сил их взаимодействия и строения кристаллической решетки.

Введение в цепь ротора ЭДС Яд = Ёд — jk'^E^, повернутой на угол ±я/2 относительно ЭДС F.z, приводит к появлению дополнительного реактивного тока, который может быть найден при тех же допущениях:

Из сопоставления последних уравнений видно, что влияние границы между двумя средами с разными магнитными свойствами на магнитное поле сводится к появлению дополнительного поля связанного поверхностного тока плотностью

Мср имеет апериодический характер и сильно отличается от My. Вследствие этого максимальные значения вылетов угла, рассчитанного по полным и упрощенным уравнениям, заметно отличаются [примерно на 7° (см. 6.23)]. Это объясняется тем, что число импульсов момента при его колебаниях согласно расчету по полным уравнениям в процессе к. з. нечетно и число положительных импульсов оказывается больше отрицательных. Это приводит к сильным колебаниям момента Мп после отключения к. з. В этом случае влияние второго генератора на первый может оказаться довольно сильным и привести к появлению дополнительного момента, который резко увеличивает значение Мср. Таким образом, в моменты времени готкл = 0,1 ; 0,12; 0,14 с значения максимального угла, рассчитанного по полным и упрощенным уравнениям, мало отличаются. Для моментов же отключения г0ТКл = == 0,11 с и /отнл = 0,13 с эта разность резко увеличивается. Однако в действительности (эксперимент) колебаний бмако в зависимости от torKii не наблюдается, так как появление дуги при отключении сглаживает колебания электромагнитного момента Мпд генератора после отключения к. з. ( 6.24). Это приводит к сглаживанию характеристики бмакс1=/(/откл). Таким образом, при расчете электромеханических переходных процессов, когда rlx< 0,03, необходимо либо учитывать горение дуги в выключателе, либо применять упрощенные уравнения, что является более целесообразным с точки врения объема вычислений.

Погрешность счетчика изменяется с изменением нагрузки цепи. При малых нагрузках трение в подшипниках, счетном механизме и диска о воздух, а также меньшая магнитная проницаемость сердечника (по сравнению с проницаемостью при больших нагрузках) приводят к значительной отрицательной погрешности. Для компенсации момента трения в счетчиках создается дополнительный момент, действующий на диск, так называемый компенсационный момент. Создание компенсационного момента достигается различными конструктивными путями: ко-роткозамкнутыми витками, охватывающими выступающую часть магнитощэивода (в счетчиках СО-1); винтом, ввинчиваемым в противополюс (счетчик СО), или поводком, перемещающимся относительно сердечника (счетчик СО-2). Во всех этих случаях появляется дополнительный — компенсационный момент. В счетчике, схема которого показана на 34, б, компенсационный момент создается с помощью поводка 12. Пока этот поводок расположен симметрично сердечнику, ответвляющийся в него поток не создает дополнительного момента. Смещение поводка приводит к появлению дополнительного компенсационного момента.

Рассмотрим диффузионное сопротивление базы. Причина его появления заключается в том, что с ростом Ук уменьшается W, что, в свою очередь, приводит к уменьшению концентрации неосновных носителей в базе ( 3.2,е) и напряжения на эмиттере (3.12) при /э= =const. Уменьшение напряжения на эмиттере при 1в= —const эквивалентно появлению дополнительного сопротивления базы ГбД. Поскольку причиной возникновения ГбД является обратная связь между эмиттером и коллектором, то Гбд можно вычислить следующим образом:

При больших V3 поперечная компонента напряженности электрического поля в канале становится достаточной для того, чтобы носители, движущиеся от истока к стоку, отклонялись к поверхности. Реальная поверхность полупроводника имеет множество дефектов, шероховатая, следовательно, различные носители отражаются от нее под разными углами, что эквивалентно появлению дополнительного механизма рассеяния. Поэтому отклонение носителей к поверхности приводит к уменьшению подвижности. Этот эффект также может быть учтен подстановкой в (4.18) ... (4.24) значения эффективной подвижности.

Другая возможная деформация изолированного импульса под воздействием помех состоит в дублировании импульса и появлении паузы внутри него. Это искажение более опасно в шаговых системах, поскольку может сдвинуть на одну позицию последующие шаги и таким путем привести в лучшем случае к отказу в приеме всего сигнала. В системах с принудительной или автономной синхронизацией, в которых началом отсчета времени служит задний фронт импульсов, это искажение приводит к появлению дополнительного импульса, располагающегося по соседству с правильным; в других системах возможна потеря соответствующего импульса. Поэтому полезно, чтобы осуществлялась защита и от этой деформации; наиболее надежным методом такой