Появляются значительныеПри температуре, равной абсолютному нулю, атомы кристаллической решетки полупроводника находятся в состоянии относительного покоя. С возрастанием температуры начинаются тепловые колеба'ния атомов решетки и в результате появляются свободные электроны, получившие дополнительную тепловую энергию, достаточную для разрыва ковалентных связей. При этом отдельные электроны могут покинуть ковалентные связи и превратиться в свободные носители заряда. Следовательно, для перевода электрона в свободное состояние необходимо сообщить ему дополнительное количество энергии, которое обозначим AW. Электроны, получившие дополнительную энергию, меньшую AW, не могут перейти в зону проводимости и остаются в валентной зоне.
. 8.13, коллекторный ток /к протекает через нагрузку RH. При таком включении вывод базы фототранзистора остается свободным, т. е. ток базы /б = 0. При освещении базы в ней появляются свободные электроны и дырки. Принцип работы фототранзистора заключается в увеличении его коллекторного тока при воздействии света. Этот процесс протекает следующим образом.
При растворении электролитов появляются свободные ионы независимо от того, приложено к раствору электрическое поле
В полупроводниках валентная зона и зона проводимости разделены неширокой запрещенной зоной (А ^=0,67 эВ для Ge; 1,12 эВ для Si; 1,41 эВ для GaAs). Под действием внешнего электрического поля, теплового, светового и другого излучений возможен переход электронов из валентной зоны в зону проводимости. При этом в валентной зоне возникают свободные энергетические уровни, а в зоне проводимости появляются свободные электроны, называемые электронами проводимости.
Под действием внешних излучений часть ковалентных связей нарушается ( 1.1,6). Появляются «свободные» электроны, не связанные с атомами, и незаполненные связи — дырки. Атом, потерявший электрон, приобретает положительный результирующий заряд.
Процесс диссоциации может происходить и без участия растворителя, например, при расплавлении кристаллов солей, когда за счет энергии теплового движения ионов межионные связи, существующие в кристалле, разрушаются и в жидкой фазе появляются свободные носители электрических зарядов. В электрохимическом отношении такая среда ведет себя, как раствор, и также является проводником второго рода.
Конструктивно фототранзисторы отличаются от обычных транзисторов наличием прозрачного окна в корпусе. Напряжение питания включается между эмиттером и коллектором таким образом, что коллекторный переход оказывается закрытым, база остается свободной ( 4.15). При освещении базы в ней появляются свободные электроны и дырки. Дырки втягиваются в коллектор, увеличивая ток в его цепи. Оставшиеся в базе основные носители заряда - электроны - создают объемный заряд, облегчающий переход дырок из эмиттера в базу, а затем в коллектор. Даже при небольшом световом потоке ток коллектора оказывается достаточно большим.
При температурах выше абсолютного нуля некоторые электроны валентной зоны могут быть переброшены в зону проводимости — возможна тепловая генерация пар носителей заряда, в зоне проводимости появляются свободные электроны, а в валентной зоне — дырки. Процесс тепловой генерации возможен даже при очень низких температурах из-за значительных флуктуации (отклонений) энергий тепловых колебаний атомов от средней энергии тепловых колебаний атомов относительно узлов кристаллической решетки.
Электрическая дуга, или дуговой разряд, — один из видов электрических разрядов в газе или парах. Газовая среда, обычно не проводящая тока, приобретает проводимость, если в ней, помимо нейтральных, появляются свободные заряженные частицы — электроны, положительные и отрицательные ионы, которые и обусловливают прохождение в газе токов, если в нем существует электрическое поле.
Двухполюсная схема включения фототранзистора показана на 7.28. При таком включении вывод базы фототранзистора остается свободным, т. е. ток базы /Б = 0. При освещении базы в ней появляются свободные электроны и дырки. Для базы фототранзистора типа рпр дырки являются неосновными носителями зарядов, поэтому они втягиваются полем коллекторного перехода в коллектор, увеличивая ток в его цепи. Оставшиеся в базе основные носители зарядов (электроны) создают пространственный заряд, снижающий высоту потенциального барьера эмиттерного перехода. При этом облегчается переход дырок из эмиттера в базу, а затем в коллектор, что приводит к еще большему росту коллекторного тока, проходящего через нагрузочное сопротивление. Таким образом, даже при небольшом световом потоке, падающем на базу, ток коллектора оказывается достаточно большим, что свидетельствует о высокой чувствительности фототранзистора1.
В переходном процессе, возникающем после короткого замыкания обмотки статора (в отличие от переходных процессов при изменениях в цепи возбуждения) появляются свободные апериодически затухающие переходные токи не только в контурах ротора, но и в контурах статора. Свободные апериодически затухающие токи в контурах ротора образуют неподвижные относительно ротора поля, которые индуктируют в фазах статора переменные периодически изменяющиеся токи. Потери в активных сопротивлениях статора от этих токов покрываются за счет механической мощности, в связи с чем постоянные времени затухания свободных токов ротора не зависят от активных сопротивлений статора, и последние, не делая заметной ошибки, можно принять равными нулю.
проводной воды в теплообменниках абонентов, присосы воздуха в теплосети и недостаточная деаэрация подпи-точной воды на ТЭЦ), на латунных трубках сетевых подогревателей появляются значительные отложения солей (накипь толщиной до 1 мм и более), приводящие к резкому снижению коэффициента теплопередачи и росту недогрева [4-7].
На амплитуду зубцовых гармоник оказывает влияние соотношение чисел пазов статора и ротора. При некоторых соотношениях появляются значительные вибрации и шум. Для трехфазных асинхронных машин к этим соотношениям относятся
Таким образом, все виды рассмотренных выше моментов зависят от соотношения между числами зубцов статора и ротора. Для трехфазных машин к числу.неблагоприятных сочетаний этих чисел, при которых появляются значительные доба- а) 5) вочные моменты, вибрация и шум, относятся: z,—z2=0, 1, 2, 3, 4; zi—zz=p, p±l; 2,= =z2=2p, 2p±2, 2p±3, 2p±4; Z[—z2=3p.
Следует заметить, что обмотка возбуждения при пуске должна быть обязательно замкнута на возбудитель или на гасительное сопротивление, так как на разомкнутой обмотке возбуждения появляются значительные напряжения, которые могут повредить изоляцию обмотки и вывести машину из строя. В начале пуска, когда s ж 1 и скорость вращения поля относительно ротора велика (s?2c = Qc), на разомкнутой обмотке возбуждения индуктируется напряжение
того, вследствие больших токов появляются значительные электродинамические усилия, воздействующие на витки, что влечет за собой механическое повреждение обмоток.
Отказы из-за нарушения электрической цепи вызвали интерес к исследованию процессов, протекающих в слоях металлизации интегральных схем, термокомпрессионных соединениях и переходах кремний—алюминий. Было установлено, что р-азрушению слоя металлизации предшествует деградация характеристик элементов интегральных микросхем. Одной из причин деградации электрических характеристик транзисторов интегральных микросхем является 'нарушение алюминиевой металлизации. Это особенно проявляется при больших плотностях тока,: металлизация ;в области эм-ит-териого и базового контактов «вспучивается», что можно наблюдать в 'Оптическом микроскопе. Вспучивание приводит к увеличению сопротивления алюминиевых токоведущих дорожек; кроме того, появляются значительные утечки эмиттерного р-л-перехода. Коэффициент усиления по току на высокой частоте, резко снижается. Наиболее чувствительны к такого вида нарушениям структуры с большими плотностями тока и мелкими диффузионными слоями. Предполагается, 'что причиной деградации характеристик приборов с алюминиевой металлизацией является локальный электро-перемос алюминия и электроперенос кремния в алюминий. Эти процессы сопровождаются появлением ямок, выпадением кремния из раствора в виде кристаллов, образованием рыхлой поверхности. Кроме того, эти процессы снижают механическую .прочность контактов, что неизменно ведет к снижению надежности интегральных микросхем.
В электропередачах 220—500 кв тросы на опорах изолируются и заземление их происходит только в момент разряда молнии. Дело в том, что в многократно заземленных тросах в замкнутых контурах трос — земля (при одном тросе) или трос — трос (при двух тросах) появляются значительные токи, возникающие под действием э.д.с., наводимых в тросах путем электромагнитной индукции токами в проводах. Протекание токов в тросах связано с значительными потерями электрической энергии.
Режим холостого хода линии возможен также вследствие разрыва связи с приемной системой при отключении линии на приемном конце. При этом на приемном конце линии появляются значительные перенапряжения, которые превышают перенапряжения при холостом ходе при включении, так как в этом случае значения э.д.с. питающей системы всегда выше, чем перед включением. Особенно значительны перенапряжения при разрыве передачи при небольшом количестве включенных генераторов, так как в этом случае приведенное индуктивное сопротивление источника питания приближается к значению емкостного входного сопротивления длинной линии. При этом создаются условия, наиболее близкие к резонансным.
При больших кратностях тока на вторичной обмотке TLAT вследствие его насыщения появляются значительные пики напряжений. Для защиты схемы предусмотрен газовый разрядник F. Резистор R2 ограничивает ток при действии разрядника. Конденсатор С1 служит для сглаживания выпрямленного напряжения. Диод VD2 и резистор R5 предназначены для компенсации изменения чувствительности реле при изменении температуры. Для устранения помех со стороны входных цепей к переходу эмиттер — коллектор VT1 подключен конденсатор С2.
Однако такое исключение запоминания пуска ВЧ-передатчика на DS4 не всегда допустимо. Например, внешнее трехфазное КЗ может сопровождаться насыщением трансформаторов тока, при этом появляются значительные небалансы тока /2, от которых невозможно отстроиться торможением. В первый момент до насыщения ТТ правильно кратковременно работает реле Л/2бл. Затем реле
Влияние динамических нагрузок. Электроприводы конвейеров имеют продолжительный режим работы, для которого характерны длительный период движения ходовой части с постоянной скоростью и кратковременные переходные режимы пуска и торможения. Несмотря на относительно малое время переходных процессов, их анализ является важной задачей, так как конвейер представляет собой систему масс, соединенных упругими связями (цепью или лентой). При переходных процессах в ЭП эти упругие связи деформируются и в тяговых элементах конвейера появляются значительные динамические нагрузки, которые в ряде случаев имеют колебательный характер.
Похожие определения: Пленочные конденсаторы Пленочных резисторов Плоскостью проходящей Плоскости определяется Плоскости проходящей Плоскостного транзистора Плотность электрического
|