Появляются дополнительные

Схема регулирования напряжения генераторов типа ЕС показана на 12.1. У этих генераторов отсутствует возбудитель, а напряжение на зажимах статора генератора СГ появляется вследствие самовозбуждения. Принцип самовозбуждения состоит в том, что магнитный поток остаточного магнетизма сердечника ротора, на котором расположена обмотка возбуждения ОВ, индуктирует в дополнительной статорной обмотке ОД генератора переменное напряжение, выпрямляемое механическим выпрямителем ВМ.

2. Напряжение смещения Ucu. Определяется входным напряжением, при котором выходное напряжение равно нулю ( 4.2). Напряжение смещения появляется вследствие разброса параметров элементов ОУ или изменений режимов работы входных транзисторов за счет рассогласования во входных цепях ОУ. Обычно в ОУ широкого применения исн=5~--h20 мВ. Напряжение смещения зависит от температуры и напряжения источника питания. Изменение ?/См в зависимости от

Заряд конденсатора происходит, как известно, по экспоненциальному закону. Кривая заряда конденсатора показана на 9.3, б (кривая ОАВ). Однако, когда напряжение на конденсаторе достигает напряжения зажигания неоновой лампы (точка А), внутреннее сопро- а) тивление Rt лампы резко уменьшается и начинается быстрый разряд конденсатора через неоновую лампу (кривая АС) *. Разряд конденсатора будет продолжаться до тех пор, пока <у напряжение на нем не уменьшится до напряжения потухания лампы ?/„, после чего ее внутреннее сопротивление опять возрастает до очень большой величины и вновь начнется заряд конденсатора. Таким образом, в генераторе с неоновой лампой пилообразное напряжение появляется вследствие чередования зарядов конденсатора до напряжения зажигания лампы U3 и разрядов конденсатора до напряжения потухания Un. Разумеется, напряжение источника э. д. с. U0 должно быть больше напряжения зажигания U3 неоновой лампы.

Расчет основной статической погрешности. Основная погреш-нос'ъ СИ появляется вследствие отличия его реальной статической характеристики преобразования от идеальной при нормальных условиях его эксплуатации. Для линейного СИ с аддитивной и мультипликативной составляющими погрешности реальное преобразование измерительного сигнала можно выразить соотношением

Рассмотрим физические процессы в МДП-структуре, подробно описанные в [31, применительно к ПЗС, которые в отличие от МДП-транзис-торов работают только в импульсном режиме. Пусть при / --- 0 напряжение на затворе изменяется скачком от (Уз О до L/з > Uaov, где и„0р — пороговое напряжение. В полупроводнике под затвором образуется потенциальная яма для электронов и в течение очень короткого отрезка времени (порядка времени диэлектрической релаксации) формируется обедненный слой с высоким удельным сопротивлением, в котором под действием поля удалены основные носители- дырки, а электроны еще не успели накопиться. Глубина потенциальной ямы максимальна на границе полупроводника с диэлектриком, здесь начинает накапливаться зарядовый пакет электронов Q,,. Он появляется вследствие контролируемого переноса зарядов из соседней МДП-струк-туры и неконтролируемых процессов: тепловой генерации электронов в обедненном слое или на поверхности полупроводника, диффузии электронов из подложки.

Но для магнитных цепей в условиях изменяющегося магнитного потока характерно также реактивное магнитное сопротивление —с физической точки зрения оно появляется вследствие возник--новекия вихревых токов в магнитопрогаде и потерь на иеремаг-ничивакие. Вихревые токи в м а г н и т о п р о в о д а х можно

Природа возникновения гистерезисного момента подробно разъяснена в § 63-7, посвященном гистерезисным двигателям. Этот момент появляется вследствие гистерезиса стали магнитопровода ротора, который приводит к некоторому запаздыванию в перемагничивании ротора по отношению к полю, перемещающемуся относительно ротора. В результате основные гармонические полей статора и ротора оказываются сдвинутыми на некоторый угол у12, зависящий от магнитных свойств материала магнитопровода ротора, и их взаимное расположение получается таким же, как на 43-5. Этот рисунок соответствует случаю, когда поле ротора движется медленнее поля статора, и вследствие притяжения разноименных полюсов (S1 и Nz> NI и S2) возникает гистерезисный момент Мг = = Мгт > О, направленный в сторону вращения ротора. В случае, когда ротор движется быстрее поля статора, угол у12 становится отрицательным, и гистерезисный момент действует в противоположную сторону (Л/г - —Мтт < 0).

Рассмотрим усилитель, состоящий из одного каскада с очень сильной отрицательной обратной связью ( 6.23, а). Из схемы следует, что весь выходной сигнал подается обратно на вход усилителя и Usx = ?/с — 6/гвь,х. Коэффициент обратной связи в этой схеме равен 100%, т. е. р = — 1, причем знак минус появляется вследствие того, что сигнал обратной связи направлен навстречу усиливаемому сигналу ыс и ивх = нс — ывых.

Одностороннее притяжение ротора генератора появляется вследствие большой разработки вкладышей подшипников, при деформации железа статора или междувитко-вых соединениях в обмотках статора. В этом случае генератор останавливают и устраняют причины неисправности.

Здесь аргумент т- 6 появляется вследствие того, что пополнение осуществляется, начиная лишь со второго цикла работы объекта.

Тугоплавкий металл рений применяется для создания тонкопленочных резисторов с высоким удельным поверхностным сопротивлением (до 103 Ом/D). Резистивные пленки рения находятся в стадии агломерации, в которой добавочное сопротивление появляется вследствие конечного расстояния между частицами пленки. Тугоплавкость рения позволяет использовать его даже при толщинах порядка 4 нм. Пленки получаются чаще всего посредством электронно-лучевого разогрева гранул рения в вакууме 1 -f-Н-6ЛО~4Па. Осаждение пленок осуществляется при температуре подложки порядка 350 °С. Пленки рения нуждаются в защите от воздействия атмосферы, поэтому их обычно покрывают защитным диэлектрическим слоем моноокиси или окиси кремния. Анализ характеристик резистивных пленок рения с удельным поверхностным сопро-

Для производства ферритов с ППГ характерны высокая температура окончательного обжига (до 1400 °С) и «воздушная закалка» после него. Закалкой фиксируются фазовые соотношения компонентов, получаемые при высокой температуре обжига, и ферриты предохраняются от окисления на воздухе. Вместе с тем при закалке появляются дополнительные напряжения, что делает изделия хрупкими. Кроме того, неизбежные отклонения температуры закалки приводят к различию магнитных свойств материалов. Чтобы избежать этого, используют вакуумные печи или печи с инертной атмосферой, в которых изделия можно медленно охлаждать, не опасаясь окисления.

Если между образцом и измерительным мостом включен кабель, то появляются дополнительные паразитные емкости Сг и С2. Влияние емкости Сх устраняют включением дополнительной емкости С = Сг ( 12-2). Емкость С3 включена параллельно стрелоч-

В этой формуле знак — предпочтительный, так как при знаке + в обмотке появляются дополнительные перекрещивания выводных концов секций. Для первого частичного шага у t = К/2р ± е сохраняется следующее условие: У!/ИП равно целому числу, иначе обмотка будет ступенчатой. Второй частичный шаг у г -у - У\-

Усилитель с 'трансформаторной связью между каскадами дороже усилителя типа RC вследствие относительно высокой стоимости трансформаторов. Из-за подмагничивания первичной цепи трансформатора постоянной составляющей тока в трансформаторном усилителе появляются дополнительные нелинейные искажения, возникающие за счет нелинейности кривой намагничивания стали сердечника трансформатора.

В результате влияния экрана на катушку увеличивается ее собственная емкость, так как появляются дополнительные емкости между витками и экраном (чем ближе экран к катушке, тем больше значение Со). Таким образом, чем ближе экран к катушке, тем больше его влияние на ее параметры. Экран изготовляют в форме стаканов круглого или прямоугольного сечения из алюминия или меди. Толщина стенки экрана

В отсутствие перемодуляции спектр амплитудно-мо-дулированного сигнала состоит из несущего колебания и перенесенного на <о0 спектра сообщения тс(0- При значительной перемодуляции в спектре сигнала появляются дополнительные частотные составляющие. Тогда спектры боковых полос уже не повторяют спектр тс (t) , ? ширина спектра модулированного сигнала превосходит ширину спектра сообщения.

Эти способы разбиения наиболее целесообразны при переводе на БИС существующей системы. При разработке новой системы у разработчика БИС появляются дополнительные возможности разбиения системы на БИС, обусловленные оптимизацией отдельных устройств системы с учетом возможностей технологии БИС. При этом разбиение системы на БИС осуществляют в такой последовательности:

Активные паразитные компоненты схемы исключаются соответствующим включением подложки и изолирующих областей резисторов. Свойственные диодным структурам емкости стремятся свести к минимуму, что достигается в диодной схеме выполнением входных диодов с общим коллектором и общей базой. При этом площадь коллекторного перехода сводится к минимуму. Однако в данном случае появляются дополнительные паразитные элементы — торцевые п—р—п транзисторы. Коэффициент усиления последних больше коэффициента усиления обычного паразитного р—п—р транзистора. Это связано с тем, что ширина базы паразитного торцевого п—р—п транзистора мала (меньше 6 мкм), эффективность его эмиттера большая, так как концентрация примесей в эмиттере выше, чем в базе.

ются больше тех, которые можно изготовить в интегральном исполнении, т. е. в этом случае многокаскадный усилитель будет состоять из одного малогабаритного корпуса «собственно» усилителя и (2п-}-1) корпусов конденсаторов большой величины. Естественно, что габариты и стоимость такого усилителя будут значительны при общем ухудшении надежности устройства. Ухудшаются не только эксплуатационно-экономические характеристики усилителя, но и падает его коэффициент усиления. Появляются дополнительные фазовые сдвиги в цепях индивидуальной термостабилизации каскадов.

этой частоте усилитель считается безынерционным и учитывается только деление сигнала в цепи ОС. При увеличении частоты появляются дополнительные фазовые сдвиги в транзисторных каскадах, несколько падает их усиление. Звено /?б2Со.с со значительно большей постоянной времени на этих частотах практически не вносит переменного фазового сдвига, он и так весьма близок к 90°, но с ростом частоты пропорционально ему звено уменьшает коэффициент передачи. Необходима проверка, какова будет глубина ОС по петле на частоте, на которой суммарный фазовый сдвиг сделается равным 180° (каждый каскад внес дополнительный фазовый сдвиг в 30°) и связь станет положительной. Критическая величина глубины положительной ОС для транзисторного усилителя (/Стахр=1) будет при величине емкости, определяемой из следующего выражения:

Пробой развивается следующим образом. Электроны, движущиеся в сток, ускоряясь в сильном продольном электрическом поле, вызывают ударную ионизацию в обедненном слое у края стоковой области. В результате появляются дополнительные носители заряда обоих знаков, число которых пропорционально числу первичных электронов (т. е. току канала) и увеличивается с ростом УЗИ-Дополнительные электроны быстро переносятся электрическим полем в сток; по пути они могут, в свою очередь, вызвать ударную ионизацию. Менее подвижные дырки гораздо медленнее переносятся в подложку. Вследствие этого у края стока образуется дополнительный положительный объемный заряд дырок, изменяющий распределение электрического поля и понижающий высоту потенциального барьера р-п перехода исток-подложка у поверхности. Увеличиваются инжекция электронов из истока и ток канала, что приводит к усилению удар-