Появляется дополнительный

Под воздействием внешнего электрического поля электроды проводимости в металлической пленке приобретают направленный импульс, появляется электрический ток. Электроны проводимости рассеиваются в пленке, на ее поверхностях и решетке, на примесях и дефектах структуры. По правилу Маттисена процессы рассеивания аддитивны, т. е.

Принцип считывания с помощью «бегущего луча» основан на том, что светлое пятно с экрана ЭЛТ или пятно, получаемое путем фокусировки луча от источника света, проектируется на считываемые знаки. Это световое пятно перемещается за счет движения луча по экрану ЭЛТ или за счет перемещения системы зеркал по считываемым знакам. Отраженный луч с помощью оптической системы проектируется на фотопреобразователь (в большинстве случаев фотоумножитель). В момент, когда луч пересекает темную линию знака или кодовую характеристику знака, количество отраженного света уменьшается и на выходе фотоумножителя появляется электрический импульс. ' ,

Вакуум является идеальной изоляционной средой, так как вероятность ионизации молекул газа путем соударения с ними электронов чрезвычайно мала. Однако опыт показывает, что при достаточно большой напряженности электрического поля ~ 106 — 10е В/см даже в самом совершенном техническом вакууме появляется электрический ток, который быстро возрастает при дальнейшем увеличении напряженности поля вплоть до пробоя.

Принцип считывания с помощью «бегущего луча» основан на том, что светлое пятно с экрана ЭЛТ или пятно, получаемое путем фокусировки луча от источника света, проектируется на считываемые знаки. Это световое' пятно перемещается за счет движения луча по экрану ЭЛТ или за счет перемещения системы зеркал по считываемым знакам. Отраженный луч с помощью оптической системы проектируется на фотопреобразователь (в большинстве случаев фотоумножитель). В момент, когда луч пересекает темную линию знака или кодовую характеристику знака, количество отраженного света уменьшается и на выходе фотоумножителя появляется электрический импульс.

Ионно-релаксационная поляризация. Используемые в технике твердые диэлектрики могут иметь неплотную упаковку объема частицами. В таких материалах образуются ионы, которые в ходе тепловых колебаний перебрасываются из положений временного закрепления на расстояния, соизмеримые с расстояниями между частицами (10~10 м), и закрепляются в новых положениях. В электрическом поле перебросы становятся направленными. В результате в диэлектрике возникает различие в расположении центров положительного и отрицательного зарядов, т. е. появляется электрический момент. Такой процесс называют ионно-релаксационной поляризацией. С ростом температуры число ионов, перебрасываемых в новые положения, увеличивается, поэтому растут поляризованность и диэлектрическая проницаемость. На 5.16 приведена зависимость ег от температуры для натриево-силикатного стекла, в структуре которого имеют место слабосвязанные ионы.

В качестве элементов, управляющих триггерами памяти, предназначенными также для других операций над сигналами, соответствующими двоичным числам, применяются электрические цепи, получившие название логических схем. Их примерами могут служить схема ИЛИ и схема И. Схема ИЛИ должна осуществлять операцию логического сложения: на выходе ее появляется электрический сигнал, соответствующий «1», как только хотя бы на одном из входов (их может быть любое число) появляется сигнал «1». Такая операция может осуществляться, например, схемой 8.11, а. Предположим, что в схеме возможны два предельных значения электрических сигналов: ^ + 2,4 В (логическая «1») и < + 0,2 В (логический «О»). Если на базах триодов ПП1, ПП2, ППЗ потенциал близок к нулю (логический «О» на всех входах), то и на выходе схемы он близок к нулю (триоды ПП1, ПП2, ППЗ

В разреженном газе, которым заполнен прибор, всегда присутствует небольшое количество электронов и ионов. Под действием электрического поля анод—катод отрицательно заряженные электроны устремляются к аноду, а положительно заряженные ионы — к катоду. При этом во внешней цепи прибора появляется электрический ток, т. е. происходит темповой разряд — участок Оа на вольт-амперной характеристике самостоятельного газового разряда ( 12). Электроны на пути к аноду многократно сталкиваются с атомами газа, которые в результате такого взаимодействия возбуждаются или ионизируются.

Условные графические обозначения терморезистора и пози-стора показаны на 63,а, б, а схема измерения температуры, в которой роль чувствительного элемента выполняет терморезистор RK, — на 63, в. Балансировка четырехпле-чего моста выполняется при определенной температуре окружающей среды, которая считается опорной (с нее начинается отсчет). Когда терморезистор оказывается в среде с другой температурой, его сопротивление изменяется, мост разбаланси-руется и в цепи измерительного прибора появляется электрический ток, пропорциональный температуре среды.

Струя раскаленного газа пролетает между полюсами магнита, пересекает магнитные силовые линии, В ней появляется электрический ток. Его снимают электроды, расположенные с обеих сторон струи, точно так же, как колодки коллектора снимают ток с якоря динамома-шины.

Второй путь был изучен в 1888 году русским ученым А. Г. Столетовым, работавшим с фотоэлементами. Суть фотоэлектрических явлений заключается в том, что под действием лучей света в некоторых веществах появляется электрический ток, энергия световых лучей превращается в электрическую.

Наиболее оперативной информацией о состоянии реактора при любом уровне его мощности, в том числе и в подкритическом состоянии, является нейтронный поток или период его изменения. Для измерения нейтронного потока наиболее широкое распространение получили ионизационные камеры [23, 24]. Ионизационная камера ( 11.4) представляет собой сосуд 5, заполненный газом, с электродами 2, находящимися под напряжением, подаваемым от внешнего источника 3. В нормальном состоянии газ является изолятором и ток в цепи не идет. При попадании в сосуд энергичных заряженных частиц или у-квантов они ионизируют атомы газа и образовавшиеся свободные электроны и ионы движутся к разноименно заряженным электродам, благодаря чему во внешней цепи появляется электрический ток, пропорциональный числу попадающих в камеру в единицу времени частиц. Ток регистрируется прибором 4. При колебании напряжения на электродах в некоторых пределах ток зависит только от количества и энергии падающих заряженных частиц и у-квантов. Нейтроны не производят ионизации, и для того чтобы при их попадании в камеру также создавался ток, используют радиаторы. В качестве радиаторов применяют вещества, ядра которых активно поглощают нейтроны 10В, 235U, 3Не. Ядра этих изотопов при захвате нейтрона распадаются на две положительно заряженные частицы, имеющие большую кинетическую энергию и способные сильно ионизировать газ. Радиаторы применяются либо в твердом (U, В), либо в газообразном виде (BF3, He). Твердый радиатор наносится непосредственно на электрод 1 (см. 11.4). Ионизационные камеры с 235U называют камерами деления.

(12.40) появляется дополнительный член /7а2Ха, сдвигающий механическую характеристику двигателя в область более низких частот вращения (. 12.20, а, кривая 2). Для того чтобы приблизить ее к механической характеристике при постоянном токе (кривая /), часть витков обмотки возбуждения при переходе на питание переменным током

Теперь замкнем цепь отрицательной обратной связи и проследим за всеми происходящими в усилителе процессами. Для конкретности предположим, что температура окружающей среды увеличилась на 75°С и характеристики первого транзистора сдвинулись влево на 150 мВ. При этом в цепи коллектора первого транзистора появляется дополнительный ток 0,15 мА, который, протекая по резисторам RK\, RBXt и R3, вызывает изменение напряжения в базе второго транзистора, прикрывая его. Уменьшаются ток коллектора второго транзистора, падение напряжения на сопротивлении /?э, стабилизируется величина • С/нэ — U6. эь а значит, и величина тока базы первого транзистора. В рассмотренном случае глубина отрицательной обратной связи невелика — увеличение напряжения на 150 мВ вызывает уменьшение напряжения URg на 450 мВ (коэффициент передачи по цепи ОС равен 3), но и это в 3 раза улучшает характеристики, уменьшая общее изменение напряжения в коллекторе второго транзистора до 2 В, что допустимо в большинстве случаев на фоне номинального напряжения в коллекторе 7 В и общего изменения температуры на 150 °С.

ствие тех или иных причин (большого активного сопротивления в цепи, неправильного выбора параметров автоматических регуляторов скорости или регуляторов возбуждения, прямо или косвенно реагирующих на изменение скорости) в системе при увеличении скорости появляется дополнительный, ускоряющий ротор вращающий момент. Этот момент может быть обусловлен поступлением добавочной энергии от первичного двигателя. В ряде случаев такой дополнительный момент может появиться за счет запасенной в емкости или индуктивности электромагнитной энергии, освобождающейся во время переходного процесса.

При введении в кремний или германий примесей III группы (алюминия, бора или индия), называемых акцепторными, в кристаллической решетке ( 1.1, в) в месте расположения атома примеси появляется дополнительный энергетический уровень, расположенный вблизи валентной зоны и незаполненный при температуре абсолютного нуля. За счет прихода электрона от соседнего атома основного вещества (например, при нагреве до комнатной температуры) образуется отрицательный ион примеси, а на месте оборванной связи положительный заряд — дырка. Локальные энергетические уровни примесей расположены теперь около валентной зоны и легко берут на себя электроны из этой зоны, приводя к образованию дырок. Основными носителями при этом становятся дырки, неосновными — электроны. Избыточный заряд дырок уравновешивается зарядом отрицательных ионов, при этом сохраняется электрическая нейтральность полупроводника. Полупроводник с акцепторной примесью называется полупроводником р-типа. Для р-полупроводника

При управлении тиристорами и учете процессов коммутации (а > 0; Y 2> 0) между синусоидальным напряжением и основной гармоникой тока в сети появляется дополнительный фазовый сдвиг и ф = а + v/2 (см. 115, д). Коэффициент мощности при этих условиях уменьшается:

на 8.32. Сначала в исходном графе ( 8.32, а) устраняют петлю ( 8.32, б). При этом появляется дополнительный узел i', который устраняется на втором этапе преобразования ( 8.32, в). Наконец, устраняется заданный узел / ( 8.32, г). Инверсия ветви. Инверсией ветви, являющейся частью прямого пути ( 8.33, а), называют изменение ее ориентации

не того, появляется дополнительный момент взаимодействия потока Фд и м.д. с. Fd. Важно отметить, что момент Мс не зависит от конкретного углового положения датчика, а определяется только углом рассогласования.

185.5. В первом уравнении Максвелла rot H = уЕ в неподвижной системе координат для проводящей среды в случае ее движения появляется дополнительный член и уравнение принимает вид: rot Н = Y (E + [vBJ). Это означает, что движение проводящей среды в магнитном поле создает добавочное электрическое поле, растущее пропорционально скорости движения среды.

Полупроводник n-типа. При введении в собственный полупроводник пятивалентной донорной примеси (например, As, P, SB) в нем образуется избыточная концентрация электронов. Атом такой примеси, занимая узел кристаллической решетки полупроводника, оказывается в окружении его атомов ( 27, а). На зонной диаграмме электронного полупроводника ( 27, б) появляется дополнительный — донорный уровень энергии ДУ, располо-

При введении в кремний или германий примесей III группы (алюминия, бора или индия), называемых акцепторными, в кристаллической решетке ( 1.1, в) в месте расположения атома примеси появляется дополнительный энергетический уровень, расположенный вблизи валентной зоны и незаполненный при температуре абсолютного нуля. За счет прихода электрона от соседнего атома основного вещества (например, при нагреве до комнатной температуры) образуется отрицательный ион примеси, а на месте оборванной связи положительный заряд — дырка. Локальные энергетические уровни примесей расположены теперь около валентной зоны и легко берут на себя электроны из этой зоны, приводя к образованию дырок. Основными носителями при этом становятся дырки, неосновными — электроны. Избыточный заряд дырок уравновешивается зарядом отрицательных ионов, при этом сохраняется электрическая нейтральность полупроводника. Полупроводник с акцепторной примесью называется полупроводником р-типа. Для р-полупроводника

(21 Initial condition source — в выпадающем меню этого окна можно задать внешнюю установку начальных условий. В этом случае в изображении блока появляется дополнительный входной порт;