Параметры эквивалентного

По эквивалентным активной, реактивной и полной проводимо-стям можно определить параметры эквивалентной схемы ( 2, 17, в) цепи.

Параметры эквивалентной схемы: Z3K = Z,,/, +J*L~ >'ж + Iх к-

(Сб'Э, Ск, г'б, Гб'а, Si — параметры эквивалентной схемы биио-

Со — общая шунтирующая емкость Си. CIJH, С22и, S — параметры эквивалентной схемы поле-

средних частот: ЯН=«Ю Ом, Яб=16'67 Ом, Я„х=671 Ом, Лг=625 Ом, К= -t/2/f/i=46,7 (33,4 дБ), /CB==f/2/?i- 18,75 (25,46 дБ), а затем по (4.1) ~ (4.11) — параметры эквивалентной схемы каскада (см. 4.1) и частоты полю-

Пример 3.5. С помощью теоремы Тевенина найти параметры эквивалентной схемы активного двухполюсника, изображенного на 3.8,а. Дано: /=20 мА, ? = 60ехр(/30°) В, L = 40 мкГн, f=20 МГц, Я = 3 кОм.

Пример 2.1. Последовательное соединение резистивного и индуктивного элементов имеет комплексное сопротивление Z = Ra + jX, = (3 + j4) Ом. Определить параметры эквивалентной схемы, состоящей из параллельно соединенных резистивного и индуктивного элементов.

Пример 7.4. Катушка со стальным магнитопроводом включена в сеть при / = 50 Гц, U = 220 В. Амперметр электродинамической системы показывает 0,2 А, а ваттметр - 5 Вт. Определить параметры эквивалентной синусоиды тока и схемы замещения катушки ( 7.10, б).

7.72. Определить основные параметры эквивалентной схемы ( 7.3) германиевого диода, если концентрация дырок в р-области рр=1015 см~3, а концентрация электронов в /г-области п„=1016 см~3, обратный ток насыщения /0=5 мкА, прямое напряжение ?/пр=0,2 В, температура Г= =300 К, объемное сопротивление диода #s=10 м, время жизни носителей заряда тр=10 мкс.

Параметры эквивалентной схемы /0 и Rw (В) могут быть получены при переходе в уравнении (1-4) от dB/dt к э. д. с. по закону электромагнитной индукции и от напряженности к току по закону полного тока. Подставляя в (1-4) dB/dt = е (f)/(sw) и Н = iw/l, получим

Показатели импульса тока в шине: амплитуда /„.„ — 0,55 А, длительность активной части (а — 1„—1с„—\,5 мкс, длительность спада /сп = 0,1 мкс. Расчет Определим неизвестные параметры эквивалентной схемы:

провода зависят от частоты тока. Действительно, площадь динамической петли гистерезиса магнитопровода зависит от частоты намагничивающего тока (см. § 8.4). Следовательно, и параметры эквивалентного эллипса, определяющие параметры схемы замещения идеализированного однофазного трансформатора, также зависят от частоты намагничивающего тока.

Пример 2.2. Найти параметры эквивалентного двухполюсника, состоящего из п параллельно включенных источников одной частоты со с э. д. с. ?,- и сопротивлениями Zt.

провода зависят от частоты тока. Действительно, площадь динамической петли гистерезиса магнитопровода зависит от частоты намагничивающего тока (см. § 8.4). Следовательно, и параметры эквивалентного эллипса, определяющие параметры схемы замещения идеализированного однофазного трансформатора, также зависят от частоты намагничивающего тока.

провода зависят от частоты тока. Действительно, площадь динамической петли гистерезиса магнитопровода зависит от частоты намагничивающего тока (см. § 8.4). Следовательно, и параметры эквивалентного эллипса, определяющие параметры схемы замещения идеализированного однофазного трансформатора, также зависят от частоты намагничивающего тока.

Табл. 12.1. Шумовые параметры эквивалентного генератора шума

1) Определить U и внутреннее сопротивление Z эквивалентного источника напряжения ( 6.10, б); 2) как изменятся параметры эквивалентного источника, если изменится полярность одного из генераторов?

Определить: 1) матрицу [А]; 2) параметры эквивалентного Т-образного четырехполюсника.

Используя параметры эквивалентного генерато-

Измерьте параметры эквивалентного генератора

Шаг 1. Рассчитывается комплексное сопротивление активно-индуктивной ветви. Шаг 2. Определяется комплексная проводимость этой ветви. Шаг 3. Выделяются активная и реактивная составляющие комплексной проводимости и рассчитываются параметры эквивалентного двухполюсника с параллельным соединением RPAR и LPAR (схема 5.12).

Влияние частоты на значения параметров биполярного транзистора. По мере повышения частоты между токами и напряжениями малого сигнала, действующего в цепях транзистора, возникают фазовые сдвиги и все параметры эквивалентного четырехполюсника становятся частотно-зависимыми комплексными величинами (подробнее о комплексных параметрах см. § 5.9). При этом каждый из параметров представляют либо в виде алгебраической суммы вещественной (активной) и мнимой (реактивной) составляющих Z 22 —г22~Н/-*:22, либо в показательной форме с помощью модуля и