Плотность размещения

Для вычисления затрат на функционирование одиночной вершины необходимо определить распределение уровня запасов каждого типа в течение цикла 7о. Пусть f(x) —плотность распределения времени пополнения запасов, т. е. интервала времени от момента заказа до момента поставки; (i/?, t) —плотность распределения величины спроса R на компоненты и сборочные единицы в течение времени t; f(y) —плотность распределения момента у наблюдения в интервале цикла; w(r, у) —плотность распределения текущего запаса г в момент у, отсчитываемый от начала цикла. При у^х имеем w (г, у)='Е,(М—г; Т0-\-у). Аналогично при у.>х r=M—R(y) и w(r, y)=l(M—r, у).

Безусловная плотность распределения текущего запаса в цикле

Экспериментальные исследования показали, что плотность распределения g(y) можно представить распределением Эрланга с параметрами а и а:

Выразим функцию w(t) через одномерную плотность распределения w(x, t) случайного процесса x(t):

Распределение производственных погрешностей подчиняется закону Гаусса при соблюдении следующих условий: 1) общая погрешность представляет сумму частных погрешностей, вызванных действием значительного числа случайных факторов и некоторого числа первичных систематических факторов; 2) среди частных погрешностей нет доминирующих, т. е. влияние на общую погрешность одного порядка; 3) все случайные факторы взаимно независимы; 4) число случайных факторов и параметры вызванных ими частных погрешностей не изменяются во времени; 5) число систематических факторов и значения вызванных ими частных погрешностей остаются одинаковыми. Такие условия создаются при массовом производстве деталей и сборке аппаратуры на автоматически работающем оборудовании. Параметры нормального закона распределения производственных погрешностей (среднее значение, среднеквадратическое отклонение), а также интегральная плотность распределения, полное поле рассеяния уже были рассмотрены в гл. 3.

струмента), равномерно изменяющийся во времени, то полное рассеивание отклонений одной производственной партии соответствует закону равной вероятности ( 10.1). Плотность распределения закона равной вероятности описывается уравнением

где f(x)—плотность распределения нормального закона; flll(x), fiv (x) —производные третьего и четвертого порядков f(x); rs, r$— основные моменты третьего и четвертого порядков.

метра лежит в поле допуска, оговоренном ТУ. Если плотность распределения погрешностей контроля имеет закон f(y), то плотность распределения параметров выходного потока изделий может быть записана следующим образом:

С учетом выражения (15.7) это позволяет сделать вывод о том, что выражение (15.14) является рекуррентным и полученная выходная плотность распределения параметра служит входной для последующих операций изменения состояния или операцией контроля. Учитывая, что система межоперационного контроля предполагает использование ЭВМ, отметим, что для его вычисления может быть написана подпрограмма. Из (15.14) также следует, что

где я)(л:) — плотность распределения влияния рабочего места на контролируемый параметр.

Для перехода к описанию процесса, происходящего в течение ТО на уровне интегральных вероятностей, следует остановиться на форме представления исходных данных. Достаточно простым и точным методом аппроксимации исходных зависимостей плотностей вероятностей, интегральных законов распределения и т. п. является полигауссово приближение. По известному свойству нормальных распределений имеем, что плотность распределения (15.20) также будет нормальной, а в случае полигауссового представления — полигауссовой. С другой стороны,

Основное достоинство биполярных транзисторов — высокое быстродействие при достаточно больших токах коллектора. Наличие внешних теплоотводов позволяет работать биполярным транзисторам при мощности рассеяния до 50 Вт и токах до 10 Л. Основной недостаток - относительно небольшие сопротивление входной цепи биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ (1-10 кОм), и плотность размещения при производстве интегральных микросхем.

Большие размеры ЦМД в ортоферритах дают возможность получать плотность размещения информации всего порядка Ю3—Ю4 бит/см2, вследствие чего ортоферрйты не являются перспективнымиматериа-

лами для устройств на ЦМД. Чтобы повысить плотность размещения информации, необходимо применять материалы с меньшими размерами (диаметрами) доменов. Этому требованию хорошо отвечают некоторые редкоземельные ферриты-гранаты.

В табл. 8.1 приведены параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов, из которой видно, что эти материалы имеют домены с диаметрами порядка нескольких микрометров, что позволяет получить плотность размещения информации 105—10е бит/см2 и даже выше. Однако подвижность доменных границ этой группы материалов ниже, чем у ортоферритов.

В устройствах МЭА плотность упаковки элементов, достигнутая в кристаллах ИМС, из-за низкой плотности проводников печатных плат, необходимости применения устройств теплоотвода и других габаритных конструкционных элементов снижается. Одним из принципиально новых конструктивно-технологических направлений совершенствования техники монтажа МЭА в части увеличения плотности упаковки элементов и компонентов, снижения материалоемкости (а следовательно, снижения габаритов и массы), роста надежности ячеек и блоков, систем и комплексов МЭА является создание гибридных интегральных функциональных устройств (ГИФУ). Это направление характеризуется применением базовых процессов тонко- и толстопленочной технологии для создания многоуровневых коммутационных плат ГИФУ с высокой плотностью проводников (вместо печатных плат), причем такие платы одновременно могут служить высокоэффективным средством теплоотвода. Кроме того, для ГИФУ характерна высокая плотность размещения на коммутационной плате ИМС и радиокомпонентов (чаще всего бескорпусных).

Для изготовления полупроводниковых ИМС применяют монокристаллический сверхчистый кремний. Плотность размещения атомов в кристаллической решетке кремния 5 • 10281/м3. Ширина запрещенной зоны 1,12 эВ. В беспримесном (собственном) полупроводнике общее число свободных электронов п равно числу дырок р:

При современнбм уровне технологии разрешающая способность фотолитографии определяет достижимые геометрические размеры структур ИМС и достижимую поверхностную плотность размещения элементов микросхемы на подложке. При химическом травлении тонких пленок через контактную маску существенную погрешность вносит боковое подтравливание, т. е. разрушение участков пленки под кромкой маски. Контур получаемого рисунка становится нечетким, а погрешность достигает величины, приближающейся к толщине пленки.

Логические элементы И — НЕ, ИЛИ — НЕ на основе КМДП-структур изображены на 3.11, б, в, В отличие от логических элементов на однородных вентилях, КМДП-структуры требуют создания дополнительной изолирующей области ( 3.11, в), сами логические элементы содержат большее число вентилей. В связи с этим плотность размещения логических элементов на кристалле для КМДП-микросхем заметно ниже, чем для однородных МДП-схем. Промышленностью выпускаются серии МДП-логических микросхем К107, КЮ8, К147, К178 и др.

высокую плотность размещения навесных элементов;

Создание более сложных БИС выявило ряд недостатков, присущих этой структуре. Среди них можно выделить следующие: низкую плотность размещения компонентов на кристалле, обусловленную наличием разделительных диффузионных р-облас-тей, значительной толщиной эпитаксиальной пленки, трехмерностью диффузионных процессов, ограничениями процесса фотолитографии; большие паразитные емкости и токи утечки изолирующего р-п-пере-хода; невысокие пробивные напряжения изоляции; малая радиационная стойкость.

Основное достоинство биполярных транзисторов — высокое быстродействие при достаточно больших токах коллектора. Наличие внешних теплоотводов позволяет работать биполярным транзисторам при мощности рассеяния до 50 Вт и токах до 10 А. Основной недостаток - относительно небольшие сопротивление входной цепи биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ (1-10 кОм), и плотность размещения при производстве интегральных микросхем.