Параметры четырехполюсника

Радиоспектрометрические — это методы ядерного магнитного резонанса (ЯМР), электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и микроволновая спектроскопия. Порог чувствительности — 0,0001...0,1 % объема. Минимальное количество твердого тела не превышает 10~13 г, погрешность измерения — 2...3 %.

Радиоспектрометрические — это методы ядерного магнитного резонанса (ЯМР), электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и микроволновая спектроскопия. Порог чувствительности — 0,0001...0,1 % объема. Минимальное количество твердого тела не превышает 10~13 г, погрешность измерения — 2...3 %.

Преобразователи электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). В отличие от ядерных преобразователи ЭПР основаны на использовании резонанса электронов в веществах, атомы которых имеют неспаренные электроны, благодаря чему электронная оболочка обладает магнитным дипольным моментом. К таким веществам относятся, например, элементы переходной группы, свободные радикалы (аа-ди финил-р-пикрил-гидразин; раствор натрия в жидком аммиаке).

3) радиоспектрометрические методы, к которым относится метод ядерного магнитного резонанса (ЯМР), электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и микроволновая спектроскопия; в последние годы получили широкое применение для исследования свойств ядер, молекул, кристаллов и для других физико-химических исследований. Для качественного и количественного анализа вещества эти методы пока еще широко не применяются, однако присущие им ценные метрологические свойства указывают на перспективность их применения.

Используются различные способы получения инверсной заселенности рабочих уровней. Наиболее широкое применение получили парамагнитные квантовые усилители, основанные на явлении парамагнитного резонанса в твердых телах, описанном в § 11.7. В качестве рабочего вещества в этих усилителях используются диамагнитные кристаллы, содержащие небольшие количества парамагнитной примеси. К таким веществам относится, в частности, рубин,, представляющий собой окись алюминия (А1аО3), содержащий при-

В пользу образования тримера N3Oe говорят также и данные Вельского и др. [15], установленные с помощью электронно-парамагнитного резонанса. Однако авторы

1 Как показали исследования электронного парамагнитного резонанса,

Авторы [85, 86, 112-114] с помощью методов электронно-парамагнитного резонанса (ЭПР), ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и ИК-спектроскопии поглощения исследовали природу связи атомов Н и F в аморфных сетках гидрогенизированных и/или фторизованных соединений A1VB*V. Эти работы подробно обсуждаются ниже, поэтому здесь будут рассмотрены лишь основные установленные в них локальные особенности структуры связей. В спектрах ЯМР авторы [85, 86, 112-114] наблюдали широкую и узкую линии магнитного резонанса. Узкая линия была приписана связям атомов Н (или F) с аморфной сеткой матрицы. С ростом интенсивности узкой линии в образцах падает концентрация свободных связей, что приводит к ослаблению сигнала ЭПР. Широкая линия магнитного резонанса обусловлена, по мнению авторов [85, 86, 112-114], атомными конфигурациями с близким расположением атомов Н и/или F. Итак, было показано [85, 86, 112-114], что только одна часть введенных в a-Si атомов Н и F действует как пассиваторы свободных связей, другая часть атомов встраивается в структуру связей аморфной сетки иным путем.

Авторы [85, 86, 112-114] с помощью методов электронно-парамагнитного резонанса (ЭПР), ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и ИК-спектроскопии поглощения исследовали природу связи атомов Н и F в аморфных сетках гидрогенизированных и/или фторизованных соединений A1VB1V. Эти работы подробно обсуждаются ниже, поэтому здесь будут рассмотрены лишь основные установленные в них локальные особенности структуры связей. В спектрах ЯМР авторы [85, 86, 112-114] наблюдали широкую и узкую линии магнитного резонанса. Узкая линия была приписана связям атомов Н (или F) с аморфной сеткой матрицы. С ростом интенсивности узкой линии в образцах падает концентрация свободных связей, что приводит к ослаблению сигнала ЭПР. Широкая линия магнитного резонанса обусловлена, по мнению авторов [85, 86, 112-114], атомными конфигурациями с близким расположением атомов Н и/или F. Итак, было показано [85, 86, 112-114], что только одна часть введенных в a-Si атомов Н и F действует как пассиваторы свободных связей, другая часть атомов встраивается в структуру связей аморфной сетки иным путем.

Сущность электронного парамагнитного резонанса принципиально не отличается от рассмотренного ядерного магнитного резонанса. Отличие состоит лишь в резонансной частоте.

Спин-спиновая релаксация обусловлена взаимодействием между отдельными спиновыми моментами. При этом переход одной частицы в состояние с большей энергией обязательно сопровождается переходом другой частицы в состояние с меньшей энергией, а внутренняя энергия системы парамагнитных частиц сохраняется. Спин-спиновая релаксация приводит к уширению линий электронного парамагнитного резонанса, что можно объяснить действием местных магнитных полей, меняющих частоту перехода. Общее время релаксации т определяется ф-лой (7.86) :

Параметры четырехполюсника

Следовательно, параметры четырехполюсника

Параметры четырехполюсника

Полученные выражения для & и / в каждой точке линии пре--образуются с использованием гиперболических функций, и подчер' кивается их аналогия с уравнениями для однородных симметричных цепных схем. Определяются параметры четырехполюсника, эквивалентного линии в целом.

10. По данным опытов холостого хода и короткого замыкания определить параметры четырехполюсника и эквивалентной Т- или П-схемы.

Однако элементы матрицы [А] или параметры четырехполюсника могут быть определены, если использовать режимы холостого хода и короткого замыкания на стороне зажимов 2-2' .

Найдем выражения функций передачи через параметры четырехполюсника и сопротивление нагрузки. Функцию передачи напряжений получим, если в первом уравнении через параметры передачи системы (12.13) или втором уравнении через пара-

Вид рациональных дробей имеют также все рассмотренные параметры четырехполюсника.

8.106. Транзистор в Т-образной схеме замещения с генератором тока имеет следующие параметры: гэ=15 Ом; Гб=250 Ом; гк—1 МОм; а=0,925. Определить /i-параметры четырехполюсника, эквивалентного транзистору, включенному по схеме с общей базой.

Сопоставляя уравнения, записанные для схем замещения, с урав.-нениями четырехполюсника (4.18), можно выразить параметры четырехполюсника через параметры схем замещения.

4. Что такое параметры четырехполюсника?