Плотность объемного

В ней Я^б = 4?Г/?бД/, ?'L = 4*7/? 9Д/, ?^к = 4kT\Zk\ Д/. Влияние шумов на выходную величину оценивают отношением квадрата действующего значения напряжения сигнала к среднему квадрату напряжения шума (дисперсии) на выходе устройства. Когда нелинейная схема работает в режиме, близком к линейному, и в ней может быть выделен доминантный источник белого шума, то принимают, что спектральная плотность шума Sm(0) = IkTR. Комплексным методом подсчитывают передаточную функцию четырехполюсника от шумовой ЭДС на выход четырехполюсника /((/ш), по формуле (Г.6) определяют спектральную плотность напряжения шума

1 В случае детерминированного AM колебания ( 3.9) при переходе от спектра Sa (ш) к спектру SA (ш) удваивается спектральная плотность напряжения (или тока), что приводит к учетверению спектральной плотности энергии, пропорциональной 5Д (со). В данном случае мощность всего лишь удваивается из за некогерентного суммирования энергетически)! спектров от обоих лепестков Ух (ш).

U (t) — огибающая амплитуд высокочастотного напряжения и (t) U (t) — комплексная огибающая напряжения и (t) U (ш) — спектральная плотность напряжения и (/) — мгновенное значение напряжения W0 — энергетический спектр белого шума Wx (со) — энергетический спектр случайного процесса и ((} WА (Я) — энер! етический спектр огибающей случайного процесса Wxii (fo) .— взаимный энергетический спектр случайных процессов

16.34р. Спектральная плотность напряжения на выходе фильтра

16.34р. Спектральная плотность напряжения на выходе фильтра

Построить спектральную характеристику (плотность) напряжения на выходе четырехполюсника.

Спектральная плотность F(/co) реакции цепи (например, спектральная плотность напряжения t/(/co) или тока /(/со) произвольного элемента цепи) вычисляется по спектральной плотности воздействия FB(/
^ Спектральная плотность F (/со) реакции цепи [например, спектральная плотность напряжения U (/со) или тока / (/со) произвольного элемента цепи] вычисляется по спектральной плотности воздействия FT (/со) генератора и соответствующей комплексной функции передачи цепи /С (/со):

Для биполярного транзистора спектральная плотность напряжения шума еш определяется двумя составляющими: тепловым шумом сопротивления базы т-6 и дробовым шумом коллекторного тока /к, протекающим через сопротивление эмиттера г3, т. е.

Выражение (8.36) — спектральная плотность напряжения

Теперь вернемся к рассмотрению джонсоновского шума в диоде Ганна. Если импеданс необедненных областей вне домена Z=R + jX, то вектор импеданса поля есть просто Я(/со, х) = = Z/L, где L — полная длина образца. По формуле (10.27) находим спектральную плотность напряжения теплового шума на частотах ниже частоты столкновений

такой температуры, при которой кинетическая энергия электронов становится больше так называемой работы выхода из металла и возникает термоэлектронная эмиссия. Если второй электрод, называемый анодом, имеет нулевой потенциал относительно катода, то часть электронов, достигших анода, образует небольшой ток, а другая часть заполняет пространство между катодом и анодом (объемный заряд). При положительном потенциале анода относительно катода ток возрастает, плотность объемного заряда уменьшается, и возникает новое состояние равновесия, соответствующее увеличенной скорости движения электронов к аноду. С уменьшением плотности объемного заряда по мере роста потенциала анода ток стремится к предельному значению —

4.3. Плотность объемного заряда................. 48

р — плотность объемного заряда

4.3. Плотность объемного заряда

4.2 видно, что в точке х — О концентрации электронов и дырок равны, т. е. п = р. В этой точке концентрация носителей будет минимальной и равной концентрации гаг в собственном полупроводнике. В области идеального р — «-перехода выполняются условия п = р = nt; Nd — Na, т. е. количество дырок равно, поэтому суммарная плотность объемного заряда будет равна нулю:

В га-области (при х ^ 0) плотность объемного заряда положительна, а в р-области (при х ^ 0) — отрицательна. В соответствии с выражением (4.2) плотность объемного заряда вблизи х = О для га-области равна р = qNd, а для р-области р. = —qNa, т. е. на границе раздела (х = 0) происходит скачкообразное изменение плотности объемного заряда ( 4.3).

Лучевой тетрод. В лучевом тетроде несколько увеличено расстояние между сеткой С2 и анодом, витки управляющей и экранирующей сеток расположены друг против друга и имеют одинаковый шаг. Кроме того, применены специальные экраны Э, ограничивающие электронный поток в сторону траверс ( &.6р,б). Благодаря этому электронный поток сфокусирован в промежутке сетка С2 -анод и имеет большую плотность объемного заряда, что создает отрицательный барьер для вторичных электронов.

В приповерхностной области это условие нарушается и плотность объемного заряда

Если ввести безразмерные потенциалы v = e*P/(kT'r, u = e
Пусть в полупроводнике n-типа плотность объемного заряда в пределах обедненного слоя Q^ix^w p=e[Nd(x) — Na(x)]. Если граница обедненной области при увеличении напряжения структуры на AU переместилась на Ах, то объемный заряд унеличился на

На 5.10, а приведена зонная диаграмма для структуры металл — полупроводник при обратном напряжении U. Напряжению U в стационарном состоянии соответствует обедненный слой, граница которого находится в точке шс и является резкой. Уровень Ферми пересекает уровень ?г в точке x=wc—/с. В стационарном состоянии глубокие доноры в области 0<.xс глубокие уровня заполнены, плотность объемного заряда равна eNd; она имеет скачок в плоскости x = wc—/с. На емкость структуры влияют только глубокие уровни в пределах области 0<ж<гг>с—/с.