Плотность комплексной

При нейтронном излучении (промежуточные и быстрые нейтроны) плотность излучения измеряется числом нейтронов, прошедших через единицу площади облучаемого тела перпендикулярно его поверхности (1 см2, 1 м2). Нейтронная единица дозы (нед) —доза нейтронного излучения, вызывающего в тканеэквивалентном газе массой 1 кг образование путем ионизации ионов с суммарным зарядом в, 1 Кл. Тканеэквивалентный газ имеет следующий состав: 64,4% метана, 32,5% углекислого газа и 3,1% азота.. Воздействие нейтронного облучения на такой газ аналогично влиянию на органические вещества, ибо и здесь и 'там при нейтронном облучении происходит разрушение органических молекул.

где Rl — спектральная плотность излучения; сг = 2ясай — первая постоянная излучения; сг — chlk — вторая постоянная излучения; с — скорость света в вакууме; h — постоянная Планка; k — постоянная Больцмана. При малых значениях КТ используют формулу Вина

где RK — спектральная плотность излучения; сг — 2пс2А — первая постоянная излучения; с2 = chlk — вторая постоянная излучения; с — скорость света в вакууме; h — постоянная Планка; k — постоянная Больцмана. При малых значениях КТ используют формулу Вина

Так как число индуцированных переходов растет с увеличением плотности излучения, то желательно, чтобы усиливаемый сигнал и стимулированное им излучение проходили активную среду многократно. При каждом таком проходе плотность излучения растет и эффективность высвечивания возбужденных частиц повышается.' Для достижения этой цели рабочее вещество помещают в объемный резонатор, настроенный на частоту усиливаемого сигнала (а следовательно, и стимулированного излучения).

Температура, К Яркостная температура (Х= =665 им), К Коэффициент монохроматического лучеиспускания (\=665 нм) Плотность излучения, Вт/Сем") Теплопроводность, Вт/(м-К) Относительное расширение /',-/*» ч Скорость испарения, г/(см"-с) Давление насыщенных паров, Па Световая отдача, лм/Вт Плотность тока эмиссии, А/см2 Эффективность элекгрон-ноб эмиссии, А/Вт

Плотность излучения, Вт/см2 — 5,2 — — —

Плотность излучения, Вт/см2 . . ..... 0,004

Плотность излучения,

а поверхностная плотность излучения

где Етл — плотность излучения, падающего на ГСЭ; 5СЭ и 7сэ — его площадь и КПД соответственно.

Рассмотренная квантовая система, находящаяся в состоянии теплового равновесия с ограничивающими ее стенками, при отсутствии излучения наружу является ни чем иным, как моделью абсолютно черного тела. Плотность излучения абсолютно черного тела определяется известной формулой Планка:

Спектральная плотность комплексной огибающей

где V (t) — функция, называемая комплексной огибающей, которая изменяется во времени гораздо медленнее, чем гармоническое колебание частоты со0. В общем случае функция U(t) принимает комплексные значения и поэтому не является обычным физическим сигналом. Но это свойство не мешает рассматривать ее спектральным методом. Положим,, что GBx(co) — спектральная плотность комплексной огибающей. Установим связь между функциями Овх(<о) и FBX(CO). С учетом (7.5)

Так как рассматриваемое колебание узкополосно, то спектральная плотность комплексной огибающей на входе линии концентрируется в узкой полосе частот вблизи нуля. Поэтому можно приближенно распространить интегрирование в (7.11) на весь бесконечный интервал частот. Далее, оба интеграла в (7.11) по отношению друг к другу являются комплексно-сопряженными, так что

Найти спектральную плотность комплексной огибающей амплитуд аналитического сигнала.

Полагая величину расстройки До) малой, аргумент комплексной огибающей [Л(о/ + ф] (/)] можно считать медленной функцией времени но сравнению с ej'V, а спектральную плотность комплексной огибающей Gv\ (ю) —сосредоточенной вблизи нуля (см. 3.24). Реакции цепи п2 соответствует аналитический сигнал

Как следует из (7.29), спектральная плотность комплексной огибающей 02(t) определяется произведением спектральной плотности комплексной огибающей t7t (t) на передаточную функцию Кэкв(й) некоторого низкочастотного фильтра. Следовательно, комплексная огибающая 02(t) является реакцией этого фильтра на входной сигнал Oi(t). Частотная характеристика фильтра получается смещением правых ветвей амплитудной К(к> — шр) и фазовой фх(ш — юр) характеристик узкополосной цепи на частоту о)р влево, в область низких частот ( 7.7).

где a=l/ti<, и соотношением (7.29), находим спектральную плотность комплексной огибающей тока

С учетом начальной фазы колебания 90, спектральную плотность комплексной огибающей A(t) можно представить в форме

3. Спектральная плотность комплексной огибающей A (t) совпадает со смещенной на величину со( влево спектральной плотностью аналитического сигнала za (/).

С учетом начальной фазы колебаний 00 спектральную плотность комплексной огибающей A (t) можно представить в форме

Совокупность физических колебаний /4С08 (/) и /4sin (О, записанная в виде суммы /4COS (О + iAa\n (t), позволяет трактовать комплексное колебание как физический процесс. Следует при этом иметь в виду, что рассматриваемое комплексное колебание не является аналитическим сигналом. Это объясняется тем, что спектральная плотность комплексной огибающей A (t) не обращается в нуль в области частот со < О (см. п. 3, § 3.10).