Плотность диффузионногоПлотность дырочного диффузионного тока определяется из аналогичного выражения jpo = — qD'p (dpldx), где Dp — коэффициент диффузии дырок; dpldx — градиент концентрации дырок. Коэффициенты диффузии Вп и Dp связаны е подвижностью соотношением Эйнштейна: Dn = fin (KT/q)', Вр = цр (kTlq).
Концентрация дырок в базе на пути движения от эмиттерного перехода к коллекторному изменяется по длинен базы, что вызывает расширение области объемного заряда в глубь области базы. База сохраняет электрическую нейтральность, и все внешние напряжения падают на коллекторном и эмиттерном переходах, поэтому плотность дырочного тока в базе определяется только диффузионной составляющей
Определить: а) отношение концентраций основных и неосновных носителей заряда; б) диффузионную длину для дырок; в) плотность дырочного тока.
Решение. Плотность дырочного тока в базе
Плотность дырочного тока с учетом (1.23) и (1.27)
Чтобы убедиться в этом, выполним расчет времени пролета неосновных носителей заряда через базу диода. В общем случае плотность дырочного тока
а плотность дырочного тока одинаковая во всех сечениях с учетом (3.27) и (3.31)
Обратная связь по напряжению. Этот термин применяется для определения только что рассмотренного влияния напряже"-ния С/КБ на процессы в эмиттер-ном переходе. Если в результате увеличения ?/кв ширина базы уменьшилась на величину dw = = ш — w', а градиент концентрации и с ним плотность дырочного диффузионного тока соответственно возросли, то это означает, что от эмиттерного перехода в единицу времени уходит большее число дырок и увеличивается ток /э.
а плотность дырочного дрейфового тока
Обратная связь по напряжению. Этот термин применяется для определения только что рассмотренного влияния напряже"-ния С/КБ на процессы в эмиттер-ном переходе. Если в результате увеличения ?/кв ширина базы уменьшилась на величину dw = = ш — w', а градиент концентрации и с ним плотность дырочного диффузионного тока соответственно возросли, то это означает, что от эмиттерного перехода в единицу времени уходит большее число дырок и увеличивается ток /э.
Плотность дырочного тока определяется путем аналогичных рассуждений:
6.78. Определите плотность диффузионного тока в германиевом стержне длиной 10 см. Концентрация свободных электронов и дырок изменяется по линейному закону, причем концентрация электронов на одном конце стержня равна 5-Ю23 м~3, а на другом 1020 м~3.
где -/д„фр плотность диффузионного тока дырок; Удр р — плотность дрейфового тока дырок. Учитывая, что
Плотность диффузионного тока. Для плотности тока через плоскость раздела, обусловленного диффузионным движением электронов, можно на основании (9-94), (9-95) и (9-99) записать:
Плотность диффузионного тока дырок, как известно, определяется соотношением (9-102):
Таким образом, плотность диффузионного тока дырок, инжектированных в «-область через границу je=-f-0,
Теперь представим в конечно-разностной форме плотность диффузионного тока й-го элемента разбиения:
В одномерном случае для электронов П = — Dn(dn/dx), где Dn — коэффициент пропорциональности, называемый коэффициентом диффузии электронов, см2/с. Умножая плотность потока на заряд электрона (отрицательный) или заряд дырок (положительный), получаем плотность диффузионного тока электронов и дырок
С ростом х плотность диффузионного тока уменьшается, так как часть неравновесных носителей рекомбинирует.
столкновений. В результате носители заряда, совершающие тепловое движение, будут смещаться из области с большей концентрацией в область с меньшей концентрацией их, что и приведет к возникновению диффузионного тока. Плотность диффузионного тока пропорциональна отношению изменения концентрации (Дл или Д/?) к изменению расстояния (Д*), на котором наблю-
Плотность диффузионного тока электронов и дырок определяется следующими соотношениями:
Плотность диффузионного тока. Для плотности тока через плоскость раздела, обусловленного диффузионным движением электронов, можно на основании (9-94), (9-95) и (9-99) записать:
Похожие определения: Первичного двигателя Первичному напряжению Пилообразных колебаний Питающего генератора Планарного транзистора Параллельно тиристору Пластмассовый подвижная
|