Плоскости поперечного

шим значением поворота плоскости поляризации (эффектом Фарадея или Керра), что обеспечивает высокий сигнал считывания. Е>тим требованиям отвечают, например, Мп-ЕН-пленки.

плоскости поляризации, причем направление вращения зависит от направления намагниченности образна. Величина угла вращения зависит от компоненты намагниченности вдоль направления распространения света. На 8.4 представлена схема метода наблюдения доменов с помощью эффекта Фарадея. В этой схеме анализатор регулируют так, чтобы свет гас от какой-нибудь системы доменов (от каких-нибудь областей с заданным направлением намагниченности), которая при этом будет выглядеть темной, а другая система (с обратным направлением намагниченности) — светлой. Устройства для наблюдения доменов на основе эффекта Фарадея особенно пригодны при изучении доменных структур тонких магнитных пленок. Следует отметить, что

Эффект Керра заключается во вращении плоскости поляризации при отражении от намагниченного образца.

Для управляющих напряжений низких частот перспективны жидкие кристаллы, в которых наблюдаются эффекты динамического рассеяния света и вращения плоскости поляризации.

Так как изображение связано с распределением электромагнитного поля, последнее наиболее строго может быть описано изменением амплитуды а, фазы <р и трех углов 4fi, ЧЧ Ч'з, определяющих положение плоскости поляризации в пространстве (например, в прямоугольной системе координат х, у, z). Тогда распределение амплитуды, фазы и углов в пространстве, времени и по длинам волн будет представлять собой совокупность пяти функций пяти аргументов:

Представленная модель изображения может быть существенно упрощена. В вещательном ТВ и ФС в выражении (1.1) можно оставить только первую функцию, так как для освещения объектов используются некогерентные и неполяризованные источники и, следовательно, фаза и углы в функциях (1.1) принимают случайные ЗНЗЧе-ния. Даже если источник излучает поляризованные и когерентные колебания, преобразователь свет — сигнал (см. В.2), как правило, не чувствителен к изменению плоскости поляризации и фазы.

Вращение плоскости поляризации линейно поляризованной электромагнитной волны при прохождении ее чере;; полупроводник, помещенный в магнитное поле, ориентированное в направлении распространения волны, называют эффектом Фаоадея. Он обусловлен различием фазовых скоростей волн левой и правой круговой поляризации.

Пусть линейно поляризованная электромагнитная волна распространяется в немагнитном полупроводнике с концентрацией свободных электронов «о в направлении эектор i постоянной магнитной индукции. Линейно поляризованную волку можно представить в виде суперпозиции двух волн круговой поляризации. Им соответствуют различные фазовые скорости. После прохождения через образец толщиной w волна вновь оказывается линейно поляризованной, однако плоскость поляризации повор ачивается на некоторый угол относительно исходной плоскости Угол, характеризующий поворот плоскости поляризации, называют углом Фарадея б*-. Он равен среднему значению углов поворота плоскостей поляризации, на которые поворачивается вектор напряженности электрического поля волн правой и левой круговой поляризации.

Знак угла Фарадея различен для электроюв и дырок и зависит от направления распространения волны вдоль или против направления вектора постоянной магнитной индукции. Угол 0F считают положительным, когда вращение происходит по часовой стрелке, если направление распространения волны совпадает с направлением вектора магнитной индукции. Положительный угол Фарадея связан с воздействием свободных электронов на вращение плоскости поляризации. Для слабого магнитного поля, когда циклотронная частота мала и выполняется условие (о2>шс2, угол Фарадея

Из (6.42) следует, что угол поворота плоскости поляризации, вызванный свободными носителями заряда, растет пропорционально квадрату длины волны и не зависит от мгханизма релаксации. Ограничение на время релаксации ш2т2^>1 пыполняется, если измерения проводятся в инфракрасной области спектра.

Так как кроме эффекта Фарадея на свободных носителях заряда существует межзонный эффект Фарадея, то при энергиях фотонов, близких к ширине запрещенной зоны, магнитооптическое вращение плоскости поляризации происходит в результате действия обоих эффектов. При малых концентрациях носителей заряда и малых длинах волн необходимо вводить поправку, учитывающую межзонный эффект Фарадея. Для этого используют значения угла бг, измеренные на высокоомных образцах. Упругиг механические

Вектор Е лежит в плоскости поперечного сечения волновода. Линии вектора Е параллельны оси у. Они начинаются на одной стенке волновода и заканчиваются на противоположной. Плотность поверхностных зарядов на этих стенках легко получить из граничного условия

трем направлениям: а) по оси сердечника у вдоль листа стали ( 7-2); б) в плоскости поперечного сечения

Вектор Е лежит в плоскости поперечного сечения волновода. Линии вектора Е параллельны оси у. Они начинаются на одной стенке волновода и заканчиваются на противоположной. Плотность поверхностных зарядов на этих стенках легко получить из граничного условия

Механическая стойкость цилиндрической обмотки, представляющей в сечении каждого слоя, как это видно из 5-16, высокую колонку с относительно малым поперечным размером и относительно неплотной намоткой, при осевых силах, возникающих при коротких замыканиях, невелика. Вследствие этого применение одно- и двухслойных цилиндрических обмоток ограничивается обычно трансформаторами с мощностью не более 630 кВ-А. Также по соображениям механической прочности ограничивается и применение большого числа параллельных проводов. С увеличением числа параллельных проводов увеличиваются высота витка, измеренная в осевом направлении, а вместе с тем и угол наклона провода к плоскости поперечного сечения обмотки, что при значительных осевых силах, возникающих при коротких замыканиях, может привести к «сползанию» витков. Обычно по этим соображениям не рекомендуется брать число параллельных проводов более четырех — шести при намотке плашмя и шести — восьми при намотке на ребро.

На 6.6 показана упрощенная конструкция коаксиального приемного преобразователя с одним терморезистором 5, который включен в центральный проводник 2 короткозамкнутого отрезка коаксиального волновода. Один вывод терморезистора соединен с короткозамыкающей заглушкой преобразователя 6, которая образует с наружным проводником 1 коаксиальной линии, благодаря прокладке 4, конденсатор С1. Другой вывод терморезистора через дроссель 3 в виде спирали, расположенной в плоскости поперечного сечения коаксиального волновода, соединен с наружным проводником. На 6.6,а показаны выводы для включения преобразователя в мостовую схему, а на 6.6,6 его эквивалентная схема. На СВЧ-дроссель L1 является большим реактивным сопротивлением и не вносит отражений в тракт. На низкочастотном же токе сопротивление его ничтожно.

Механическая стойкость цилиндрической обмотки, представляющей в сечении каждого слоя, как это видно из 5.13, высокую колонку с относительно малым поперечным размером и относительно неплотной намоткой, при осевых силах, возникающих при коротких замыканиях, невелика. Вследствие этого применение одно- и двухслойных цилиндрических обмоток ограничивается обычно трансформаторами мощностью не более 630 кВ-А. Также по соображениям механической прочности ограничивается и применение большого числа параллельных проводов. С увеличением числа параллельных проводов увеличивается высота витка, измеренная в осевом напряжении, а вместе с тем и угол наклона провода к плоскости поперечного сечения обмотки, что при значительных осевых силах, возникающих при коротких замыканиях, может привести к «сползанию» витков. Обычно по этим соображениям не рекомендуется брать число параллельных проводов более четырех—шести при намотке плашмя и шести—восьми при намотке на ребро.

В шихтованных магнитопроводах пластины стержней и ярм собирают в переплет — шихтуют ( 2.11), благодаря чему они не имеют сплошного стыка в плоскости поперечного сечения, что приводит к существенному уменьшению немагнитных зазоров и тока холостого хода по сравнению со стыковыми магнитопроводами.

Преобразователь должен иметь некоторую площадь поперечного сечения, чтобы возникающие в нем механические напряжения не были безграничными. Об измеряемой силе можно сделать правильное заключение только тогда, когда ее воздействия (например, деформации или механические напряжения) будут проинтегрированы по всей плоскости поперечного сечения. Отсюда вытекает принцип интегрирования поля напряжений:

Датчик силы тем точнее, чем лучше преобразователь распределен по всей плоскости поперечного сечения датчика.

имеет потенциальный характер. Это и дает возможность говорить об однозначном мгновенном значении напряжения между точками двух проводов, лежащими в одной и той же плоскости поперечного сечения (только при этом условии), и постоянстве отношения мгновенных значений

где / и /м — какой-либо характерный линейный размер в плоскости поперечного сечения проводов и модели.