Параллельно включенные

а) соответствующими кнопками на панели стенда включить под прямоугольное напряжение электронного коммутатора электрическую цепь, состоящую из переменного резистора и катушки индуктивности; при этом параллельно включенный конденсатор С = 0,01 мкФ должен быть отключен;

измеренном токе /тах через шунт протекал ток /ш = =495 А (остальные 5 А текут через параллельно включенный амперметр).

Параллельно имеющемуся амперметру включим шунт. Сопротивление шунта должно быть таким, чтобы при измеренном токе /max через шунт протекал ток /ш= = 495 А (остальные 5 А текут через параллельно включенный амперметр).

И наконец, в полосе запирания реальный фильтр также не может обеспечить бесконечно большое затухание. Для этого на всех частотах полосы запирания последовательно включенный элемент должен иметь бесконечно большое сопротивление (Zi -> оо), а параллельно включенный - сопротивление, равное нулю (Z2 = 0). Такие значения сопротивлений (точнее, близкие к ним) достигаются лишь на одной частоте полосы запирания.

В качестве примера на 4-2 в вертикальных рядах б и г построены графы простейших четырехполюсников, содержащих один последовательно или параллельно включенный элемент. Графы, показанные в двух других вертикальных рядах, являются другими графами тех же четырехполюсников. Напряжение и ток на

Если последовательно включенный элемент цепи Z.\ или параллельно включенный элемент У^п (или оба эти элемента), равен нулю, то соответствующие множители исключаются из выражения (4-9).

' С понятием деления тока связано понятие шунтирования (от англ, shunt—ответвление). О параллельно включенных резисторах с сопротивлениями Ri и /?? говорят, что они шунтируют друг друга. Сопротивление Ri является шунтом для 7?г, а сопротивление Rz — шунтом для Ri. Чем меньше сопротивление шунта, тем сильнее он шунтирует параллельно включенный резистор. Например, при R\ < R* (Gi > GZ) сопротивление Ri шунтирует настолько сильно, что практически весь ток / ответвляется через него, как это следует из первых формул (3.61), (3.62): /1»/, Кп «1.

а) соответствующими кнопками на панели стенда включить под прямоугольное напряжение электронного коммутатора электрическую цепь, состоящую из переменного резистора и катушки индуктивности; при этом параллельно включенный конденсатор С=0,01 мкФ должен быть отключен;

Другим ключевым режимом биполярного транзистора является режим отсечки. Перевести транзистор в режим отсечки можно приложением между базой и эмиттером обратного напряжения. Граничным режимом в этом случае является выполнение условия и6э=0. В режиме отсечки транзистор можно заменить разомкнутым ключом, схема замещения которого приведена на 4.5 б. В соответствии с этой схемой замещения транзистор в режиме отсечки имеет некоторое достаточно большое сопротивление Ro и параллельно включенный ему генератор небольшого тока утечки 1у1~1^л. На вольт-амперных характеристиках транзистора, приведенных на 4.2 а, режиму отсечки соответствует горизонтальная линия при (6=0.

Метод смещения тока. Отключение цепей ПТ высокого напряжения основано на смещении тока из выключателя в параллельно включенный и предварительно заряженный конденсатор [13.3]. Соответствующая схема приведена на 13.7. При нормальной работе сети выключатель Q замкнут и нагрузка ZHI обеспечивается питанием от источника энергии высокого напряжения. Индуктивности по обеим сторонам выключателя обозначены через L1 и 12. При КЗ между точками 1 и 2 ток начинает увеличиваться со скоростью, определяемой индуктивностями LJ и 12. При срабатывании релейной защиты размы-

в линии электромагнитную энергию и ограничить перенапряжения. Этот резистор-ограничитель собирают из оксидно-цинковых дисков и вводят в цепь с помощью тиратрона VS2 с поджигом ( 13.11). Так как ток, проходящий через ограничитель, не изменяет направление, он не прерывается тиратроном, когда энергия цепей постоянного тока поглощается в сопротивлении ограничителя. Однако .сопровождающий ток тиратрона VS2 мал и может быть отключен методом смещения в параллельно включенный конденсатор, как в выключателе. При этом может быть использован общий конденсатор С и тиратрон VS3. Энергия, соответствующая сопровождающему току, мала и может быть

Параллельно включенные трансформаторы имеют одинаковые значения первичных и вторичных напряжений, поэтому

Для экстренной остановки в нужном положении электродвигателей рольгангов в схеме применено динамическое торможение, которое работает следующим образом. В момент выключения электродвигателей МЗ — М10 замыкаются разомкнутые размыкающие блок-контакты Pl-1, Pl-2, P2-1 и Р2-2, которые включены последовательно в цепь с катушкой реле времени РВ и выпрямительным мостом Д8 — ЦП. Эти блок-контакты подключают катушку реле времени РВ к сети напряжением 220 В. Реле срабатывает и замыкается его замыкающий контакт в цепи катушки контактора РЗ, после чего срабатывает контактор и замыкаются его замыкающие главные контакты, которые включают динамическое торможение электродвигателей. Динамическое торможение осуществляется постоянным током, полученным трехфазным однополупериодным выпрямителем Д5 — Д7. Выпрямительный ток проходит по двум статорным обмоткам каждого электродвигателя и создает тормозной момент. Причем две параллельно включенные обмотки электродвигателей МЗ и М4 соединены последовательно с параллельно включенными обмотками электродвигателей М5 — М10.

Из 3.24, виг следует, что в цепь заряда ЕН во время внекоммутационных интервалов последовательно с Сн включены две фазы, а во время коммутационных — две параллельно включенные последовательно с третьей. Поэтому сопротивления резисторов, включенных последовательно с Сн и ограничивающих зарядный ток, различны в коммутационных и внекоммутационных интервалах. Время заряда зависит от соотношения длительностей коммутационных и внекоммутационных интервалов, что, как показывает математическое моделирование (§ 3.4.2), определяется главным образом соотношением активного и индуктивного сопротивлений в цепи до выпрямителя [3.9]. Это соотношение определяет также КПД зарядного процесса r\.t [3.18]. Физически это объясняется следующим образом. При включении в цепь до выпрямителя чисто реактивных элементов, в идеальном выпрямителе (сопротивление в проводящем направлении равно нулю) и идеальном ЕН (без потерь) Лз—Ь так как потерь мощности в реактивных токоограничительных сопротивлениях нет.

Отрицательное напряжение на входе интегрирующей цепочки приложено к диоду VD2 в прямом направлении и он открыт. Перезаряд конденсатора С проходит через параллельно включенные R4 и R5, VD2.

Перевернутая схема ( 3-3), так же как и предыдущая, содержит параллельно включенные R4 и С4. Она используется, когда объект испытаний имеет наглухо заземленный электрод (фланец изолятора, оболочка кабеля и т. п.); в этом случае высокое напряжение подводится к нижней вершине моста. В такой схеме изоляция всех элементов (резисторов R3 и R4, конденсатора С4, соединительных кабелей и других токоведущих частей) должна иметь высокое сопротивление (не менее 1 МОм при напряжении 1000 В) и выдерживать высокое испытательное напряжение. Для мостов с номинальным напряжением до 10 кВ испытательное одноминутное напряжение для перечисленных элементов составляет 15 кВ, Урав-

Оптимальным генератором тока является БТ, включенный по схеме с общей базой. При таком включении токозадающие транзисторы р-/г-р-типа обеспечивают током большое число переключательных транзисторов л-р-п-типа посредством параллельного включения их эмит-терных р-л-переходов. Параллельно включенные эмиттеры р-л-р-транзисторов подключают к общему источнику питания, который создает ток /„ либо напряжение на их эмиттер-ных р-л-переходах. Подобные

Электропитание распределяется по трем нижним слоям платы (см. 2.4, 2.5), по двум слоям поданы напряжения, необходимые для работы кристаллов, третий слой находится под потенциалом земли. Питание на эти слои подается по параллельной схеме через матрицу контактов, равномерно расположенных по нижней поверхности платы. Далее питание поступает на соответствующие контактные площадки кристаллов через параллельно включенные группы выводных контактных отверстий. Конструкция платы позволяет подводить питание к каждому кристаллу мощностью до 4 Вт, хотя не каждый кристалл работает с максимальным током: мощность питания платы ограничена уровнем 300 Вт, т. е. в среднем 3 Вт на кристалл. Эти цифры существенно перекрывают допустимые рассеиваемые мощности при воздушном охлаждении. Поэтому в рассматриваемой конструкции применено жидкостное охлаждение. Отвод теплоты от кристаллов СБИС к водо-охлаждаемой металлической крышке осуществляется через алюминиевые подпружиненные плунжеры ( 2.6).

Схема И-НЕ на КОМП-транзисторах имеет параллельно включенные транзисторы р-типа и последовательно включенные транзисторы и-типа. На КМОП-структурах выполнены логические схемы серии 164, 176, 564, 764.

611. Диск счетчика делает 188 оборотов за 10 мин. Нагрузкой являются три параллельно включенные лампы равной мощности. Вычислить мощность каждой лампы, если согласно надписи на счетчике 2500 оборотов его диска соответствуют 1 кВт-ч.

Схема замещения содержит параллельно включенные ветвь вторичной цепи с приведенными сопротивлениями г2', х2', гн', хн' и то-

2.7.1. Фаза двухслойной трехфазной четырехполюсной обмотки содержит четыре параллельно включенные катушечные группы, каждая из которых состоит из пяти катушек с числом витков и>к = 16, шаг обмотки ук = = 0,73т. Показать пространственное распределение основной гармонической МДС фазы F(o=, г) в моменты времени ti = 0, t2 = тг/(4ш), t3 = тг/(2со), Г4 = Зтг/(4а>), если ток в фазе г = 300cos314? А. Представив МДС фазы в виде суммы вращающихся волн, показать положение каждой волны относительно оси фазы при тех же значениях t. Определить линейную скорость каждой волны МДС на диаметре средней поверхности зазора ?>= 335 мм.