Пластмассовый подвижная

Для изготовления тензорезисторов широко применяется кремний, обладающий высокой тензочувствительностью и термостойкостью. Технология изготовления тензорезисторов весьма многообразна. Из распространенных способов следует отметить следующие: диффузия примесей в пластинку полупроводника; производство из германиевой дендритной ленты; выпиливание тензо-чувствительных элементов из монокристалла полупроводника; нанесение эпитаксиальных пленок полупроводника на диэлектрические и полупроводниковые подложки.

Диффузионный метод основан на диффузии газообразных или парообразных примесей в полупроводник. Для получения «—^-перехода берут пластинку полупроводника с «- или /^-проводимостью и нагревают в вакууме вместе с парами примесного вещества. При этом атомы примеси внедряются в полупроводник и поверхностный слой приобретает проводимость, отличную от проводимости всего объема полупроводника; таким образом можно получить я—/?-переход с большой площадью ( 5, б).

На 12, а приведена конструктивная схема биполярного транзистора со структурой р—п—р-типа, выполненного по методу сплавления: в основание — пластинку полупроводника, (например, германия), имеющую п-проводимость, с обеих сторон вплавлен металл (например, индий), обеспечивающий получение слоев с р-проводимостями. Пластинка-основание называется базой Б. Нижний и верхний слои принято называть соответственно эмиттером Э и коллектором К- Транзисторы в настоящее время наиболее часто создают диффузионным или эпитаксиальным способом, ибо при этом получаются более плоские, резко очерченные п—р-переходы. В частности, на 12, б приведены схема биполярного транзистора со структурой р—п—р-типа и его графическое изображение, а на 12, в — схема транзистора п—р—п-типа и его графическое изображение.

Если пластинку полупроводника, по которой протекает электрический ток, поместить в магнитное поле, то поле искривит траектории носителей зарядов. Вследствие этого между боковыми

Фоторезистивные приборы. Фотоны света, взаимодействуя с атомами полупроводника, передают энергию валентным электронам. Если эта энергия достаточно велика, то валентные электроны переходят в зону проводимости, оставляя дырки в валентной зоне. Образовавшиеся электроны проводимости и дырки в валентной зоне увеличивают электропроводимость полупроводника. Это позволяет создавать полупроводниковые фоторезисторы, сопротивление которых обратно пропорционально интенсивности светового потока. Фоторезисторы используют для тех же целей, что и фотоэлементы, но они значительно их чувствительнее и проще в изготовлении. В простейшем случае фоторезистор представляет собой тонкую пластинку полупроводника, к торцам которой присоединены контакты.

Простейшая структура такого транзистора, показанная на 3.19, представляет собой пластинку полупроводника /г-типа, на торцах которой имеются омические контакты истока и стока. Основными носителями тока в канале являются электроны. Если потенциал на истоке рассматривать как нулевой, то на стоке напряжение положительное, а на затворе — отрицательное. Таким образом, оба р—п перехода будут обратно смещенными, что обусловливает высокое входное сопротивление транзистора.

нее полупроводниковым фоточувствительным слоем или пластинку полупроводника помещают в пластмассовый или металлический корпус.

Точечные диоды. Такие диоды ( 16.18, а) имеют очень малую площадь электрического перехода. Линейные размеры, определяющие ее, меньше ширины p-n-перехода. Точечный электрический переход можно создать в месте контакта небольшой пластинки полупроводника 3 и острия металлической проволочки-пружины 4 даже при прэстом их соприкосновении. Более надежный точечный электрический переход образуется формовкой контакта, для чего через собранный диод пропускают короткие импульсы тока (порядка нескольких ампер). В результате формовки острие пружинки надежно приваривается к пластинке полупроводника. При этом из-за сильного местного нагрева материал острия пружинки расплавляется и диффундирует в пластинку полупроводника, образуя слой иного типа, чем полупроводник. Между этим слоем и пластинкой образуется р-и-переход полусферической фермы. Площадь р-и-перехода составляет примерно 102—103 мкм2. Тс чечные диоды в основном изготовляют из германия р-типа, металлическую пружинку — из гонкой проволочки (диаметром 0,05 — 0,1 мм), материал которой для германия n-типа должен быть акцептором (например, бериллий). Острие пружинки затачивается до площади в несколько квадратных микрометров. Иногда острие пружинки для получения высококачественного p-n-перехода покрывают индием (или другим акцептором).

Подложку с нанесенным на нее полупроводниковым фоточувствительным слоем или пластинку полупроводника помещают в пластмассовый или металлический корпус.

Полевой транзистор. Полевой транзистор представляет собой пластинку полупроводника /г-типа, у которой на концах имеются омические контакты ( 17, а), а на обоих больших гранях — р-слои. Последние образуют с пластинкой p-n-переходы. Оба р-слоя соединены между собой и образуют единый электрод, называемый «атвором. Двумя другими электродами являются омические кон-

гальваномагнитного эффекта Холла. Датчик Холла ( 15-2) представляет собой пластинку полупроводника, имеющую толщину d, длину а, ширину b (причем я/?> !> 1). Пусть вдоль пластинки протекает ток / (управляющий ток). Если теперь поместить эту пластинку в магнитное поле, перпендикулярное направлению тока, то в третьем направлении, перпендикулярном направлению тока и магнитного поля, появится разность потенциалов, так называемое напряжение Холла UH- Физический смысл этого эффекта состоит в том, что в материалах с электронной проводимостью на движущиеся электроны (образующие ток /) воздействует сила Лоренца, возникающая под влиянием магнитного поля, направленного перпендикулярно к плоскости ab пластинки. Эта сила направлена перпендикулярно направлению движения электронов и магнитному полю и отклоняет электроны к верхнему краю пластины. Благодаря накоплению электронов на верхнем крае пластинки этот край заряжается отрицательно, а нижний край обедняется электронами и приобретает положительный заряд. Процесс электрического заряда краев пластинки продолжается до тех пор, пока сила, вызываемая электрическим полем возникающих электрических зарядов, не уравновесит силу Лоренца. Таким образом, видна прямая зависимость между напряжением Холла UH с одной стороны и значением управляющего тока / и индукцией магнитного поля В с другой стороны. Эта зависимость может быть записана следующим образом:

Время успокоения подвижной части прибора не более 4 сек. Габаритные размеры прибора 242х!95х 104 мм\ масса 3,0 кг. Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть прибора укреплена на растяжках. . Отсчетное устройство — стрелочный указатель. Прибор соответствует ГОСТ 8111— 60 и ТУ 25-04-034—66.

Корпус прибора металлический или пластмассовый. • Подвижная часть прибора укреплена на кернах и подпятниках. - .

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть укреплена на растяжках.

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть измерительного механизма укреплена на растяжках.

' Корпус прибора металлический или пластмассовый. Подвижная часть прибора укреплена на кернах и подпятниках. -

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть прибора укреплена на растяжках.

Время успокоения подвижной части вольтметра 6 сек. Габаритные размеры прибора 300 Х220Х 166 мм; масса 4,0 кг. Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть прибора укреплена на растяжках.

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть прибора укреплена на растяжках. .

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть укреплена на растяжках.

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть укреплена на растяжках.*

Корпус прибора пластмассовый. Подвижная часть укреплена на растяжках.