Первоначального положения

1.22. Посередине между пластинами плоского конденсатора влетает электрон со скоростью 10е м/с, направленной нормально к вектору напряженности электрического поля. На какой угол отклонится электрон от первоначального направления, если расстояние между пластинами d=l,2 см, длина пластин /=5 см и напряжение на пластинах (/=15 В?

1.31. Протон влетает в поперечное однородное магнитное поле, действующее на расстоянии /=50 мм вдоль первоначального направления движения, и ударяется о поверхность мишени, удаленной от

При электронном рассеянии потери энергии в каждом акте столкновения существенно меньше, изменение первоначального направления движения незначительно, а дефекты обычно не образуются.

7-31. Напряжение конденсатора противодействует э. д. с. самоиндукции, которая поддерживает ток первоначального направления.

В этом случае при сильном отклонении концентрации электронов от концентрации положительных ионов образуется электрическое, поле, способное выталкивать избыточные заряженные частицы в зону их недостатка. Наоборот, те частицы, концентрация которых меньше, будут задерживаться этим полем. Такой механизм автоматически поддержит равенство концентраций противоположно заряженных частиц. В результате плазма будет обладать свойством квазинейтральности т. е. равенства концентраций положительных и отрицательных носителей электричества в услогч-ях их непрерывного исчезновения и возникновения. Характерный признак плазмы состоит также в том, что траектории движения частиц в ней отличны от свойственных обычному броуновскому движению. В плазме проявляются силы кулоновского взаимодействия ионизированных частиц, что приводит к плавному изменению траектории их движения в отличие от нейтрального газа, где частицы при столкновении резко изменяют направление своего движения. В этих условиях меняется понятие о длине свободного пробега: под ней понимают расстояние, на котором происходит потеря первоначального направления вектора скорости электрона.

Угол отклонения траектории электрона от первоначального направления определяется дифференцированием выражения (11.5) по х

За счет явления дифракции луч света после прохождения голограммы разделяется на три составляющих: одна из них проходит через голограмму без изменения направления (так называемый луч нулевого дифракционного порядка); два других отклоняются от первоначального направления на некоторый угол, зависящий от длины волны и шага интерференционных полос, зафиксиррванных на голограмме (лучи первого и второго дифракционного порядков). Эти лучи содержат всю информацию о голограмме, а наблюдатель, фиксирующий их, получает наиболее полное представление о форме и объеме соответствующего объекта1.

2) если на электронный луч воздействовать внешним магнитным или электрическим полем, то он отклоняется от первоначального направления, но после выхода луча из внешнего поля его траектория представляег собой прямую;

движутся симметрично относительно оси транзистора. Основная их часть проходит путь, равный толщине базы W0. Включение магнитного поля приводит к отклонению траекторий движения инжектированных носителей от первоначального направления приблизительно на угол Холла ф. Поскольку толщина базы много меньше размеров эмиттера и коллектора, то практически все носители, прошедшие базовую область, попадут в коллектор. Однако средний путь, проходимый носителями в базовой области, неоколько возрастет, что приводит к увеличению их доли, рекомбинировавшей в базовой области. Коэффициент передачи тока несколько уменьшится. При оценке магниточувствительности таких магнитотранзис-торов можно приближенно считать, что возросла эффективная толщина базы:

Таким образом, траекторией электрона в однородном электрическом поле является парабола. Практический интерес представляет определение угла отклонения траектории от первоначального направления. Дифференцируя (1.8) по z, найдем

ллу_м электронами, имеющими достаточно большую энергию. Медленные электроны (с энергией менее 5—6 кэв) заметно поглощаются в слое алюминия и претерпевают отклонение от первоначального направления движения рассеиваются в алюминии. Поглощение электронов снижает эффективность использования электронного луча, яркость свечения экрана падает, а рассеяние приводит к уменьшению разрешающей способности экрана. Поэтому при небольших ускоряющих напряжениях алюминированный экран имеет меньшую световую отдачу чем неалюминированный. При ускоряющих напряжениях 6-8 кв световая отдача алюминированного и неалюминированного экранов примерно одинакова, а при напряжениях выше 10 кв световач отдача алюминированного экрана на 50-60% больше неалюминированного. Поэтому алюминированные экраны целесообразно применять только в высоковольтных трубках. Примерная зависимость световой отдачи от ускоряющего напряжения для алюминированного и неалюминированного экранов с сульфидным люминофором приведена на 6.19. ч»«у«»'

р______—--------------з первоначального положения, перемещают

Установив положение указателя 3 по шкале при нагруженном образце и нормальной температуре, повышают температуру в термостате со скоростью 50 °С/ч. Температуру, при которой указатель опустится на 6 мм от первоначального положения или образец сломается, следует считать температурой размягчения по МартеНсу (теплоемкостью по Мартенсу). Образец из пластмассы, эбонита и других материалов имеет ширину 1,5 см и высоту 1 см; при установке его согласно 9-5 (размер 1,5 см перпендикулярен плоскости чертежа) момент сопротивления

На 4.11 показаны выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ, снятые при двух значениях температур окружающей среды (пунктирными линиями показаны характеристики транзистора при более вы соких температурах). Из рисунка видно, что температурный характер воздействия приводит к изменению положения рабочей точки (точка р') относительно ее первоначального положения (точка р), а следовательно, к изменению режима работы транзистора (U'OK, Гок).

Далее подвергнем решетку медленному однородному сжатию. По мере сближения атомов взаимодействие между ними возрастает и на расстояниях, равных параметру решетки а, достигнет нормальной величины. На 1.1, б показана энергетическая схема атомов, сближенных на расстояние г = а. Из рисунка видно, что потенциальные кривые, отделяющие соседние атомы, частично перекрываются и дают результирующую потенциальную кривую, проходящую ниже нулевого уровня 00. Это означает, что сближение атомов приводит к уменьшению не только ширины, но и высоты барьера. Примечательно, что эта высота оказывается даже несколько ниже первоначального положения энергетиче-

Если подвергнуть решетку медленному однородному сжатию, то по мере сближения атомов взаимодействие между ними возрастает и на расстояниях, равных параметру решетки а, достигнет нормальной величины. На 3.1, б показана энергетическая схема атомов, сближенных на расстояние г = а. Из рисунка видно, что потенциальные кривые, отделяющие соседние атомы, частично перекрываются и дают результирующую потенциальную кривую, проходящую ниже нулевого уровня 00. Это означает, что сближение атомов приводит к уменьшению не только ширины, но и высоты барьера. Примечательно, что эта высота оказывается даже несколько ниже первоначального положения энергетического уровня валентных электронов Wn. Поэтому валентные электроны получают возможность практически беспрепятственно переходить от одного атома к другому, происходит их полное обобществление.

ной диаграмме потребителя сместится из своего первоначального положения в другое (п'), при котором геометрическая сумма фазных токов потребителя равна нулю:

Под действием равномерного давления Р мембрана ( 7.4, а) будет принимать форму сферы, а ее отклонение у от первоначального положения (при Р — 0) для любого радиуса т при незначительном прогибе

Кроме электродинамических усилий, от- р 7 12 и талкиванию контактов способствуют меха- страция к "воп-нические силы, возникающие в момент росу о механи-замыкания контактов от удара подвиж- ческих вибра-ного элемента 1 о неподвижный 2 ( циях контактов-7-12). Возникновение упругого удара при соприкосновении контактов влечет за собой ряд повторных отклонений неподвижного элемента от первоначального положения за счет сжатия пружины и дальнейших

Для повышения чувствительности берут не один виток, а небольшую плоскую катушку с большим числом витков w, тогда полный поток, который охватывается всеми витками катушки, будет в w раз больше потока, охватываемого одним витком. Если пробный виток или катушку быстро отнести на большое расстояние от исследуемой точки в область, где поле практически отсутствует, или, лучше, быстро повернуть контур на 90° около одного из его диаметров как около оси, то произойдет отброс подвижной части гальванометра. При исследовании поля в вакууме этот отброс, при неизменном сопротивлении контура и постоянстве источника магнитного поля, будет зависеть только от расстояния пробного витка от источника, а также от относительного первоначального положения плоскости витка. Это дает нам право утверждать, что физическая величина, обнаруживаемая таким способом, имеет разные значения в отдельных точках поля и определенное направление. Если каждый раз устанавливать пробный виток в исходное положение в данной точке так, чтобы отклонения гальванометра были максимальными, то эти отклонения определят значение исследуемой величины, а исходное положение контура определит направление ее в пространстве.

ко фиксируется в положении, при котором его выходное напряжение минимально. В этом положении записывается первое показание приборов. Затем ротор датчика поворачивается на 5, 10, 20, 40, 60° и далее до 360° через каждые 20° от первоначального положения и в каждом из этих положений записываются показания приборов и строятся выходные характеристики ( 9.24 — 9.27).

Пусть якорь вращается со скоростью со в направлении, противоположном движению стрелки часов и в момент начала отсчета времени (t — 0) виток / относительно нейтральной плоскости 00' расположен под углом ifj, а виток 2 — под углом г)2 ( 9-6). За время t оба витка повернутся относительно первоначального положения на один и тот же угол со^ и углы их поворота относительно нейтральной плоскости ОО'составят