Перпендикулярную направлению

Химическое удаление меди проводится погружением ПП в травитель, наплескиванием раствора на их поверхность или разбрызгиванием через форсунки ( 9.14). Давление раствора в форсунках колеблется в пределах 0,1...0,5 МТЛа, а струя подается перпендикулярно поверхности платы или при небольшом отклонении от перпендикуляра. Постоянное обновление окислителя в зоне обработки и удаление продуктов реакции обеспечивают высокую производительность струйному травлению, а траектория струи — незначительное боковое подтравливание.

На 1.17, а показана эта структура. Векторы намагниченности в доменах ориентированы в положительном или отрицательном направлении вдоль нормали к исследуемой поверхности, чему на рисунке соответствуют светлые и темные участки. При воздействии на пластинку магнитным полем Явн, направленным перпендикулярно поверхности, лабиринтные домены по мере увеличения поля сначала разрываются,

стенки, стремящиеся его сжать. При отсутствии поля это приводит к «растеканию» домена по поверхности с образованием лабиринтной структуры ( 13,а). Под действием внешнего магнитного поля возникает третья сила, обусловленная взаимодействием с ним домена. Эта сила действует перпендикулярно поверхности пластинки, т. е. сжимает домен. По мере увеличения внешнего магнитного поля лабиринтные домены сначала разрываются, приобретая форму гантелей ( 13, б), а затем при достаточно большой напряженности Нвн образуются цилиндрические рых постепенно уменьшается ( 13, в).

Структура МДП применяется-для создания МДП-транзисторов, широко используемых в интегральных микросхемах. В основе работы МДП-структуры лежат поверхностные явления в полупроводнике. Свойства полупроводника на поверхности и в глубине <ри-сталла различны и зависят от технологических методов обработки поверхности полупроводников. В результате обработки полу!ро-водниковых структур возникают энергетические уровни (состояния), называемые поверхностными, на которые переходят электроны из валентной зоны. В полупроводниках из-за малой концентрации свободных носителей около поверхности возникает слой пространственного заряда достаточно большой толщины, свойства которого изменяются при приложении перпендикулярно поверхности полупроводника электрического поля.'

Лобовые части обмотки статора (перпендикулярно поверхности) при отношении ширины воздушного промежутка между секциями к шагу по середине пазов Ь/Ьп с„

При приложении внешнего электрического поля перпендикулярно поверхности полупроводника происходит изменение электростатического потенциала поверхности, объемного заряда, поверхностной проводимости и емкости, причем Qn становится отличным от нуля.

Легирование обычно осуществляют через маску SiO2 или Si3N4 толщиной около 0,5 мкм, превышающей длину пробега ионов в этих материалах. Так как ионный пучок направлен перпендикулярно поверхности, а боковое рассеяние ионов невелико, то горизонтальные размеры легированной области точно соответствуют отверстию в маске ( 2.7). Это является преимуществом по сравнению с легированием путем диффузии, так как позволяет получать области меньших размеров (ср. 2.7 и 2.3). Принципиально возможно локальное легирование без применения маски с помощью сканирования остросфокусированного ионного пучка, включаемого и выключаемого по заданной программе.

На 13.20, а показано поперечное сечение полосового домена с простейшей структурой ДГ, в которой М всюду параллелен границе. На 13.20, б ДГ имеет более сложную структуру: в ней содержатся два участка (/ и 2), где векторы М параллельны границе, но направлены противоположно (сегменты Блоха). Между ними существуют переходные слои, в центральной части которых вектор намагниченности перпендикулярен границе. Они проходят перпендикулярно поверхности и представляют собой ВБЛ. В доменной границе может существовать только четное число ВБЛ. Две ВБЛ, показанные на 13.20, б, называются однополярными, в них векторы М направлены

На 10.6 представлена типичная конфигурация плазменных потоков в различных условиях. Потоки выходят перпендикулярно поверхности электрода. Два потока, столкнувшись друг с другом, дают расплывчатое «облако» ( 10,6,5, в, д, ж); поток отражается от поверхности под углом, соответствующим углу падения ( 10.6,0); путь для тока между участками потоков образуется обычным столбом дуги ( 10.6.г, е); сужение столба дуги в узких изоляционных отверстиях ведет к образованию потоков плазмы ( 10.6,ж).

Непосредственно в зоне стыка в шихтованной магнит--ной системе происходит увеличение индукции и часть индукционных линий из одной пластины в другую переходит перпендикулярно поверхности пластин ( 8-10). Вследствие этого непосредственно в зоне стыка возникают добавочные потери, которые определяются по общей поверхности стыка (зазора) и удельным потерям на 1 см2 поверхности. Эти удельные потери р3 (Вт/см2) для холоднокатаной стали приведены в табл. 8-4. Индукция для определения р3 при прямых стыках принимается

В вертикальных структура* ( 1.12,6) база располагается под эмиттером (инжектированные неосновные носители перемещаются перпендикулярно поверхности кристалла). Для изготовления комплементарных биполярных транзисторов наиболее часто применяется эпи-таксиально-диффузионная технология. При этом и-р-п-транзисторы формируются обычными методами (см. § 1.2). Для изготовления же р-п-р-транзисторов на общей подложке р-типа путем селективной диффузии формируют карманы с проводимостью и-типа. В этих карманах формируют диффузионный слей р-типа, на который с помощью эпи-таксии осаждается и-слой. Затем путем диффузии в эпитаксиальном слое создают эмиттеры р-типа. Нижний слой р-типа служит коллектором, а эпитаксиальный n-слой между коллектором и эмиттером — базой. Основным недостатком таких транзисторов также является разброс значений коэффициента P.v, определяемый допусками на ширину базы. Ширина же базы в значительной мере зависит от толщины эпи-таксиального слоя. Последний недостаток исключается в вертикальных структурах, у которых все три области транзистора (коллектор, база и эмиттер) формируются путем диффузии. Такая комплементарная структура наиболее сложна в изготовлении, так как требует соблюдения высокой точности концентрации ' легирующих примесей. Однако она позволяет получить транзисторы с большим р (с устойчивой воспроизводимостью его значения) и высоким напряжением

Основная единица магнитной индукции в системе СИ называется тесла (Тл): 1 Тл = 1 Вб/м2 = 1 В • с/м2. Это индукция такого однородного магнитного поля, в котором магнитный поток Ф (см. § 2.3) через поверхность площадью 1 м2, перпендикулярную направлению магнитных линий поля, равен одному веберу (Вб).

Основная единица магнитной индукции в системе СИ называется тесла (Тл) : 1 Тл = 1 Вб/м2 = 1 В • с/м2. Это индукция такого однородного магнитного поля, в котором магнитный поток Ф (см. § 2.3) через поверхность площадью 1 м2, перпендикулярную направлению магнитных линий поля, равен одному веберу (Вб).

Основная единица магнитной индукции в системе СИ называется тесла (Тл): 1 Тл = 1 Вб/м2 = 1 В • с/м2. Это индукция такого однородного магнитного поля, в котором магнитный поток Ф (см. § 2.3) через поверхность площадью 1 м2, перпендикулярную направлению магнитных линий поля, равен одному веберу (Вб).

Обозначим температуру рассматриваемого элемента проволоки /п, температуру стенок tCT и соответственно радиус проволоки г„, а радиус стенок камеры гст. Тогда, согласно закону Фурье, можно написать следующее выражение для тепла, проходящего через поверхность dF, перпендикулярную направлению распространения тепла:

проекционной картины колеба'ния конца вектора Е на плоскость, перпендикулярную направлению распространения световой волны ( 3.2). В случае эллиптически-поляризованного света эта проекция будет иметь вид

3.2. Проекции поляризованного света на плоскость, перпендикулярную направлению распространения эллипти-чески-поляризованного света (а); линейно-полярмзованного света (б).

Из только что доказанного вытекает обратная теорема — обращение окружности, проходящей через начало координат, дает прямую, не проходящую через начало координат и перпендикулярную направлению, сопряженному с вектором центра исходной окружности.

Из молекулярной физики известно, что поток частиц при диффузии (число частиц, пересекающих в единицу времени единичную площадку, перпендикулярную направлению градиента концентрации) пропорционален градиенту концентрации этих частиц:

Звуковая волна — носитель энергии в направлении своего движения. Количество энергии, переносимой звуковой волной за 1 с через площадку в 1 м2, перпендикулярную направлению движения, называется интенсивностью звука (Вт/м2)

Первая составляющая уравновешивается намагничивающей силой обмотки статора F1 и приводит к увеличению тока статора /!• Вторая составляющая вызывает магнитный поток Ф2 sin 3, где Ф2 — магнитный поток, обусловленный намагничивающей силой обмотки ротора F2. Поперечный поток Ф2 sin (3 вызывает э. д. с. самоиндукции E%L в обмотке ротора, пропорциональную проекции площади витка обмотки на плоскость, перпендикулярную направлению потока, т. е.

Звуковая волна — носитель энергии в направлении своего движения. Количество энергии, переносимой звуковой волной за 1 с через площадку в 1 м2, перпендикулярную направлению движения, называется интенсивностью звука (Вт/м2)