Перпендикулярно магнитным

В качестве информационной среды для термомагнитной фотографии применяют тонкие пленки из магнитооптических материалов, обладающих одноосной магнитной анизотропией с направлением оси легкого намагничивания, перпендикулярном плоскости пленки, и боль-

Здесь L — длина канала, г — ширина канала (в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа, 1.9, а), а \^3\>Ua\- Усилительные свойства полевых транзисторов характеризуются крутизной тока стока:

Выделим в потоке смазки (см. 7.4) элемент, имеющий размеры dx и dy в направлениях осей х и у и единицу длины в направлении, перпендикулярном плоскости ху. Его расположение характеризуется координатами х и у, относящимися к переднему нижнему углу.

На торцевых поверхностях элемента силы вязкости не дают составляющей, так как ограничивающие плоскости весьма длинны; следовательно, нет потока жидкости в направлении, перпендикулярном плоскости ху.

При движении проводящей среды во внешнем магнитном поле в направлении, перпендикулярном плоскости Bv, наводится ЭДС и с электродов можно снять постоянный ток низкого напряжения. Как и в обычных ЭП, в МГД-генераторе ток нагрузки влияет на внешнее поле, при этом появляются электромагнитные силы, которые влияют как на движение среды в целом, так и на движение отдельных областей. При изменении индукции внешнего поля В также происходит преобразование энергии. К МГД-генераторам применимы законы электромеханики и поэтому они относятся к электрическим машинам.

При движении проводящей среды во внешнем магнитном поле в направлении, перпендикулярном плоскости Bv, наводится ЭДС и с электродов можно снять постоянный ток низкого напряжения. Как и в обычных ЭП, в МГД-генераторе ток нагрузки влияет на внешнее поле, при этом появляются электромагнитные силы, которые влияют как на движение среды в целом, так и на движение отдельных областей. При изменении индукции внешнего поля В также происходит преобразование энергии. К МГД-генераторам применимы законы электромеханики и поэтому они относятся к электрическим машинам.

Определение п, и k при наклонном отражении поляризован! ых лучей. Использование поляризованного света создает новые возможности .яля нахождения пт-и k. При отражении от поверхности кристалла линейно поляризованной световой волны происходит изменение амплитуды и фазы обеих компонент вектора электрической напряженности как в плоскости падения, т. е. для s-компоненты, так и в направлении, перпендикулярном плоскости падения, т. е. или р-компоненты. В результате отражения световая волна становится эллиптически поляризованной и для ее характеристики используют два коэффициента отражения: R, и RP [см. (6.11)] Применение этого способа целесообразно в том случае, когда коэффициент поглощения велик и трудно изготовить достаточно то:шие образцы, т. е. для полупроводников в спектральной области собственного поглощения и для сильнолегированных полупроводников и полуметаллов в более широкой области спектра.

Если пластинка имеет большую длину в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа, и угол атаки мал, то результирующая сил сопротивления имеет лишь небольшую составляющую вдоль движения (лобовое сопротивление) и значительную составляющую, перпендикулярную вектору скорости в его плоскости (подъемная сила). Исследования показали, что максимальное отношение подъемной силы су к лобовому сопротивлению сх (это отношение называется к а -чеством крыла или качеством профиля лопатки) свойственно профилю, изогнутому по линии тока, т. е. пластинке, изогнутой в виде дужки ( 10-14). Наилучшим аэродинамическим качеством обладают крыловые профили лопаток ( 10-12).

где R — радиус расточки полюсных наконечников; а — дуга окружности, занятая полюсами; т — ширина магнита в направлении, перпендикулярном плоскости рисунка.

а — распределение ионов и свободных носителей заряда в областях, близких к р-п-переходу; б — изменение потенци-ал; в направлении, перпендикулярном плоскости р-п-перехода

Д Считая магнитную проницаемость тел / и 2 бесконечно большой, поле двухмерным и пренебрегая краевыми эффектами из-за малости толщины зазора Ь1 = б по сравнению с его шириной Ь2 и длиной Ь3 в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа, можно прийти к заключению, что поле в зазоре равномерно, и выразить его проводимость следующим образом:

2. Основные параметры магнитного поля. Интенсивность магнитного поля в каждой его точке определяется магнитной индукцией. Величина магнитной индукции численно равна силе, с которой магнитное поле действует на проводник длиной 1 м, расположенный перпендикулярно магнитным силовым линиям, по которому протекает ток в 1 А.

4. Проводник с током в магнитном поле. На проводник с током, помещенный во внешнее магнитное поле, действует сила, стремящаяся перемещать проводник перпендикулярно магнитным силовым линиям. Это происходит потому, что магнитное поле то ка взаимодействует с внешним магнитным полем. На 19 показан проводник с током, расположенный перпендикулярно плоскости чертежа в однородном магнитном поле.

Сила, действующая на проводник с током, помещенный в магнитное поле, называется электромагнитной силой. Ее направление определяется правилом левой руки: «Если, положив левую руку на проводник, направить пальцы по направлению тока и повернуть ладонь перпендикулярно магнитным силовым линиям так, чтобы они в нее входили, то отогнутый большой палец укажет направление силы, действующей на проводник» ( 20). Величина силы, с которой магнитное поле действует

234. Проводник длиной 1,5 м движется равномерно со скоростью 3 м/с в однородном магнитном поле перпендикулярно магнитным силовым линиям. Магнитная индукция поля 0,2 Т. Вычислить эдс, возникающую на концах проводника.

9.2. В однородном магнитном поле под действием электромагнитной силы F = 50 Н перемещается перпендикулярно магнитным силовым линиям на расстояние a = 0,5 м ( 9.2) проводник длиной / = 0,5 м с током /=100 А. Определить совершаемую при этом механическую работу.

Если расположить ладонь правой руки перпендикулярно магнитным линиям так, чтобы линии входили в ладонь, а большой палец, отставленный в сторону, направить по движению проводника, то вытянутые пальцы ладони будут указывать направление индуктированной э. д. с. ( 6-3).

Если расположить ладонь левой руки перпендикулярно магнитным линиям так, чтобы магнитные линии входили в ладонь, а вытянутые пальцы ладони направить по течению тока, то отставленный в сторону большой палец укажет направление силы, действующей на проводник ( 6-16).

Сила, действующая на электрический заряд, движущийся в магнитном поле. Предположим, что заряд AQ движется в однородном магнитном поле (В = const) перпендикулярно магнитным линиям со скоростью v — const ( 6-17). Предположим далее, что заряд проходит за время А/ расстояние А/.

ной перпендикулярно магнитным линиям, можно написать rot E = lim-i-—-

Силу F = BII, действующую на провод с током, когда провод расположен перпендикулярно магнитным линиям, можно представить как сумму сил, которые действуют на свободные электроны, направленное движение которых образует ток / к / в проводе.

Наибольшее элементарное изменение энергии поля Ы*? будет при перемещении проводника перпендикулярно магнитным линиям и параллельно самому себе, так как при этом число пересекаемых проводником магнитных линий будет наибольшим, т. е. будет наибольшим изменение потока в контуре, в состав которого входит проводник.