Перпендикулярное направлению

Переход к трехмерному течению смазки, т. е. к небольшим размерам потока в направлении оси г, перпендикулярной плоскости ху, усложняет решение.

Естественно далее предположить, что, как и во всех машинах постоянного тока, ток нагрузки МГД-генератора создает поток поперечной реакции якоря, который искажает магнитное поле Земли, смещая ось поля с геометрической нейтрали — географической оси вращения на физическую нейтраль, совпадающую с осью магнитного поля Земли. Естественно предположить, что круговые токи радиационных поясов связаны с МГД-генератором планеты и являются токами поперечной реакции якоря генератора. В сферическом МГД-генераторе токи /рп, протекая на границе газообразной части планеты и Космоса, не имеют устойчивого положения в плоскости, перпендикулярной плоскости токов /, 3 и смещаются к плоскости тока /,.3 (см. 12.5). МГД-генератор отдает энергию униполярному двигателю (МГД-насосу), который создает момент, вращающий Землю. На 12.6 показана электромеханическая система планеты, которая работает подобно тому, как в технической электромеханике система генератор-двигатель [4—6].

для волны, поляризованной в плоскости перпендикулярной плоскости падения,

Предположим, что диэлектрическая проницаемость постоянна в ячейке, границы которой проходят посередине между узлами сетки, и применим уравнение (8-46) к ячейке i, k. Найдем поток электрической индукции сквозь ее грани, приходящийся на единицу длины по координате, перпендикулярной плоскости 8-6.

Электроны, накопленные в области 3, находятся в потенциальной яме и в слабых электрических полях могут перемещаться только вдоль границы 5 в плоскости, перпендикулярной плоскости рисунка. Поэтому совокупность электронов в области 3 называют двумерным электронным газом, подчеркивая тем самым, что в слабых полях эти электроны не могут перемещаться в третьем измерении, т. е. переходить, например, из области 3 в область 4, так как этому препятствует потенциальный барьер, образованный разрывом дна зоны проводимости

Мы исходили из того, что области р- и n-типов имеют одинаковую концентрацию примесей. В этом случае размеры /р и /„ переходов равны. Объемные заряды по обе стороны границы раздела полупроводников имеют разные знаки и создают электрическое поле р-к-пе-рсхода. Это поле напряженностью Е направлено в сторону от положительно заряженного слоя к отрицательно заряженному, т. е. от области n-типа к области р-типа. Оно является тормозящим для основных носителей и препятствует дальнейшему диффузионному перемещению основных носителей через р-и-переход, стремясь возвратить дырки в область р, а электроны —в область п. На 16.12 показано изменение напряженности поля ? и его потенциала вдоль оси х, перпендикулярной плоскости перехода, причем за нулевой потенциал принят потенциал на границе раздела областей. Из рисунка видно,

Рассмотрим работу на постоянном токе биполярного диффузионного сплавного транзистора со структурой р-п-р, включенного по схеме с ОБ в активном режиме ( 17.5). Сделаем ряд допущений: заряды распределены равномерно, поверхностные эффекты отсутствуют, реальный транзистор заменен одномерной моделью по оси х, перпендикулярной плоскости эмиттера (коллектора), толщина базы незначительна, эмиттер насыщен акцепторной примесью во много раз больше, чем база донорной примесью, коллектор по площади значительно больше эмиттера.

Главный передний угол у — угол между передней поверхностью инструмента и плоскостью, перпендикулярной плоскости резания и проходящей через главную режущую кромку. Главный задний угол а — угол между главной задней поверхностью и плоскостью резания. Угол заострения р — угол между передней и главной задней поверхностями. Угол резания 6 — угол между плоскостью резания и передней поверхностью.

Наиболее высокую точность совмещения при прочих одинаковых условиям обеспечивают знаки совмещения с контролируемым зазором. При наложении отметок совмещения, одинаковых по конфигурации, но отличающихся по размерам «а величину зазора 6, задача оператора заключается в том, чтобы сохранить некоторый зазор между отметками по всему контуру. При этом совмещение знаков должно быть осуществлено на двух противоположных краях пластины, что исключает разворот рисунков вокруг оси, перпендикулярной плоскости изображений. В этом случае несовмещение отметок не превышает ±6, что и определяет точность совмещения рисунков при условии идеальной совмещаемоети смежной пары групповых фотошаблонов. В действительности из-за различия в шаге расположения отдельных изображений по горизонтали и вертикали погрешность совмещения превышает величину ±6, Под совмещаем остью фотошаблонов понимают максимально возможное взаимное смещение соответствующих изображений любой пары фотошаблонов комплекта при идеальном совмещении центральных изображений.

Наиболее высокую точность совмещения при прочих одинаковых условиям обеспечивают знаки совмещения с контролируемым зазором. При наложении отметок совмещения, одинаковых по конфигурации, но отличающихся по размерам «а величину зазора 6, задача оператора заключается в том, чтобы сохранить некоторый зазор между отметками по всему контуру. При этом совмещение знаков должно быть осуществлено на двух противоположных краях пластины, что исключает разворот рисунков вокруг оси, перпендикулярной плоскости изображений. В этом случае несовмещение отметок не превышает ±6, что и определяет точность совмещения рисунков при условии идеальной совмещаемоети смежной пары групповых фотошаблонов. В действительности из-за различия в шаге расположения отдельных изображений по горизонтали и вертикали погрешность совмещения превышает величину ±6, Под совмещаем остью фотошаблонов понимают максимально возможное взаимное смещение соответствующих изображений любой пары фотошаблонов комплекта при идеальном совмещении центральных изображений.

лярны, поэтому в пространстве между ними возникает вращающееся магнитное поле. В этом поле помещается подвижная катушка L0, вращая которую вокруг оси, перпендикулярной плоскости чертежа, можно изменять фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением. Полному обороту катушки L0 соответствует сдвиг, равный 360°.

где / sino — проекция отрезка / на направление, перпендикулярное направлению магнитной индукции.

При угле а =^90° в эту формулу вместо полной скорости вводится проекция ее на направление, перпендикулярное направлению магнитной индукции v sin ос, и тогда получается более общая формула

Если полупроводник (или проводник), вдоль которого течет электрический ток, поместить в магнитное поле, перпендикулярное направлению тока то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это явление получило название эффекта Холла а возникающая поперечная э. д. с. - э. д. с. X о л л а

Магнитогидродинамический генератор, принципиальная схема которого приведена на 32.4, представляет собой канал К с двумя стенками из изоляционного материала; две другие стенки Э металлические и являются электродами. По каналу в магнитном поле возбуждения, направленном перпендикулярно оси канала, движется проводящая среда. При движении в магнитном поле в ней возникает электрическое поле Е == [vB], перпендикулярное направлению движения и направлению поля возбуждения. Это индуктированное электрическое поле определяет э. д. с. генератора, снимаемую с электродов Э.

Проекция площади рамки Е первом ее положении на направление, перпендикулярное направлению магнитного поля,

Принцип действия различных полупроводниковых гальвано-магнитных приборов основан на двух эффектах: на эффекте Холла, т. е. на эффекте возникновения поперечной разности потенциалов в полупроводнике, по которому проходит электрический ток, в том случае, когда есть магнитное поле, перпендикулярное направлению тока, и на магниторезистивном эффекте, т. е. на эффекте изменения электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля (эффект Гаусса). Оба эффекта вызваны тем, что на движущийся со скоростью v носитель заряда в магнитном поле с индукцией В действует сила Лоренца

На 4-9 показана векторная диаграмма трехфазной дуговой печи с симметричным токоподводом при симметричной нагрузке (равные фазовые токи). В каждой фазе имеет место падение напряжения в собственной индуктивности фазы и и в результате взаимоиндукции от соседних фаз, а также в активном сопротивлении контура. Так, в фазе / происходят падение напряжения в собственной индуктивности фазы /1*11, перпендикулярное направлению тока Л; падения напряжения /2*21 и /з*зь вызванные влиянием токов соседних фаз и соответственно перпендикулярные направлениям токов /2 и /3; падение напряжения в активном сопротивлении /Л, совпадающее по направлению с током /1. В результате фазное напряжение на дуге Uni будет меньше фазного напряжения сети Ui и сдвинуто по отношению к нему на угол <рь однако все фазные и линейные напряжения на дугах будут равными по величине, следовательно равными будут и мощности дуг всех фаз. В такой симметричной системе нулевая точка будет совпадать с нейтралью питающей системы.

гальваномагнитного эффекта Холла. Датчик Холла ( 15-2) представляет собой пластинку полупроводника, имеющую толщину d, длину а, ширину b (причем я/?> !> 1). Пусть вдоль пластинки протекает ток / (управляющий ток). Если теперь поместить эту пластинку в магнитное поле, перпендикулярное направлению тока, то в третьем направлении, перпендикулярном направлению тока и магнитного поля, появится разность потенциалов, так называемое напряжение Холла UH- Физический смысл этого эффекта состоит в том, что в материалах с электронной проводимостью на движущиеся электроны (образующие ток /) воздействует сила Лоренца, возникающая под влиянием магнитного поля, направленного перпендикулярно к плоскости ab пластинки. Эта сила направлена перпендикулярно направлению движения электронов и магнитному полю и отклоняет электроны к верхнему краю пластины. Благодаря накоплению электронов на верхнем крае пластинки этот край заряжается отрицательно, а нижний край обедняется электронами и приобретает положительный заряд. Процесс электрического заряда краев пластинки продолжается до тех пор, пока сила, вызываемая электрическим полем возникающих электрических зарядов, не уравновесит силу Лоренца. Таким образом, видна прямая зависимость между напряжением Холла UH с одной стороны и значением управляющего тока / и индукцией магнитного поля В с другой стороны. Эта зависимость может быть записана следующим образом:

Плотность тока переноса или конвекции определяется для переноса зарядов движущимися в свободном пространстве заряженными телами или частицами. Если заряды одного знака имеют среднюю скорость направленного движения и и плотность зарядов р (заряд, рассчитанный на единицу объема), то направление вектора плотности тока будет совпадать с направлением движения положительных зарядов (или вектор будет направлен в обратную сторону по отношению к вектору скорости движения отрицательных зарядов), а величина плотности тока определится произведением скорости v на плотность зарядов, т. к. через единичное сечение, перпендикулярное направлению тока, за единицу времени пройдет v единичных объемов:

где pi — импульс частицы Mt после рассеяния. Мы принимаем р\ ^ ^ M!»!, а перпендикулярное направлению иг приращение импульса A/JJ, частицы М, можно вычислить так:

Магнитная индукция численно равна отношению силы, действующей на заряженную частицу, к произведению заряда и скорости частицы, если направление скорости таково, что эта сила максимальна, и имеет направление, перпендикулярное направлению векторов силы и скорости, совпадающее с поступательным перемещением правого винта при вращении его от направления силы к направлению скорости частицы с положительным зарядом.