Параллельно производного

направленную параллельно поверхности диэлектрика (см. 16-8). г Значение Еи максимально при х --•- а/2, т. е. как раз там, где проходит лист нагреваемого материала. Токи в середине широкой стенки волновода при распространении волны типа Н10 текут вдоль оси волновода, и щель для пропуска нагреваемого материала не искажает структуры поля и не вызывает заметного излучения с поверхности волновода.

Естественно, что вблизи пиков поверхности (хп) градиент концентрации больше и выше скорость ип растворения пика; в районе впадин (хв) травление происходит медленнее. Различие в скоростях растворения пиков и впадин будет тем больше, чем ближе поверхность пластины находится к некоторой границе, за которой концентрация молекул травителя остается постоянной. Приблизить поверхность пластины к этой границе можно уменьшив толщину диффузионного слоя за счет движения травителя параллельно поверхности пластины полупроводника.

Вертикальные структуры. Все рассматриваемые до сих пор структуры транзисторов можно назвать горизонтальными, так как в них каналы проходят параллельно поверхности кристалла. Их размеры близки к физическим пределам. Поэтому дальнейшего роста плотности элементов и степени интеграции можно добиться, переходя к бо-

Ряд ловушек, расположенных близко друг к другу (на расстоянии меньше диаметра домена), образуют регистр. Цилиндрические магнитные домены можно перемещать (продвигать) из одной ловушки в другую (соседнюю), осуществляя таким образом сдвиг информации в регистре. Предложено множество различных конфигураций ловушек (пермаллоевых аппликаций), от которых зависят параметры регистров. Основным методом продвижения ЦМД вдоль регистра является применение вращающегося магнитного поля, вектор напряженности Нц которого направлен параллельно поверхности.

Din~ ?>i cos 6-t и приняв D-2n~ Din, можно, проведя линию CFG параллельно поверхности раздела до пере-

На 11-5, б иллюстрируется случай, когда намагниченное тело состоит из двух частей с разными магнитными свойствами и поле направлено параллельно поверхности раздела между ними. Общий случай, когда поле переходит из одной среды в другую под углом, будет рассмотрен в § 11-18.

В качестве иллюстрации перехода потока из воздуха в магнитную среду на 11-18 представлена картина поля, когда проводник с током идет параллельно поверхности стальной массы (случай, часто встречающийся в электрических машинах), и на 11-19 — когда проводник с током проходит через отверстие в стальной массе.

Предположим, что в среде, характеризуемой проницаемостью щ, проходит провод с током z'j параллельно поверхности среды, проницаемость которой равна ц2 ( 15-5, а). Требуется построить картину поля в одной и другой средах. Для этого вводим в расчет фиктивные токи t'2 и /3. Провод с током t'2 помещается зеркально по отношению к положению ij ( 15-5, б) при определении поля в верхнем полупространстве; провод с током г'3 помещают вместо тока i1 в точке его расположения ( 15-5, в) при определении поля в нижнем полупространстве.

Эффект оттеснения тока эмиттера состоит в увеличении плотности тока на краях и уменьшении ее в центре эмиттерного перехода. Этот эффект не может быть рассчитан на основе одномерной модели (см 4.2). Базовый ток протекает параллельно поверхности эмиттерного перехода (см. 4.4, а) и создает падение напряжения на сопротивлении базы. Поэтому прямое напряжение у краев эмиттерного перехода получается больше, чем в центре. Поскольку плотность тока инжекции зависит от напряжения по закону exp[U Бэ/<рт), разность напряжений на краях и в центре, равная 60 мВ, приводит к различию на порядок в плотности тока. При больших токах инжектирующими

а — расположение регулировочных элементов над базовой деталью; б — расположение регулировочных элементов с двух сторон базовой детали; в — расположение оси регулировочных элементов параллельно поверхности основной базовой детали; / — катушки с магнитопроводами; 2 — базовая деталь; 3 —клей; 4 — вертикальная базовая деталь

Здесь.h — расстояние от оси цилиндра до плоскости и R — радиус цилиндра. Полученной формулой можно пользоваться для вычисления емкости относительно земли провода, подвешенного на высоте h параллельно поверхности земли. Так как обычно h ^> К, то приближенно:

7.46. Г-образный фильтр верхних частот параллельно-производного звена типа m имеет бесконечное затухание при частоте / = = 5 кгц; т = 0,6; R = 25 ком.

7.47. Г-образный полосовой фильтр параллельно-производного звена типа m имеет полосу прозрачности 5—15 кгц при т = 0,6 и R = 40 ком.

Определив параметры элементов параллельно-производного звена ( 14-11, в) из соотношений

10-ИЗ. Образование параллельно-производного звена

2. Одинаковыми остаются характеристические сопротивления Zn ( 10-13). В этом случае звено т носит название параллельно-производного.

Значит, продольное плечо параллельно-производного Г-образного звена типа т состоит из сопротивлений —^- и j^——^, соединенных параллельно ( 10-13,6).

наступает резонанс напряжений в поперечной ветви (в случае последовательно-производного звена). При этом же условии Zim, выражаемое формулой (10-28), обращается в бесконечность, что означает резонанс токов в продольной ветви (в случае параллельно-производного звена). Частота /ет называется частотой бесконечно большого затухания.

10-13. Начертить схему последовательно-производного и параллельно-производного звеньев заграждающего фильтра типа т.

2. Одинаковыми остаются характеристические сопротивления Zn ( 10-13). В этом случае звено т носит название параллельно-производного.

Значит, продольное плечо параллельно-производного Г-образного звена типа т состоит из сопротивлений mZJ2

Рис, 10-13, Образование параллельно-производного звена типа т,