Пересечения соответствующих

При идеальном холостом хода статор подключен к сети,и ротор вращаэтся с частотой вращзния, равной синхронной частота вращения магнитного поля статора, так что скольжзниэ идеального холостого хода -S~O . йтот рзжим обаспачиваэтся вращением ротора с помощью какой-либо постороннэя причины (посторонний двигатель, движэниэ поезда под уклон и т.п.). В режиме идзального холостого хода в обмоткэ ротора ток равен нулю, так как не происходит пересечения проводников обмотки ротора силовыми линиями магнитного поля статора. Значения тока обмотки статора, потребляемого двигателем "~~~ при идеальном холостом ходэ

При изготовлении диэлектрических слоев толстопленочных конденсаторов используют пасты, которые содержат ти-танат бария или диоксид титана, имеющие высокую диэлектрическую проницаемость. Титанат бария позволяет получить удельную емкость С0 « 8000 пФ/см2 при толщине пленки около 25 мкм. Конденсаторы на основе титаната бария характеризуются большими диэлектрическими потерями на высоких частотах, поэтому их применяют только в качестве блокировочных и разделительных. Пленки на основе диоксида титана обеспечивают С0 ~ 1000 пФ/см2 и малые потери на частотах до 500 МГц. Стеклоэмали без добавок имеют малую диэлектрическую проницаемость и используются в качестве изоляционных материалов в местах пересечения проводников.

Толщина слоев МПП зависит от волнового сопротивления линии связи, а также от допустимой паразитной емкости между линиями связи, расположенными в соседних слоях. При емкости одного пересечения проводников от 0,1 до 1,5 пФ и 2000 пересечений для одной связи в пределах платы паразитная емкость может достигать 200...3000 пФ, что приведет к увеличению постоянной времени линии связи, увеличит нагрузку на передающую логическую схему.

Внутрисхемные соединения в МДП-ИМС могут выполняться с помощью металлизации или путем формирования диффузионных областей. Применение диффузионных межсоединений позволяет относительно просто реализовать пересечения проводников в МДП-ИМС и наиболее полно использовать площадь кристалла. При этом следует учитывать влияние паразитных сопротивлений диффузионных межсоединений. При соединении диффузионных областей последовательно с затворами транзисторов наличие паразитных сопротивлений Кд приводит только к задержке управляющих сигналов, поступающих на транзисторы. Поскольку входные сопротивления транзисторов велики (RB*^>RA), амплитуда сигналов не искажается. Если паразитное сопротивление находится в цепи истока или стока, т. е. диффузионное межсоединение включено последовательно с истоком (стоком), то его влияние оказывается более существенным. В частности, последовательное сопротивление Кд в цепи вызывает уменьшение эффективной крутизны транзистора, что приводит к ухудшению как статических, так и динамических характеристик схемы.

не допускаются монтаж компонентов на пленочные конденсаторы и пересечения проводников (возможна их установка на пленочные резисторы и проводники, защищенные диэлектриком);

Так, для гибридных ИМС с кристаллами ИМС ТТЛ-типа при п = 3 в проводнике длиной 5 см и шириной 0,01 мм ?/,,«0,45-^--М,125В. Для уменьшения уровня помех, обусловленных падением напряжений на проводниках питания и заземления, необходимо уменьшать сопротивление и индуктивность пленочных проводников за счет увеличения их толщины и ширины и уменьшения длины, что достигается в процессе проектирования. При этом шины питания и заземления проектируют в одном слое без пересечения проводников.

нительных цепей, а цифрами в кружках отмечены пересечения проводников различных соединительных цепей. Тогда гиперграф Г = (К, U) этой схемы характеризуется следующими множествами:

Скорость п2 пересечения проводников обмотки ротора полем статора равна разности скорости «i поля статора и скорости п вращения ротора, т. е.

Вращающийся магнитный поток статора пересекает проводники обмотки ротора и наводит в них э. д. с., а так как проводники замкнуты, то в них возникает ток. Ток, взаимодействуя с вращающимся магнитным потоком, вызывает силу, увлекающую ротор вслед за вращающимся потоком. С ростом скорости вращения ротора уменьшается скорость, с которой проводники ротора пересекают магнитные линии; если бы ротор достиг той же скорости вращения, что и магнитный поток статора, то пересечения проводников вообще не происходило бы и ток в роторе стал бы равен- нулю. Но при отсутствии тока в роторе вращающий момент также равен нулю: следовательно, при наличии тормозного момента магнитный поток и ротор не могут вращаться с той же скоростью, что и поток статора (синхронно); скорость вращения ротора всегда несколько меньше. Поэтому двигатели такого типа называются асинхронными (т. е. несинхронными)

Необходимо стремиться размещать проводники только в первом уровне. Пересечения проводников следует выполнять навесными перемычками в виде отрезков изолированного провода (при числе пересечений не более семи) или размещать их в следующем уровне (при числе пересечений более семи).

В результате взаимодействия вращающегося магнитного поля с токами ротора в двигателе создается электромагнитный вращающий момент, под влиянием которого ротор вращается в сторону вращения поля. Так как токи ротора являются следствием пересечения проводников его обмотки вращающимся полем, то электромагнитный вращающий момент асинхронного двигателя может создаваться только при условии, когда ротор его вращается несколько медленнее вращающегося поля. При этом вращение ротора должно быть тем медленнее, чем больше механическая нагрузка на валу двигателя. Во время холостого хода двигателя, когда его вращающий момент преодолевает лишь незначительный тормозящий момент от механических потерь на трение в подшипниках и ротора о воздух, ротор вращается почти синхронно с вращающимся полем и токи в его обмотке незначительны. В случае механической нагрузки на валу двигателя в виде станка или механизма, когда его вращающий момент должен преодолевать еще тормозящий момент этой нагрузки, ротор отстает от вращающегося поля больше, чем при холостом ходе. При этом условии "токи в обмотке ротора возрастут и их взаимодействие с вращающимся полем обеспечит необходимый вращающий момент двигателя.

ростью и а, определяемой ординатой точки а пересечения соответствующих кривых, изображенных на 19.13. Сразу после снятия сигнала управления на вращающийся СО СКОРОСТЬЮ Q а ротор МЗШИНЫ буДСТ

Область базы, как и эмиттерная область, получается диффузией легирующей примеси через вскрытые под диффузию окна в слое двуокиси кремния. Пленка SiO2 защищает участки поверхности подложки от про-ни кновени я атомов диффузанта,обеспечивая локальный характер диффузии. Переходы база — эмиттер, база — коллектор образуются в местах пересечения соответствующих профилей концентрации ( 1.2), так как именно в этих точках концентрация диффундирующей примеси равна уже имеющейся концентрации примеси противоположного типа проводимости. Ширина базы обычно составляет 0,6...0,8 мкм с допустимыми отклонениями =t 0,1 мкм. На 1.1, а показан интегральный транзистор (вид сверху). Чтобы дать представление о размерах транзистора на поверхности подложки, он изображен при 500-кратном увеличении (отметим, что вертикальные размеры на 1.1, а изображены не в масштабе).

ки пересечения соответствующих горизонталей и вертикалей на левой полуплоско-

В режиме покоя (ывх=0) в классе усиления А (см. § 6.4) рабочая точка О обычно выбирается в середине линейного отрезка динамической анодно-сеточной характеристики, т. е. в середине отрезка MN ( 6.6, б). Тогда смещение на сетке E0o=Ucs- При подаче ивх=?/вх sinco^ ток лампы меняется от iamin до t'amax- Величина тока определяется точками пересечения соответствующих анодных характеристик с линией нагрузки. Если анодные характеристики одинаково отстоят друг от друга, то пульсирующий ток га имеет огибающую синусоидальной формы с амплитудой /а. Напряжение на аноде лампы также пульсирует и содержит синусоидальную переменную составляющую с амплитудой t/a = ?/Bbix, находящуюся в противофазе по отношению к амплитуде ?/вх, что справедливо для активной нагрузки.

Из точек пересечения лучей с окружностью меньшего радиуса проводим вертикали а из точек пересечения с окружностью большего радиуса — горизонтали. Точки пересечения соответствующих горизонталей и вертикалей в левой полуплоскости дают искомые полюсы. В примере ро,з =—0,164 ±/0,995; р1-2 = = — 0,388 ±/0,416. Нормированная передаточная функция

Абсциссы точек пересечения пунктирных и сплошных кривых при одинаковых значениях параметра $Ва определяют значения P5U удовлетворяющие уравнению (18.17). Прил==0для каждого фиксированного значения рВ8 имеется только по одной точке пересечения соответствующих друг другу пунктирной и сплошной кривых. При

Если кривая момента сопротивления Мст = / (п) имеет вид, изображенный на 10-8, б ЩЩШ ШТРИХОВОЙ ЛИЖИ, ТО ЗШ5 ния п при установившемся режиме работы для каждого значения Rpa определяются точками пересечения соответствующих кривых. Чем больше Rfa, тем меньше п и ниже к. п. д.

со скоростью па, определяемой ординатой точки а пересечения соответствующих кривых, изображенных на 18.16. Сразу после снятия сигнала управления на вращающийся со скоростью па ротор машины будет действовать электромагнитный тормозной момент (точка а' на характеристике, расположенной во втором квадранте 18. 16), обеспечивающий быструю остановку ротора.

Таким образом, для определения вектора 3[?0 надо из концов векторов междуфазных напряжений йаЬу и OcbY вычесть показания вольтметра Оа и Ос- Точка пересечения соответствующих радиусов определит местоположение на диаграмме вектора 3U0 (рис, 6-15,г).

Если кривая момента сопротиеления Mzt = / (п) имеет вид, изображенный на 10-8, б жирной штриховой линией, то значения п при установившемся режиме работы для каждого значения Rpa определяются точками пересечения соответствующих кривых. Чем больше R?a, тем меньше п и ниже к. п. д.