Перепадом температур

Тактирование синхронного ДО-триггера отрицательным перепадом напряжения можно выполнить, сделав Л^С-тригтер двухступенчатым, когда используются два одноступенчатых Л5С-триггера ( 6.3, а), один из которых основной, а другой вспомогательный.

Ключевая транзисторная схема в статическом режиме имеет два состояния: ключ замкнут (включен), на выходе нулевой уровень напряжения; ключ разомкнут (выключен), на выходе напряжение Е. Переход ключевой схемы из одного состояния в другое сопровождается перепадом напряжения от Е до 0 или наоборот (рис, 5.4).

Разрез такого диода и его модель показаны на 6.9. В проводящем состоянии диода рабочий транзистор работает в инверсной области *, так как его эмиттерный переход оказывается смещенным в обратном направлении перепадом напряжения на объемном сопротивлении базы. Так как это смещение имеет небольшое значение, при определении вольт-амперных характеристик обычно считают

где /кз « /кО — т°к коллектора закрытых транзисторов, объединенных по выходу; /Обр — обратный ток входных диодов, являющихся нагрузкой рассматриваемого элемента (см. 7.10). Когда входное напряжение достигает значения 1/вхлт, определяемого напряжением отпирания диодов смещения UOT.CM, инвертора t/OT.T и перепадом напряжения на входном диоде t/д.вх в соответствии с выражением

На 7.19 показана схема элемента ППТЛ. В этой ИМС помехоустойчивость для логического 0 определяется запирающим смещением 1/см, создаваемым перепадом напряжения на резисторе R2 коллекторным током транзистора Тз. Изменяя напряжение источника смещения ?см, можно варьировать перепад напряжения на резисторе RI, а следовательно, и помехоустойчивость f/пом- Так же как и в обычном элементе ДТЛ, помехоустойчивость для логической 1 по входу UnOM можно регулировать путем изменения напряжения источника питания ?„.„. Таким образом, в схеме на 7.19,, можно установить 1/SoM и 1/'ом на заданных уровнях путем соответствующего выбора напряжений источников ?и п и Ет.

В цепи последовательно включенных переключателей тока коллекторные потенциалы нельзя непосредственно использовать в качестве входных напряжений для управления последующими ИМС, так как они превышают уровни соответствующих потенциалов на входах. Для нормальной работы ИМС необходимо произвести сдвиг уровня коллекторных потенциалов. Для этой цели наиболее часто используют эмиттерные повторители, подключаемые к коллекторам входных транзисторов и транзистора с фиксированным смещением (на 7.27 повторители на транзисторах Т$ и Гз). При этом сдвиг уровня равен перепаду напряжения между базой и эмиттером L/бэ.сд транзистора. Этим перепадом напряжения лимитируется размах логического сигнала Д[/ЛОг = f-''вых - t/вых- Действительно, на базу 294

Указанные недостатки в значительной мере устранены в сдвоенном компараторе 521СА1 (аналог цА711). Схема ИКН показана на 9.2. Так как речь идет о сдвоенном ИКН, состоящем из двух идентичных половинок, то ограничимся рассмотрением одной половинки (например, расположенной слева). Транзисторы TI и Т г образуют входной дифференциальный каскад, к выходам которого подключены входы каскада промежуточного усиления на транзисторах Тз и Т$, одновременно производящего (совместно с повторителем на Те) преобразование двухфазного сигнала в однофазный. Выходным каскадом служит повторитель напряжения на Tj со сдвигающим стабилитроном Дз. Выходы двух отдельных компараторов совмещаются на эмиттерных повторителях на TI и Т% по логике ИЛИ. По своей структуре входной промежуточный и выходной каскады этого ИКН ( 9.2) практически не отличаются от соответствующих каскадов компаратора 521СА2 (см. 9.1). Отличие этих компараторов связано с включением дополнительного транзистора (Гз или Т\§ на 9.2), ограничивающего степень насыщения транзистора Т$ или Тп на заданном уровне независимо от разброса коэффициента передачи тока базы pV При работе транзистора Т* в активной области транзистор Т5 остается в закрытом состоянии (что обеспечивается перепадом напряжения на резисторе RS от тока коллектора Т-^. Однако, когда ток коллектора транзистора Т2 уменьшается настолько, что ключевой транзистор Т4 заходит в область насыщения, транзистор TS отпирается. Тогда ток коллектора этого транзистора /К5, протекая через резистор R2, приводит к спаду потенциала базы и соответственно потенциала эмиттера транзистора Т$. С понижением потенциала эмиттера уменьшается ток базы ключевого транзистора Т$, 414

Если не требуется двустороннее ограничение, то последовательно со стабилитроном включают диод так, чтобы он препятствовал ограничению сигнала при смещении стабилитрона в прямом направлении ( 10.3). В такой схеме порог ограничения определяется суммарным перепадом напряжения на стабилитроне и диоде при прямом смещении, т. е. [/ст + ид. Качество ограничения повышается с уменьшением прямого сопротивления диода. Напряжение пробоя диода должно превышать наибольшую амплитуду выходного сигнала, чтобы не наступало ограничение при сигналах, смещающих диод в обратном направлении.

В схемах с двусторонним ограничением используют последовательно включенные стабилитроны ( 10.4, а). При этом пороги ограничения ( 10.4,6) определяются напряжением пробоя стабилитрона, смещенного в обратном направлении, и перепадом напряжения на стабилитроне, проводящем ток в прямом направлении:

зистор работает в активной области (коллекторный диод смещен в обратном направлении перепадом напряжения на г^), то его ток коллектора

только тот, который подключен к сто-с ку запертого транзистора. Диод же, подключенный к стоку открытого транзистора, закрыт перепадом напряжения, равным выходному напряжению триггера. Так, например, если транзистор 77 открыт, то диод Д2 не пропускает спусковой сигнал, так как потенциал анода Д1 оказывается меньшим потенциала его катода. При этом проводит диод Д2. и спусковой сигнал через него поступает в стоковую цепь транзистора Т2, а затем передается на затвор проводящего транзистора Т1.

Время работы электрооборудования между двумя капитальными ремонтами или время работы от начала эксплуатации до первого капитального ремонта (для нового электрооборудования) называется межремонтным циклом. Если для какого-либо вида этмстрвоберудования системой ППР не предусмотрены капитальные ремонты, то межремонтный цикл исчисляется по времени между средними ремонтами. Распределение текущих обслуживании и средних ремонтов в межремонтном цикле определяется его структурой и зависит от технических особенностей электрооборудования и условий его эксплуатации. Так как нефтепромысловое и буровое электрооборудование работает на открытом воздухе, при большой влажности, запыленности и со значительным перепадом температур, то отдельные виды ППР выполняются чаще, чем это предусматривается «Правилами технической эксплуатации электроустановок

Кроме перепадов температур между поверхностью и воздухом, существуют «внутренние» перепады температур, определяемые внутренней теплопроводностью материалов. Однако перепадом температур в меди и стали вследствие их высокой теплопроводности пренебрегают и учитывают его лишь в изоляционных материалах, у которых низкая теплопроводность.

рассеивается преимущественно боковыми поверхностями. На своем пути он встречает одно тепловое сопротивление, обусловленное перепадом температур между поверхностью и охлаждающим воздухом, и другое — при движении потока поперек слоя листов электротехнической стали пакета к боковым его поверхностям.

При точных измерениях малых з. д. с. особое значение приобретают погрешности, вносимые термо-э. д. с. Для исключения этих погрешностей в схему потенциометра введен переключатель, меняющий одновременно направление рабочего тока и полярность включения измеряемой э. д. с. При неизменном значении паразитной термо-э. д. с. производят два измерения и, взяв среднеарифметическое значение, получают значение измеряемой э. д. с. Для предупреждения появления термо-э. д. с. сопротивления компенсационной цепи заключены в тепловой экран, который обеспечивает одинаковую температуру этих сопротивлений при измерениях в помещениях с резким перепадом температур. С этой же целью компенсационная цепь собрана из металлов, имеющих малую термо-э. д. с. в паре с медью, а источник измеряемой э. д. с. и гальванометр соединяются с потенциометром проводниками из красной меди с наконечниками из этого же металла.

Поскольку толщина шва составляла 13—16 мм, время сквозного нагрева элемента сечения карточки с перепадом температур не более 50° С не должно было быть меньшим 30 сек. Скорость перемещения карточки под индуктором длиной 200 мм 4,9—5,1 мм/сек.

в — безразмерный параметр, характеризующий условия отвода тепла через электроды в окружающую среду. Если пренебречь перепадом температур в электродах, параметр в равен

Коэффициент теплоотдачи а в обычной физической постановке характеризует передачу теплоты сквозь пограничный слой жидкости и промежуточные слои при внешнем по отношению к ним источнике и стоке тепла. В отличие от этого аэ характеризует теплоотдачу при наличии (и специфическом распределении) внутренних источников тепла. Аналогично и /?т представляет соотношение между перепадом температур Д? и плотностью теплового потока q в условиях упомянутого реального распределения источников теплоты.

При ремонте арматуры иногда возникает необходимость восстановить герметичность фланцевого соединения, нарушенную в процессе эксплуатации. Уп-лотнительные поверхности фланцев деформируются под влиянием напряжений, вызванных затягом соединения, термических напряжений, вызываемых перепадом температур по сечению фланца, ползучестью материала при высоких температурах и теплосменами — нагревом и охлаждением оборудования. В результате коробления фланцев нарушается равномерное зажатие прокладки между уплотнительными поверхностями и соединение начинает пропускать рабочую среду. Уплотнительные поверхности фланцев могут подвергаться коррозии и эрозии под действием струи пара или воды. На фланцах также могут образоваться вмятины и забоины в результате небрежного отношения при транспортировании арматуры.

Общие температурные Напряжения, вызываемые осевым перепадом температур в цилиндрической обечайке или градиентом температур по толщине плоского днища или крышки

Высокая энергоемкость и проблемы охлаждения. Большое удельное электропотребление диффузионного завода (2400— 2500 кВт-ч/ЕРР) является его характерной особенностью и крупнейшим недостатком. Например, завод в Падьюке (США) потребляет ~22 млрд. кВт-ч в год. Вся эта энергия практически переходит в тепло, которое отводится водой с малым перепадом температур. Расход охлаждающей воды для этого завода весьма значителен *.

Высокая энергоемкость и проблемы охлаждения. Большое удельное электропотребление диффузионного завода (2400— 2500 кВт-ч/ЕРР) является его характерной особенностью и крупнейшим недостатком. Например, завод в Падьюке (США) потребляет ~22 млрд. кВт-ч в год. Вся эта энергия практически переходит в тепло, которое отводится водой с малым перепадом температур. Расход охлаждающей воды для этого завода весьма значителен *.



Похожие определения:
Переменные синусоидальные
Переменных конденсаторов
Переменных составляющих
Параллельно источнику
Переменным составляющим
Переменной магнитной
Переменной величиной

Яндекс.Метрика