Параллельно несколько

Для построения ввевцы э.ц.с. секций параллельно направлению а.ц.с. 1 отроим вектор 1. О* пего на 40 электрических градусов отстает э.ц.с. 2 и т.д. ( 1.22).

При нагреве холоднокатаной стали до температуры свыше 900°С наблюдается рекристаллизация, сопровождающаяся быстрым ростом зерен кристаллов и одновременной ориентацией их вдоль направления легкого намагничивания. В результате ребра кубов оказываются расположенными параллельно направлению прокатки, а плоскости ромбических додекаэдров — параллельно плоскости прокатки. Такую текстуру называют ребровой текстурой рекристаллизации.

В холоднокатаной стали кристаллы ориентированы определенным образом по отношению к направлению прокатки (текстура), благодаря чему создается анизотропия магнитных свойств стали. При совпадении направления линий магнитной индукции с направлением прокатки удельные потери в стали получаются наименьшими, а магнитная проницаемость — наибрльшей. При отклонении направления линий от направления прокатки происходят существенное увеличение потерь и уменьшение магнитной проницаемости. Горячекатаная сталь в очень малой степени обладает анизотропией магнитных свойств. Практически ее анизотропия учитывается только при раскрое стали тем, что осевая более длинная сторона пластины всегда располагается параллельно направлению прокатки, т. е. вдоль более длинной стороны листа.

Мультипликация 'Представляет собой процесс многократного повторения топологического рисунка на общей фотопластине с одновременным уменьшением изображения до натуральных размеров. После проявления и задубливания получают матрицу идентичных рисунков, т. е. групповой фотошаблон. Операцию выполняют на фотоштампах (фотоповторителях) — установках, снабженных неподвижной оптической проекционной системой (обращенный микроскоп) и механизмами точного продольного и поперечного перемещения фотопластины. После установки контура спроектированного изображения параллельно направлению перемещения стола осуществляют экспонирование первого изображения. Затем стол с фотопластиной перемещают на шаг и экспонируют второе изображение и т. д. После экспонирования первой строки стол смещают на шаг в поперечном направлении и экспонируют изображения второй строки и т. д, При неизменной настройке оптической системы главное тре-

Ломка проскрайбированных пластин — это весьма ответственная операция. При неправильном разламывании даже хорошо проскрайбированных пластин возникает брак: царапины, сколы, неправильная геометрическая форма кристаллов и т. п. В процессе ломки пластина лежит рисками вниз на гибкой опоре (резиновая подкладка), а стальные или резиновые валики диаметром 10—20 мм с небольшим давлением прокатывают пластину последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Таким образом, пластину сначала разламывают на полоски, а затем на отдельные прямоугольные или квадратные кристаллы. Валик должен двигаться строго параллельно направлению скрайбирования, иначе ломка будет происходить не по рискам. Во избежание смещения полосок или отдельных кристаллов относительно друг друга между пластиной и роликом целесообразно ввести эластичную тонкую плёнку. Это помогает сохранить исходную ориентацию кристаллов и исключить их произвольное разламывание 1и царапание друг о друга.

Мультипликация 'Представляет собой процесс многократного повторения топологического рисунка на общей фотопластине с одновременным уменьшением изображения до натуральных размеров. После проявления и задубливания получают матрицу идентичных рисунков, т. е. групповой фотошаблон. Операцию выполняют на фотоштампах (фотоповторителях) — установках, снабженных неподвижной оптической проекционной системой (обращенный микроскоп) и механизмами точного продольного и поперечного перемещения фотопластины. После установки контура спроектированного изображения параллельно направлению перемещения стола осуществляют экспонирование первого изображения. Затем стол с фотопластиной перемещают на шаг и экспонируют второе изображение и т. д. После экспонирования первой строки стол смещают на шаг в поперечном направлении и экспонируют изображения второй строки и т. д, При неизменной настройке оптической системы главное тре-

Ломка проскрайбированных пластин — это весьма ответственная операция. При неправильном разламывании даже хорошо проскрайбированных пластин возникает брак: царапины, сколы, неправильная геометрическая форма кристаллов и т. п. В процессе ломки пластина лежит рисками вниз на гибкой опоре (резиновая подкладка), а стальные или резиновые валики диаметром 10—20 мм с небольшим давлением прокатывают пластину последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Таким образом, пластину сначала разламывают на полоски, а затем на отдельные прямоугольные или квадратные кристаллы. Валик должен двигаться строго параллельно направлению скрайбирования, иначе ломка будет происходить не по рискам. Во избежание смещения полосок или отдельных кристаллов относительно друг друга между пластиной и роликом целесообразно ввести эластичную тонкую плёнку. Это помогает сохранить исходную ориентацию кристаллов и исключить их произвольное разламывание 1и царапание друг о друга.

При волочении перлитных структур пластическая деформация происходит как в ферритных зернах, так и в цементитных пластинах и приводит к образованию дислокационных субструктурных барьеров на пути движения дислокаций или ячеек, размер которых в сечении, перпендикулярном оси волочения, уменьшается по мере возрастания деформации. В этом одна из причин упрочнения патентированных и холоднотянутых образцов. При исходном хаотичном расположении цементитных пластин по отношению к оси проволоки скольжение и утонение с образованием фрагментов происходит лишь в пластинах, расположенных примерно параллельно направлению вытяжки. В участках, где пластины не столь благоприятно ориентированы, происходит их дробление и изгибание. При больших степенях деформации образуется местное локальное скопление дислокаций на краях цементитных пластин, что несколько понижает прочность конечного продукта.

Сталь, содержащая до 4 % кремния, обладает достаточно удовлетворительными механическими свойствами, а при наличии выше 5 % кремния она становится очень хрупкой. Путем специализированной прокатки и особой термической обработки можно изготовить текстурованную сталь крупнокристаллического строения, причем кристаллы окажутся ориентированными осями наиболее легкого намагничивания параллельно направлению прокатки. Магнитные свойства такой стали в направлении прокатки значительно выше, чем стали, не подвергавшейся подобной обработке.

Клапан — затвор (тарелка) перемещается возвратно-поступательно вдоль или параллельно направлению движения среды.

Особенность рассматриваемого РУ заключается в своеобразном расположении полюсов шинных разъединителей. Полюсы разъединителей первой системы шин ( 28.19,а и в) установлены перпендикулярно направлению сборных шин. Полюсы разъединителей второй системы сборных шин установлены ступенчато и параллельно направлению сборных шин. Провода, соединяющие разъединители первой и второй систем, укреплены на соответствующих полюсах разъединителей и дополнительных опорных изоляторах. При такой конструкции РУ может быть выполнено трехъярусным с выходом проводов в двух направлениях. В присоединениях трансформаторов ( 28.19,6), а также при выходе линий вправо предусмотрены дополнительные опоры между первой и второй системами сборных шин. Такое конструктивное решение исключает возможность перекрытия обеих систем сборных шин при обрыве поперечных проводов.

Если включены параллельно несколько резистивных, индуктивных и емкостных элементов, то комплексная проводимость

Если включены параллельно несколько резистивных, индуктивных и емкостных элементов, то комплексная проводимость

Если включены параллельно несколько резистивных, индуктивных и емкостных элементов, то комплексная проводимость

В рассмотренных схемах логических элементов для упрощения показывалось, как правило, лишь два входа. Это совсем не означает, что в реальных схемах их только два — их может быть значительно больше, до 8—10. И есть специальные устройства — расширители, которые позволяют увеличить число входов. Однако в случае необходимости можно увеличить число входов элементов И-НЕ или ИЛИ-НЕ способом наращивания, объединяя последовательно-параллельно несколько отдельных микросхем с меньшим числом входов. Например, располагая трехвходовыми схемами И ( 104, а), можно получить: 5-входовую схему (если использовать две микросхемы, общий выход Q2); 7-входовую (применяя три микросхемы, общий выход Q3)> 9-входовую (имея четыре микросхемы, 104, б) и т. д. При этом может возникнуть проблема: что делать с оставшимися свободными входами? Если применены элементы И в ТТЛ-исполнении, то все свободные входы надо соединить вместе и подключить через резистор в 1— 2 кОм к плюсу источника питания (+5 В). В принципе, свободные входы можно соединить с используемыми, но это не всегда желательно, ибо увеличивается нагрузка на источник сигнала. В МОП и КМОП-схемах И свободные входы можно соединять непосредственно с плюсом источника питания.

Если мощность Ран, выделяемая на аноде регулирующей лампы, превышает допустимую Ран.Доп или мал допустимый анодный ток, то приходится включать параллельно несколько ламп. При этом в цепи каждой управляющей сетки ставят резистор сопротивлением порядка нескольких килоом для предотвращения самовозбуждения стабилизатора.

Наконец, встречаются случаи, когда при высоком напряжении установки емкость, полученная в результате соединения нескольких конденсаторов последовательно, оказывается недостаточной. Тогда используют смешанное (последовательно-параллельное) соединение. В этом случае включают параллельно несколько цепочек последовательно соединенных конденсаторов, каждая из которых рассчитана на подводимое к конденсаторам напряжение.

этому принципу, ранее выпускавшегося контактора показан на 19-18. Каждый полюс состоит из основного / и параллельно включенного ему дугогаситель-ного 2 контактов. Последовательно с дугогасительным контактом включена катушка 3, возбуждающая магнитное поле дугогашения. Дугогасительные катушка и контакт обтекаются током в течение десятых долей секунды только в моменты включения и отключения, и поэтому перегрев их исключен. Камера с узкой щелью обеспечивает гашение дуги, однако при напряжении 1500 В дуга и ее пламя выбрасываются далеко за пределы камеры. При больших номинальных токах вследствие поверхностного эффекта приходится включать параллельно несколько главных контактов. Система становится громоздкой.

С увеличением мощности машин уменьшается число эффективных проводов в пазу и увеличивается их сечение. И при мощности машин более 60—80 кВт получить необходимое сечение эффективного проводника, соединив параллельно несколько круглых проводников, не представляется возможным. Обмотка, имеющая более 6—8 элементарных круглых проводов в одном эффективном проводнике, становится нетехнологичнсй, поэтому обмотку выполняют из прямоугольного провода.

В преобразователях большой мощности иногда включается параллельно несколько тиристоров и в цепи каждого тиристора имеется свой предохранитель (см плечо моста схемы 4.22). В этом случае предохранители ооеспечивают селективную защиту при внутреннем коротком замыкании (случай В), т. е. поврежденный тиристор селективно отключается, так что остальные тиристоры остаются в рабочем состоянии и остальные предохранители не срабатывают.

В транзисторных регуляторах из-за низкой перегрузочной способности силовых транзисторов необходимо уделять особое внимание ограничению аварийных токов и перенапряжений. Для всех рабочих режимов регулятора необходимо, чтобы рабочая точка в семействе коллекторных характеристик транзистора не выходила из области безопасной работы, для чего необходимо ограничить максимальный коллекторный ток 1Ктах (в импульсном режиме), максимальную мощность потерь Рптах и максимальное напряжение коллектор — эмиттер Ь'^этах- С этой целью в некоторых случаях приходится включать последовательно или параллельно несколько транзисторов ( 6.10,6). В последнем случае необходимо обеспечить равномерное деление тока по транзисторам, что часто осуществляется за счет соответствующего регулирования токов базы.

Если разработчику импульсного источника электропитания понадобится переключать ток, значение которого выше предельного тока одиночного транзистора, он может просто включить параллельно несколько приборов, как показано на 5.17. В случае биполярных транзисторов, как мы знаем, не обойтись без токовыравнивающих резисторов в цепи эмиттера, на которых теряется мощность. Гораздо лучше обстоит дело с полевыми транзисторами. Для параллельного их соединения нужно иметь приборы с близкими значениями порогового напряжения. Транзисторы одного типа имеют очень близкие значения порогового напряжения, поэтому эта рекомендация заключается в запрете соединять транзисторы разных типов. Во-вторых, чтобы обеспечить равномерный прогрев линейки транзисторов, их нужно устанавливать на один радиатор и по возможности близко друг к другу. Необходимо также помнить, что через два параллельно включенных транзистора можно пропускать в два раза больший ток (не снижая нагрузочной способности одиночных приборов), но при этом входная емкость, а значит, и заряд возрастают в два раза. Соответственно схема управления параллельно соединенными транзисторами