Параллельно конденсатору

Теперь необходимо рассчитать мощность, рассеиваемую на транзисторе Г2- Как следует из рисунка 3.13, напряжение на транзисторе Т\г frei2 — ^кэп + ЧБЭц + t/B3i2 • Параллельно коллекторному переходу транзистора Т\\, как это видно из структурной схемы, включен то-костабилизирующий двухполюсник ТД, построенный на маломощном транзисторе Тг ( 3.14). Транзистор Т? включен по схеме с общей базой. Напряжение на его эмиттере стабилизировано кремниевыми диодами. С помощью резистора /?э устанавливают нужное значение коллекторного тока и стабилизируют его. Очевидно, напряжение на ТД не может быть меньше 2—2,5 В. Принято UКБ п = 2,5 В. Составной транзистор будет построен на кремниевых транзисторах, поэтому принято: (УКБП = = 1,0 В; 1/Бэ= 1,5 В. Тогда минимальное значение t/кэ и=5 В, которое

Если сопротивление RH нагрузочного устройства, включенного по переменной составляющей напряжения параллельно коллекторному резистору RK, значительно меньше сопротивления RK, то коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада существенно снижается: K^h^Rjhu. Указанные обстоятельства необходимо учитывать при использовании усилительных каскадов с общим эмиттером. Следует отметить, что эти усилительные каскады усиливают не только напряжение, но также ток и мощность.

Диод Шотки оказывается включенным параллельно коллекторному переходу транзистора, как показано на эквивалентной схеме ( 3.8,6). Как известно, прямой ток через ДШ обусловлен движением основных носителей заряда, а инжекция и накопление неосновных носителей заряда, характерные для р-п перехода, здесь практически отсутствуют. На 3.8, в представлены прямые ветви вольт-амперных характеристик (ВАХ) ДШ (/) и коллекторного р-п перехода обычного изопланарного транзистора (2) при Т = 300 К. Прямое напряжение при токе /пр = 2 мА для ДШ на Д?/ « 360 мВ ниже, чем для коллекторного р-п перехода. Указанные свойства ДШ используются для существенного уменьшения времени рассасывания *рас — одно-

Элементы Шотки-транзисторной логики (ШТЛ) подобно элементам И'-Л выполняют функцию инвертора с одним входом и несколькими изолированными друг от друга выходами, соединяемыми с выходами других элементов для выполнения логической операции И. Эквивалентная схема элемента ШТЛ представлена на 7.31, а, а его структура с комбинированной изоляцией (см. §3.2) —-на 7.31,6. Здесь используется одноколлекторный п-р-п транзистор, эмиттер которого (в отличие от элементов И2Л) расположен сверху. Диоды Шотки в коллекторе образуют выходные цепи, а диод Шотки в базе, подключенный параллельно коллекторному р-п переходу, ограничивает его прямое напряжение и уменьшает избыточный заряд неосновных носителей в режиме насыщения, т. е. время рассасывания (см. § 3.4).

Несколько по-другому работает схема устранения задержки выключения, связанной рассасыванием на основе применения диода Шотт-ки ( 3.93). Эта схема требует меньшего числа вводимых дополнительных элементов, а потому более удобна при построении миниатюрных каскадов. Ее часто используют в интегральных схемах ключевых каскадов. Параллельно коллекторному переходу транзистора Т подключают диод Шоттки. Диод Шоттки (см. § 3.2) — это алюминий-кремниевый диод, у которого прямое напряжение на диоде очень мало (меньше падения напряжения на прямо смещенных р-п-пере-ходах) и отсутствует накопление заряда. При включении каскада на 3.93 транзистор Т должен войти в режим насыщения, а его коллекторный переход сместиться в прямом направлении. Однако раньше, чем откроется коллекторный переход транзистора Т, отпирается диод Шоттки Д. Падение напряжения на отпертом диоде мало — меньше напряжения отсечки коллектор-ного p-n-перехода. При таком напряжении коллекторный переход отпереться не может, а остается на грани включения. Время рассасывания, а следовательно, и задержка выключения отсутствуют.

7.9. Распределение неосновных носителей заряда в различных областях транзистора при его работе в режиме насыщения: а — в структуре обычного пленарного транзистора; б — в структуре аналогичного транзистора с диодом Шотки, включенным параллельно коллекторному переходу

Внешняя нагрузка мультивибратора может подключаться параллельно коллекторному резистору транзистора непосредственно или через конденсатор связи (как и в симметричном триггере, см. гл. 5). В первом случае влияние нагрузки на работу мультивибратора несущественно, если при расчете учитывается рассасывающее действие нагрузки (для этого коллекторный резистор RK заменяют на RK /?в)-

потому более удобна при построении миниатюрных каскадов. Ее часто используют в интегральных схемах ключевых каскадов. Параллельно коллекторному переходу транзистора Т подключают диод Шоттки. Диод Шоттки — это алюминий-кремниевый 'диод, у которого прямое напряжение на диоде очень мало (меньше падения напряжения на прямо смещенных p-n-переходах) и отсутствует накопление заряда. При включении каскада на 3.99 транзистор Т должен войти в режим насыщения, а его коллекторный переход сместиться в прямом направлении. Однако раньше, чем откроется .коллекторный переход транзистора Т, отпирается диод Шоттки Д. Падение напряжения на отпертом диоде мало — меньше напряжения отсечки коллекторного /7-я-перехода. При таком напряжении коллекторный переход отпереться не может, а остается на грани включения. Время рассасывания, а следовательно, и задержка выключения здесь отсутствуют.

2. Если потенциал нагрузки по какой-либо причине меньше потенциала земли (например, если на нагрузке действует напряжение переменного тока или она индуктивна), то параллельно коллекторному переходу следует подключить диод (можно также использовать диод, включенный в обратном направлении по отношению к положительному потенциалу питания), тогда цепь коллектор-база не будет проводить ток при отрицательном напряжении на нагрузке.

Диоды Шотки подключаются параллельно коллекторному переходу транзистора и придают этому транзистору ряд новых качеств ( 5-14). Изготавливаются диоды Шотки на общем кристалле одновременно с остальными

Фототранзистор с барьером Шотки представляет собой биполярный транзистор, включенный по схеме ОЭ, в котором фотодиод с барьером Шотки подключен параллельно коллекторному переходу ( 8.8) [8]. Если ток базы задать не внешним источником, а освещением

Схема одновибратора на основе ОУ ( 10.106) отличается от схемы мультивибратора (см. 10. Ю4) тем, что параллельно конденсатору в цепи отрицательной обратной связи включен диод, который в дальнейшгм будем считать идеальным.

8.4. Короткозамкнутый отрезок линии передачи включен параллельно конденсатору емкостью 15 пФ. Волновое сопротивление линии 75 Ом. Какова должна быть длина отрезка, чтобы обеспечить условие резонанса на частоте 600 МГц (диэлектрик — воздух) ?

Для создания устойчивого состояния (ждущего режима) параллельно конденсатору С включают диод Д3 ( 6.5, а) с полярностью, при которой напряжение на диоде и конденсаторе, а следовательно, и на инвертирующем входе ОУ будет равно напряжению ?/пр диода. Этому соответствует напряжение на выходе одновибратора Г/-ВЫхтах- Входное запускающее напряже-

Схема одновибратора, приведенная на 8.52, а, отличается от схемы мультивибратора наличием прямого входа через конденсатор Ci и диода Д, включенного параллельно конденсатору С. Допустим, что выходное напряжение одновибратора равно f/Bbixmin (Рис- 8.52,6). Тогда на инверсном входе (на конденсаторе С) напряжение м_ равно прямому напряжению открытого диода Д и близко к нулю. На прямом входе напряжение отрицательно и равно

Емкостные мосты. В эту группу входят четырехплечие мосты, содержащие в плечах только активные и емкостные элементы. Одна из таких мостовых схем с переменными активным сопротивлением и емкостью имеет в плечах одинаковые безреактивные резисторы R1 и R2, сменные конденсаторы СЗ и С4, постоянный R4 и переменный R3 резисторы ( 4-3). Потери в конденсаторах должны быть пренебрежимо малы. Параллельно конденсатору С4 присоединяют образец и уравновешивают мост изменением параметров элементов С4 и R3, стараясь иметь емкость конденсатора С4 ми-нимальной. Если это не удается, заменяют конденсатор СЗ другим— большей емкости. Пусть первое равновесие достигнуто при значениях емкости С\ и сопротивления R'j. Отключив образец, вторично уравновешивают мост при других значениях С± и R?,.

' Присоединив параллельно конденсатору СЗ испытуемый образец с параметрами gx и Сх, вторично уравновешивают мост; второму равновесию отвечают новые значения С"3 и tg 8":

Схема одновибратора на основе ОУ ( 10.106) отличается от схемы мультивибратора (см. 10. Ю4) тем, что параллельно конденсатору в цепи отрицательной обратной связи включен диод, который в дальнейшем будем считать идеальным.

Схема одновибратора на основе ОУ ( 10.106) отличается от схемы мультивибратора (см. 10.Ю4) тем, что параллельно конденсатору в цепи отрицательной обратной связи включен диод, который в дальнейшем будем считать идеальным.

Принципиальная схема генератора пилообразного напряжения, в котором параллельно конденсатору интегрирующей цепи RC включен коммутирующий транзистор, показана на 6.30, а. В исходном состоянии

Резистор утечки токов сетки включен между сеткой и катодом лампы, так как при включении его параллельно конденсатору Сс,

лампа будет заперта электронами, накопленными на сетке, вследствие того, что электрическая цепь между сеткой и катодом по постоян.-ному току будет разорвана. Напряжение обратной связи зависит от соотношения между емкостями конденсаторов С, и С2. Эти конденсаторы включены параллельно конденсатору контура С, поэтому емкость контура при подсчете собственной частоты колебаний определяется соотношением