Перемещение носителей

до заданной величины. Следовательно, астатическая часть регулятора вызывает перемещение исполнительного механизма на угол, пропорциональный величине и длительности отклонения температуры от заданной.

3) система управления СУ, состоящая из силовой преобразовательной части П (преобразователя), управляющего устройства У, задающего устройства ЗУ и датчиков обратных связей — электрических ДОСЭ и механических ДОС Ml и ДОСМ2. Преобразователь Я предназначен для питания двигателя и создания управляющего воздействия на него. Он преобразует род тока или напряжение, или частоту либо изменяет иные показатели качества электрической энергии, подводимой к двигателю. Устройство У, управляющее преобразователем П, получает командные сигналы от задающего устройства ЗУ, а информацию о текущем состоянии электропривода и технологического процесса — от датчиков обратных связей. С помощью этих датчиков ток, напряжение, мощность двигателя или другие его электрические параметры, скорость, момент или усилие и положение (перемещение) исполнительного органа, преобразуются в пропорциональные этим параметрам электрические сигналы, которые и подаются в управляющее устройство У. В нем текущее состояние электропривода и технологического процесса сравнивается с заданным и при наличии рассогласования вырабатывается управляющий сигнал, воздействующий через преобразователь П на электропривод в направлении устранения возникшего рассогласования с требуемой точностью и быстродействием.

4) следящий — автоматически отрабатывающий перемещение исполнительного органа рабочей машины с определенной точностью в соответствии с произвольно меняющимся задающим сигналом;

Перемещение исполнительного механизма и связанного с ним жестко винтового датчика приводит к смещению фазы последнего на то же значение.

величины от установленного значения, т. е. напряжение рассогласования. При наличии рассогласования исполнительный двигатель обеспечивает перемещение исполнительного механизма в сторону уменьшения рассогласования. При изменении знака рассогласования изменяются фаза управляющего напряжения и направление вращения двигателя.

Перемещение исполнительного органа комбайна выполняется в автоматическом режиме только после записи в память программного устройства всей последовательности операций,, осуществляемой машинистом при проведении базового, образцового цикла.

чины от установленного значения, т. е. напряжение рассогласования. При наличии рассогласования исполнительный двигатель обеспечивает перемещение исполнительного механизма в сторону уменьшения рассогласования. При изменении знака рассогласования изменяются фаза управляющего напряжения и направление вращения двигателя.

рассогласования, исполнительный двигатель обеспечивает перемещение исполнительного механизма в сторону уменьшения отклонения или рассогласования. При изменении знака рассогласования или отклонения изменяется фаза управляющего напряжения и направление вращения двигателя.

Схема регулятора, работающего по сигналу нейтронного потока, показана на 12.3, а. Ток от ионизационных камер / (обычно берут осредненный сигнал от нескольких камер, расположенных в различных местах), пропорциональный нейтронному потоку п, поступает в устройство сравнения, где сравнивается с сигналом заданного потока па. На выходе устройства 2 формируется сигнал (п—-п3)/п3. При любой мощности реактора сигнал относительного приращения тока на всех уровнях мощности будет приблизительно пропорционален внесенной реактивности и вызовет требуемое перемещение исполнительного органа. Из устройства 2 сигнал через усилитель 3 поступает на \s двигатель 4, управляющий исполнительным ор- 12.3. Схемы регулирования мощности ганом (или группой Орга-реактора: нов) 5.

2.3. Следящий ЭП, автоматически отрабатывающий перемещение исполнительного органа РМ с заданной точностью в соответствии с произвольно меняющимся сигналом управления.

или плоскости и их установка (фиксирование) там с заданной точностью. К ним относятся роботы и манипуляторы, подъемно-транспортные механизмы, клапаны, задвижки, механизмы подач станков и ряд других. Такое перемещение исполнительного органа рабочей машины из одной точки плоскости или пространства (позиции) в другую называется позиционированием и обеспечивается соответствующим регулированием положения вала двигателя.

В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя физическими процессами: диффузией и дрейфом. Диффузией называется направленное перемещение носителей зарядов, вследствие неравномерности их концентрации, т. с. перемещение под действием изменения концентрации носителей. За время жизни в результате диффузионного движения носители заряда будут проходить некоторое среднее расстояние L, называемое диффузионной длиной. Дрейфом называется направленное перемещение носителей заряда под действием электрического поля.

Электрический ток, т.е. направленное перемещение носителей заряда, возникает под действием внешнего электрического поля напряженностью Е, причем плотность этого дрейфового тока в однородном полупроводнике пропорциональна электропроводности 6".;' =<5Е.

Важно подчеркнуть, что дрейфовый ток возникает только под действием электрического поля и не изменяет концентрации носителей заряда в объеме полупроводника (формула(1. 6.) ); диффузионный ток вызывается перепадом (градиентом) концентрации в различных участках полупроводника и представляет собой почти направленное тепловое перемещение носителей заряда даже при отсутствии электрического поля. Плотность этого тока для электронной составляющей

В результате инжекции дырок в базу, где они являются неосновными носителями, в последней возникает градиент (перепад) концентрации дырок, что приводит к их диффузионному перемещению во всех направлениях, в том числе и к коллекторному р-/г-переходу. Дрейф (перемещение носителей под воздействием электрического поля) неосновных носителей к коллектору играет второстепенную роль. При перемещении через базу концентрация неосновных носителей заряда уменьшается за счет рекомбинации с электронами, поступающими в базовую цепь от источника Еэ. Поток этих электронов образует базовый ток /б. Так как толщина базы Шб современных транзисторов составляет единицы микрон, то большая часть дырок достигает коллекторного р-п-перехода и захватывается его полем, рекомбинируя с электронами, поступающими от источника питания ?к. При этом в коллекторной цепи проходит ток /к, замыкая общую цепь тока. Таким образом, для токов транзистора справедливо соотношение

Таким образом, у границы раздела образуется двойной слой противоположных по знаку неподвижных зарядов (ионов донора и акцептора), это так называемый запирающий слой, обладающий большим высоким электрическим сопротивлением. Именно этот слой и называется р — га-переходом. Этот электрический слой •определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер) на границе полупроводников, которая для германия составляет 0,2 — 0,3 В, для кремния 0,8 В. Потенциальный барьер препятствует дальнейшему диффузионному переходу основных носителей заряда — электронов в р-область и дырок в га-область. Устанавливается состояние равновесия. Однако и в состоянии равновесия через р — га-переход происходит перемещение носителей заряда. Во-первых, вследствие разности концентраций и теплового движения электроны области п, обладающие энергиями, достаточными для преодоления потенциального барьера, будут переходить в р-область. По той же причине дырки будут переходить из р-области в n-область. Это приводит к тому, что через р — и-переход диффундирует незначительное число электронов л-области и дырок р-области, образуя соответственно электронную /п диф и дырочную 1р диф составляющие диффузионного тока.

объем полупроводника, занимаемого п—р-переходом, что он займет весь канал и перемещение носителей заряда между истоком и стоком станет невозможным — транзистор полностью закроется (что хорошо видно из рассмотрения вольт-амперной характеристики полевого транзистора, приводимой на 17, д). В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые транзисторы управляются напряжением, и, поскольку это напряжение приложено к управляющему п—р-переходу в обратной (запирающей) полярности, то ток в цепи управления практически не протекает (при напряжении 5 В ток управления не превышает 10~10 А). Условные графические изображения полевых транзисторов с «-каналом и р-каналом приведены на 17, б, г.

Все регистрирующие приборы данной группы имеют отсчетные устройства. Классы точности самопишущих приборов по измеряемой величине определяются по основной приведенной погрешности, которая находится не по показаниям, а по записи. При применяемом чернильном методе регистрации и ширине поля записи используемых диаграммных лент типов ЛПГ и ЛПГБП L = = 100 мм, классы точности самопишущих приборов этой группы 1,0; 1,5 и 2,5, запас чернил рассчитан на 30 сут непрерывной работы. (В приборах старых модификаций запас чернил был рассчитан на 3 сут.) Лентопротяжные механизмы приборов обеспечивают перемещение носителей со следующими скоростями: 20, 60, 180, 600, 1800 и 5400 мм/ч. Класс точности самопишущих приборов по записи времени определяется основной относительной погрешностью и обычно бывает 0,5 или 1,0. Все приборы этой группы — одноточечные одноканальные.

градиент (разность) концентрации дырок, что приводит к их диффузионному перемещению во всех направлениях, в том числе и к коллекторному p-n-переходу. Дрейф (перемещение носителей заряда под воздействием электрического поля) неосновных носителей заряда к коллектору играет второстепенную роль. При перемещении через базу концентрация неосновных носителей заряда уменьшается за счет рекомбинации с электронами, поступающими в базовую цепь от источника ?,. Поток этих электронов образует базовый ток /6. Толщина базы w6 у транзисторов небольшая (единицы микрометра). Поэтому большая часть дырок не успевает рекомбинировать в область базы, достигает коллекторного p-n-перехода, захватывается его полем и рекомбинирует с электронами, поступающими от источника питания Ек, уже в цепи коллекторного перехода. При этом в коллекторной цепи протекает ток /к, замыкая общую цепь тока. Таким образом, для токов транзистора справедливо соотношение

Рассмотрим простейшую электрическую цепь ( 1.2), в которой сопротивлением проводов, соединяющих источник питания с приемником, можно пренебречь. Электрическое поле, возникающее в проводниках между зажимами источника, воздействует на свободные носители зарядов проводников и вызывает электрический ток в цепи. Перемещение носителей зарядов по электрической цепи требует затраты энергии на преодоление противодействия их движению со стороны проводников (элементов) цепи. Это противодействие — результат столкновений носителей электрических зарядов с атомами или молекулами при перемещении их по проводнику. Противодействие проводника направленному движению носителей электрических зарядов, т. е. электрическому току, характеризуется сопротивлением проводника г.

В рассматриваемой цепи на внешнем участке ab положительные заряды движутся в сторону убывания потенциала <р, а на участке 1-2, т. е. в источниках, перенос положительных зарядов происходит в направлении возрастания потенциала, т. е. против электростатического поля. Перемещение носителей в источнике возможно только за счет сил неэлектростатического происхождения, называемых сторонними. Сторонние силы могут быть обусловлены химическими процессами в гальванических элементах и аккумуляторах, электрическими полями (неэлектростатическими), получаемыми в электромашинных генераторах, и т. д. Интенсивность сторонних сил характеризуется значением электродвижущей силы (э. д. с.) Е.

Перемещение носителей заряда, связанное с их диффузией, нарушает электрическую нейтральность в ветвях термоэлемента — на нагретых концах ветвей термоэлемента остаются нескомпенсированные ионизированные примесные атомы, а на противо-