Переходных отверстий

вом случае надо принимать меры для исключения влияния на результаты измерений сопротивления соединительных проводов, переходных контактов.

Пленочные переходные контакты. Конструкции пленочных переходных контактов в ГИС показаны на 1.10, а — г. Контактный узел двух пленочных элементов ГИС обладает определенным сопротивлением, зависящим от геометрии и размеров контакта, электропроводности контактирующих материалов, удельного переходного сопротивления контакта.

вание контактной пленки на поверхности коллектора, состав и влажность окружающей среды, наличие в среде активных веществ. Среди электрических факторов, влияющих на износ коллектора, еле дует отметить плотность тока под щетками, сопротивление переходных контактов щеток и коллектора, нарушение коммутации машины, которое приводит к появлению искрения под щетками.

где /?nepi — суммарное сопротивление всех переходных контактов, токовых обмоток автоматов, реле и обмоток трансформаторов тока; 7?ПеР2 — сопротивление дуги в месте КЗ.

Таким образом, приходим к выводу, что диапазон измеряемых одинарным мостом сопротивлений от 10 до 108 Ом ограничен снизу влиянием сопротивлений подводящих проводов и переходных контактов, а сверху — сопротивлением изоляции. Указанные значения границ 10 и 108 Ом являются условными. Они справедливы лишь при введенных выше допущениях. Существуют приемы, позволяющие расширить значения указанных границ. Например, область измеряемых одинарным мостом малых сопротивлений можно расширить путем перехода к четырехзажимной схеме включения измеряемого сопротивления ( 11.9). Схема строится так, чтобы сопротивления подводящих проводов в первое плечо моста /? не входили, а входили в цепи, где их влияние не очень/ заметно. На 11.9 R^ и RIU включены в диагонали питания и нагрузки. В уравнение равновесия они не входят и погрешность в резуль-

Сопротивление всех переходных контактов принимается равным 0,1 Ом, ток /2 = 5 А. Тогда сопротивление проводов между трансформатором тока и измерительными приборами

Примечание. гка6, гр> г](,р — сопротивления кабеля, реле* переходных контактов.

Во всех трех опытах измеряют ток, напряжение и активную мощность: IAB, IBC, IAC, UAB, Use, UAC, РАВ, Рве, Для исключения погрешностей при измерениях за счет влияния сопротивления измерительных проводов и переходных контактов вольтметр к обмотка напряжения

Нижний предел измерения одинарных мостов по двухэажимной схеме подключения измеряемого сопротивления ограничивается погрешностями, вносимыми сопротивлениями гг и тг соединительных проводов и переходных контактов, и обычно бывает не ниже 50 Ом. Применение четырехзажимной схемы подключения ( 9.1, б) дает возможность расширить нижний предел измерения одинарных мостов до 0,5...0,001 Ом. Действительно, сопротивления соединительных проводов ra и г4 не влияют в этой схеме на результат измерения, поскольку они включены в диагонали моста последовательно с источником питания и нуль-индикатором, а влияние сопротивлений гг и rz значительно уменьшено вследствие того, что они добавляются к сопротивлениям плеч моста, которые выбирают значительно большими, чем Rx. Чтобы свести это влияние до минимума, в некоторых мостах сопротивления плеч R2 и #4 уменьшают заблаговременно на значение сопротивления гк калиброванных соединительных проводов, с помощью которых измеряемые сопротивления присоединяются к мосту. Необходимо, однако, отметить, что такой способ не устраняет влияния собственных сопротивлений выводов измеряемых сопротивлений.

3-43. Найти эквивалентное сопротивление Ц6ПИ ( 3-43), КО-торая образована делением нихромовой проволоки сопротивлением 0,3 ом на пять равных частей и припайкой в полученных точках медных перемычек 1—3, 2—4, 4—6. Сопротивлениями перемычек и переходных контактов пренебречь.

ке, представляя еще один путь для электрического тока. Таким образом, изменение существующей конструкции нецелесообразно. Например, пусть сопротивление двух переходных контактов на пути от одной пластины к другой равно 2-10~2 ом. Сопротивлением пластин штепселя пренебрежем. Тогда, если /-=1000 ом, получим

нием многослойной керамики. Указанный выигрыш зависит от функционального назначения и сложности устройств, а также от условий использования многослойных коммутационных плат: платы с наиболее высокой плотностью линий и металлизированных переходных отверстий позволяют

тысяч отверстий в пленке; 4) точное совмещение рисунка отверстий с рисунком платы на обеих ее сторонах, несмотря на усадку пленки; 5) гарантированная металлизация переходных отверстий.

Наиболее важны ИЛР, возникающие при вакуумном осаждении металлических пленок. На 3.5 представлено изменение линейных размеров ИЛР пленок Kapton после нанесения слоев Сг — Си — Сг толщиной 1 мкм в зависимости от температуры осаждения (учитывался дополнительный нагрев подложки во время осаждения). С уменьшением температуры осаждения снижается не только ИЛР, но и ее разб С учетом приведенных данных для заданных габаритов модуля полиимидной пленки, а также размеров контактных площадок и переходных отверстий можно опреде-

Минимальный диаметр переходных отверстий, мкм .......... 50—60

переходных отверстий, мкм 0,3—0,4 0,125

где i — число проводников в шаге координатной сетки; Л' — число сигнальных слоев; / — шаг координатной сетки переходных отверстий; d — диаметр переходных отверстий. Бессмысленно уменьшать ширину линий и зазоров, в то время как диаметр переходного отверстия, создаваемый механическим сверлением, составляет не менее 400—500 мкм, а укрепляющая отверстие контактная площадка имеет размер 700 X 700 и 800 X 800 мкм (около пяти отверстий на 1 см2). Несмотря на то что субтрактивные методы формирования ПП по-прежнему преобладают, аддитивные методы находят все большее распространение. В связи с все возрастающими требованиями увеличения плотности коммутации при субтрактивном методе формирования используется «тонкая» (9 мкм) и «сверхтонкая» (5 мкм) фольга. Это позволяет уменьшить боковое подтравливакие линий, равное толщине слоя меди. В качестве основного материала ПП для высоконадежной аппаратуры применяется стеклоэпоксид-ная основа, а также другие композиции, полиимид. Для установки ИМС в микрокорпусах используются слоистые платы (табл. 3.4).

1) увеличение размеров коммутационных плат при сохранении и даже ужесточении достигнутых предельных размеров проводников и зазоров между ними, диаметра переходных отверстий, шага контактных площадок;

Современные САПР эффективно решают не только конструкторские задачи размещения на плате ЭРЭ и трассировки печатных проводников. Они также выпускают технологические документы на машинных носителях (обычно перфоленты) для программно управляемых (ЧПУ) координатографов (изготовление фотошаблонов платы), сверлильных автоматов (сверление в плате монтажных и переходных отверстий, их зенкерование), автоматических стендовых тестеров (контроль сопротивления печатных проводников, сопротивления изоляции, электрической прочности изоляции платы) и др.

Для решения этой проблемы необходимо иметь технологические варианты производства коммутационных плат, содержащих несколько десятков уровней разводки с плотностью размещения проводников в одном уровне не менее 10 линий на 1 мм. Коммутационные платы должны содержать сотни переходных отверстий между уровнями, десятки контактных площадок для присоединения выводов СБИС на 1 см2 и допускать размещение проводников между ними. Возможность размещения одного или нескольких проводников между соседними контактными площадками и переходными отверстиями ( 2.2) позволяет повысить плотность монтажа, но одновременно усложняет технологию изготовления и требует автоматизации процесса конструирования коммутационной платы с многоуровневой разводкой. Конструктивные требования определяют оптимальную схему соединений для данной технологии монтажа. Максимальная длина соединений, приходящаяся на единицу площади поверхности многоуровневой коммутационной платы, равна числу сигнальных слоев, умноженному на число сигнальных проводников, которые можно расположить между двумя соседними отверстиями, и деленному на шаг выводов. Например, для двусторонней платы с шагом сетки 2,5 мм, двумя рядами проводников между отверстиями максимальная длина соединений равна 15,5 см на 1 см2 площади платы.

тить до 120 бескорпусных цифровых БИС с 48 выводами, используя 10 уровней тонкопленочных сигнальных проводников шириной до 70 мкм с минимальным диаметром переходных отверстий 50 мкм. Схематически внешний вид со стороны монтажа цифровых БИС с гибкими выводами такой многоуровневой коммутационной платы на жестком алюминиевом основании показан на 2.3. Коммутационные тонкопленочные проводники шириной 100 мкм, а также переходы с одного уровня на другой выдерживают достаточно большие токи.

а-- заготовка из фильтрованного диэлектрика; б--нанесение фоторезистивного печатного рисунка; в — нанесение лаковой рубашки; г — сверление монтажных и переходных отверстий; д — химическое меднение; е— удаление лаковой рубашки; ж — гальваническое меднение; з~-нанесение защитного покрытия; и—удаление фоторезиста; к-травление печатного рисунка; л — пайка выводов ЭРЭ и лакировка платы