Передаточной характеристике

= \—— I — передаточная проводимость при разомкну-

Передаточная проводимость — отношение тока в ветви / к напряжению на выводах 2 — 2' — получается равной z/i2 = z/2i-

J/21 = /z/^i Фъ = 0) — передаточная проводимость прямой передачи от входа 1 к входу 2 — отношение тока короткозамкнутого входа 2 к напряжению входа /;

у\ъ — /i/f/2 (^1 = 0) — передаточная проводимость обратной передачи от входа 2 к входу / — отношение тока короткозамкнутого входа / к напряжению входа 2}

где kv = АДА — передаточная проводимость элемента, равная отношению тока на выходе к напряжению входа.

В ИТУН (см. 7.29,6) выходной ток /2 управляется входным напряжением Ц_1, причем ^=0 и ток /2 связан с Цг равенством Ц^ — Н^Ц^ где HY — передаточная проводимость.

Я у ==/ 2 / U i — компл ексн ая передаточная проводимость.

Коэффициенты с разными ин-.дексами (у\2, у\ъ и т.н.) называют п е р е д а т о ч н ы м и или взаимными п р о в о д и м о с т я м и. Их физический смысл также легко понять; передаточная проводимость ветви 2 относительно ветви /, т.е. г/21, равна току в ветви 2 при действии единственной э. д. с. Э\=\ вольт. Для цепи на 2-7

И в этих формулах передаточная проводимость YU, передаточное сопротивление ZKl, передаточный коэффициент Hhn имеют прежний смысл, но выражаются комплексами или матрицами с комплексными элементами. Постоянные Ah, Bi... в общем случае также комплексны.

Уц — входная проводимость /-го контура (ветви) или узла; YH—передаточная проводимость контуров (ветвей) или узлов; Y(a) — собственная проводимость ветвей, сходящихся в узле; Y(ih} — общая проводимость узлов i и k; У (р) — обобщенная (операторная) проводимость; у — полная проводимость (модуль

— (передаточная) проводимость 101 Взаимное (передаточное) сопротинле-

инвертора приведена на 1.7. На передаточной характеристике можно выделить несколько характерных участков, соответствующих различным областям ВАХ переключательного и нагрузочного транзисторов. При изменении входного напряжения в интервале U ^ (/вх < (/„ор выходное напряжение равно напряжению питания (в случае равенства нулю тока утечки п-каналь-ного МОП-транзистора). При этом переключательный транзистор закрыт, а нагрузочный открыт и работает в крутой области ВАХ (участок О—/). При дальнейшем увеличении входного напряжения ПЭ открывается. При

7\ и Тг равны 0,5/р. При дальнейшем повышении входного напряжения напряжение на эмиттерах этих транзисторов повышается. Так как напряжение на базе Т2 остается постоянным и равным Е0, то транзистор Тг закрывается. При этом напряжение на базе Т3 становится равным нулю, а напряжение на прямом выходе — напряжению 0,8 В (точка 3 на передаточной характеристике) и оно остается на этом уровне независимо от дальнейшего увеличения вход-

ментов (НПЛ). Электрическая схема непорогового базового элемента приведена на 1.37. Как видно из рисунка, в схеме отсутствуют эмиттерные повторители и введена ускоряющая емкость Сэ. Если напряжение питания Еп достаточно велико, чтобы обеспечить работу резистора R3 в режиме генератора тока, то схема работает так же, как ключ ЭСЛ. При уменьшении напряжения Еп изменяется передаточная характеристика схемы (1.38). При ?п= —1,1 В на передаточной характеристике практически

непрерывной части. Поэтому если спектр входного сигнала ограничен частотой сос <§' <а0, то анализ динамических погрешностей импульсного СИ может быть пэоизведен так же, как и анализ погрешности непрерывного СИ с передаточной характеристикой, равной передаточной характеристике приведенной непрерывной части.

а — МГЭСЛ-схема с гистерезисом на передаточной характеристике; б — схема непороговой логики

Примеры модифицированных схем ЭСЛ даны на 4.26. Это малосигнальные схемы (МЭСЛ), представляющие собой переключатель тока с логическим перепадом 0,3—0,4В: с гистерезисом на передаточной характеристике (МГЭСЛ), в которых вместо источника опорного напряжения используется обратная связь с инвертирующего выхода на базу опорного транзистора, за счет чего потребляемая мощность уменьшается ( 4.26, а); с непороговой логикой ( 4.26, б).

Помимо логических сигналов на входах могут появляться напряжения помехи, которые либо повышают, либо понижают входное напряжение. Если на входе действует напряжение L70, то опасны помехи, имеющие положительную полярность, так как они повышают входное напряжение. При достаточно большом напряжении помехи рабочая точка на передаточной характеристике может сместиться в область переключения 3 (см. 7.2), что приведет к сбою в работе, т. е. ложному изменению выходных напряжений в цифровом устройстве. При поступлении на вход напряжения U1 и напряжения помехи отрицательной полярности также возможно ложное преключение. Максимально допустимые постоянные напряжения помехи положительной полярности U?, (при напряжении U° на входе) и отрицательной полярности 1/„ (при напряжении U1 на входе) определяют помехоустойчивость ЛЭ по отношению к статическим (длительно действующим) помехам. Эти напряжения отмечены на 7.2:

•> t/пор- Пороговые напряжения для простоты предполагаются одинаковыми для обоих транзисторов. При малых UBX точки пересечения ВАХ лежат в области /, где n-канальный транзистор работает в режиме насыщения, а /?-каналь-ный не насыщен. Это соответствует области / передаточной характеристики на 8.10, а. Когда входное напряжение достигает (/ВХ2 = = t/вх, оба транзистора находятся в режиме насыщения, а выходное напряжение изменяется скачкообразно в пределах области // на 8.10, а, б. При Uox>l/ix /7-канальный транзистор работает в режиме насыщения, а п-канальный не насыщен, чему соответствует область III на передаточной характеристике.

Точки единичного усиления А и Б на передаточной характеристике {см. 8.22) определяют соответственно напряжения (/пор и (/пор-Разность (/„op — (/пор тем меньше, чем выше крутизна активного транзистора и ниже ток /сп. Зная напряжения (/°, (71 и пороги переключения, можно вычислить помехоустойчивость. В рассматриваемом случае (/И - (/ПОР — (/" = 0,16 В и (/' - (/' — (/ПОР = 0,26 В.

Як- Однако коллекторное напряжение можно изменять лишь в пределах f/кэ.н -^ «кэ < ЕК> а ток — в пределах /кво < «к < (?к — ^кэ,н)/Як (участок // на передаточной характеристике). При отрицательных «Бэ и на участке / через транзистор протекает только малый неуправляемый ток коллекторного перехода, а на участке III «кэ = = ^'кэ,н и транзистор, как было указано в § 1.5, теряет свойства усилительного элемента. Еще один вывод, кото-

Несмотря на то что ОУ концентрирует в себе лучшие свойства усилительных устройств, непосредственно в качестве усилителя ОУ не применяется. Это связано с двумя причинами: во-первых, линейный участок АОВ на передаточной характеристике (см. 2Л7) ограничен весьма малыми напряжениями ивыктах/Ки. При увеличении входного напряжения за эти границы выходное напряжение не изменяется, т. е. наблюдаются нелинейные искажения сигнала. Во-вторых, коэффициент усиления ОУ Ки меняется от экземпляра к экземпляру в очень широких пределах и очень сильно зависит от режима работы, в первую очередь от температуры, что обусловлено сильной зависимостью от температуры р траггзисторов, входящих в состав ИМС. Эта нестабильность Ки затрудняет создание усилительных устройств.