Перечисленных материалов

Благодаря яространственной локализации перечисленных элементов электромагнитная система может быть представлена мысленно как совокупность некоторых генераторов, конденсаторов, индуктивных катушек, резисторов, соединенных друг с другом системой идеальных проводников, единственным назначением которых является обеспечение условий для протекания токов проводимости. В этом случае принято говорить о существовании квазистационарной электрической цепи.

Появление и развитие оптоэлектроники было обусловлено тем, что полупроводниковая дискретная и интегральная электроника не могла решить окончательно проблему комплексной микроминиатюризации электронной аппаратуры. Такие элементы и устройства, как реле, кабели, переменные резисторы, разъемы, импульсные трансформаторы, плохо стыкуются с транзисторами из-за механически перемещающихся деталей, плохих эксплуатационных характеристик, невысокой надежности и большой стоимости. Кроме того, существующие устройства для ввода и вывода информации (электронно-лучевая трубка, электронно-оптические преобразователи, лампы накаливания и т. д.) несовместимы по ряду электрических параметров с интегральными микросхемами. Следует отметить, что на долю перечисленных элементов и устройств приходится большая часть потребляемой энергии, объема, массы, отказов, стоимости электронной аппаратуры. Налицо противоречие между интегральной полупроводниковой электроникой и традиционными электрора-

Перевернутая схема ( 3-3), так же как и предыдущая, содержит параллельно включенные R4 и С4. Она используется, когда объект испытаний имеет наглухо заземленный электрод (фланец изолятора, оболочка кабеля и т. п.); в этом случае высокое напряжение подводится к нижней вершине моста. В такой схеме изоляция всех элементов (резисторов R3 и R4, конденсатора С4, соединительных кабелей и других токоведущих частей) должна иметь высокое сопротивление (не менее 1 МОм при напряжении 1000 В) и выдерживать высокое испытательное напряжение. Для мостов с номинальным напряжением до 10 кВ испытательное одноминутное напряжение для перечисленных элементов составляет 15 кВ, Урав-

Применение перечисленных элементов в качестве проводников сети защитного заземления допустимо лишь в тех случаях, когда эти элементы надежно обеспечивают непрерывность цепи (например, металлоконструкции здания, скрепленные сваркой) или если их удаление влечет за собой разрыв цепи фазных проводов, питающих заземленные электроприемники (например, трубы электропроводок).

элементов нераздельно связаны между собой и соединены электрически так, что устройство рассматривается как единое целое. Для получения всех перечисленных элементов в микросхеме широко используют технологические процессы, впервые разработанные для изготовления полупроводниковых приборов, а также пленочную технологию, что позволило создать конструктивный элемент с новыми свойствами.

Линейные технические системы часто состоят из элементов, которые можно рассматривать как дифференцирующие, интегрирующие, суммирующие, инвертирующие элементы и их комбинации. Эти элементы дают на выходе величины, пропорциональные производным по времени и интегралам входных величин, суммам входных величин, а также величины другого знака. Электрические модели должны состоять из перечисленных элементов. Примером дифференцирующей цепи служит цепь на 5-21, а. Передаточная функция цепи

При параметрическом методе стабилизации дестабилизирующий фактор непосредственно действует на параметр нелинейного или управляемого элемента, что (автоматически) в значительной мере ослабляет воздействие дестабилизирующей величины. В таких стабилизаторах используют нелинейные активные (стабилитроны, бареттеры, термисторы) и реактивные сопротивления. У всех перечисленных элементов имеется параметр, величина которого зависит от тока или напряжения.

В данной главе рассматриваются наиболее важные и универсальные элементы, являющиеся основой схемотехники подавляющего большинства аналоговых микросхем. К ним относятся формирователи тока, дифференциальные усилительные каскады, эмиттерные повторители (используемые обычно в качестве усилителей мощности выходного сигнала микросхемы), а также интеграторы (часто выполняющие функцию простейшего фильтра низких частот). Принципы взаимодействия перечисленных элементов рассматриваются на примере схемотехники операционного усилителя (ОУ).

40. Правильно, навесные элементы входят в толстопленочные микросхемы. 41. Правильно, все перечисленные и ряд других материалов. 42. Подогревом подложки 43. Правильно, электронный луч распыляет самые тугоплавкие металлы. 44. Правильно. Отпечаток получают при многократном уменьшении. 45. Правильно. Облученные участки такого фоторезистора растворяются. 46. Правильно. На поверхности подложки остается только пленочная схема. 47. Активные элементы этих схем навесные. 48. Важна также работоспособность кремния при высоких температурах. 49. Пленка диоксида кремния имеет многоцелевое назначение. 50. Дайте более точный ответ. 51. Ответ неполный. 52. Правильно, пленка наносится с двух сторон подложки. 53. Поверхность пластины покрыта эпитаксиальным слоем. 54. Через фотошаблон фоторезист облучают ультрафиолетовым светом. 55. Обратитесь к 21.9, операция 8. 56. Большинство перечисленных элементов получают с помощью р-п-перехода. 57. Правильно. Некоторые элементы соединяют участками кристалла. 58. Токо'проводяшие дорожки разделяют диэлектрическими пленками. 59. ИМС с: этлм уровнем содержат до 10 логических элементов. 60. Правильно. В частности, усилительные и генераторные ИМС относят к линейным. 61. Это одно из основных, но не единственное направление. 62. Активное сопротивление — пассивный элемент микросхем. ИЗ. Неполный ответ. 64. Правильно, пленочные — пассивные, навесные — активные элементы. 65. Применяются также сварка лазерным лучом и ультразвуковая сварка. 66. Применяют и другие пленьи. 67. Толщина подложки значительно больше. 68. Надежность — одно из достоинств толстопленочных схем. 69. Вы ошиблись. 70. Параметры толстопленочных микросхем высокостабильны. 71. Вакуумное напыление широко применяют в технологии пленок. 7!!. Ьазначение экрана — улавливать молекулы, движущиеся мимо подложки. 73. Электронный луч применяют при напылении тугоплавких металлов. 74. Правильно.

ния, тепловых режимов. Следует отметить, что единых моделей для перечисленных элементов и процессов создать практически невозможно, но имеются реальные предпосылки к сокращению числа моделей до двух-пяти в каждом конкретном случае.

Линейные технические системы часто состоят из элементов, которые можно рассматривать как дифференцирующие, интегрирующие, суммирующие, инвертирующие элементы и их комбинации. Эти элементы дают на выходе величины, пропорциональные производным по времени и интегралам входных величин, суммам входных величин, а также величины другого знака. Электрические модели должны состоять из перечисленных элементов. Примером дифференцирующей цепи служит цепь на 5-21, а. Передаточная функция цепи

Подложками пленочных ИМС служат пластины из диэлектрического материала—ситалла, стекла, керамики, применяются также полиимидные пленки. Большинство перечисленных материалов обладает относительно низкой теплопроводностью, что затрудняет отвод теплоты от элементов микросхемы. В то же время мощные функциональные узлы (мощные усилители, вторичные источники питания, генераторы и другие) разрабатываются обычно в виде пленочных ИМС. В этом случае подложкой могут служить сорта керамики с высокой теплопроводностью (например, бериллиевая керамика), сапфир, иногда можно использовать анодированный алюминий. Тонкая пленка окисла на поверхности металла служит изоляцией для элементов пленочной микросхемы. Вместе с тем, имея небольшую толщину и значительную площадь, эта пленка не обладает большим тепловым сопротивлением. Керамические подложки, имеющие шероховатую поверхность, для тонкопленочных микросхем малопригодны и используются преимущественно для толстопленочных микросхем.

В качестве материалов подложки используются керамика с высокой диэлектрической проницаемостью, кварц, сапфир, высокоомный кремний, полуйзолирую-щий арсенид галлия, ферриты и различные сочетания перечисленных материалов. Свойства материалов подложек СВЧ ИМС иллюстрирует табл. 7 [34]. Затухание в микрополосковых линиях значительно больше, чем в линиях других типов. Складывается оно из затухания, .вызванного потерями в металле полоски и основания линии, потерь в диэлектрике подложки и потерь на излучение. Преобладающее значение до частот порядка 10 ГГц имеют потери в проводниках линии:

функциональные материалы, объединяющие свойства перечисленных материалов ( 9.2, д).

Основной характеристикой абразивного материала является его твердость по относительной шкале, или микротвердость, измеренная чаще всего по методике Кнупа или Бринеля. Для перечисленных материалов твердость по шкале Мооса: алмаз — 10, карбид бора — 10, карбид кремния - 9,5, корунд — 9,2, оксид хрома -7 — 8 (относительная твердость кремния — 7, германия — 6, арсенида галлия - 4,5); микротвердость по Кнупу (Н/м2): алмаз — 101-109, карбид бора —49-109, карбид кремния — 35-109, электрокорунд — 14-109.

В табл. 1.8 приведены основные электрофизические свойства диэлектрических пленок перечисленных материалов.

функциональные материалы, объединяющие свойства перечисленных материалов ( 8.2, д).

В табл. 1.8 приведены основные электрофизические свойства диэлектрических пленок перечисленных материалов.

Технический прогресс в аппаратостроении в значительной степени зависит от качества перечисленных материалов.

Положим, что кольцо из одного из перечисленных материалов внесено во внешнее магнитное поле ( 1.33) и заморожено, т. е. сделано сверхпроводящим. Пусть при этом с кольцом сцепляется внешний поток х?м = Ч^о (линии 1- 6). Будем теперь выносить кольцо из внешнего поля. В кольце возникает внешняя ЭДС ем - - d^nf/dt, под действием которой в контуре кольца появляется ток i и образуется поток самоиндукции Ч^. Сумма внешней ЭДС и ЭДС самоиндукции должна быть равна падению напряжения гУв контуре. Так как г= 0, то получаем

Заметный прогресс как в теории, так и в экспериментальных исследованиях \ неупорядоченных твердых тел связан с недавними успехами в получении металлов 1 и соответствующих технологий, базирующихся на использовании сверхвысоко- j вакуумного оборудования в технологии, счетно-вычислительной технике и в изме- рительных устройствах. Как следствие этого, аморфные металлы, магнитные ма- ' териалы и полупроводники нашли разнообразное технологическое применение. Из перечисленных материалов аморфные полупроводники отличаются тем, что их электрические и оптические свойства оказываются наиболее структурно чувствительными. Много усилий сделано для использования этих свойств в приборах. : Наибольшие успехи в этой области в начале 70-х годов были достигнуты в техио- • логии аморфных полупроводниковых галогенидов, из которых были изготовлены кинескопы [1], флуоресцентные лампы тлеющего разряда [2], оптические запоминающие устройства [3], поляризационные переключатели [4], процессоры для фотолитографии [5, 6] и др. ;

Заметный прогресс как в теории, так и в экспериментальных исследованиях неупорядоченных твердых тел связан с недавними успехами в получении металлов и соответствующих технологий, базирующихся на использовании сверхвысоко-вакуумного оборудования в технологии, счетно-вычислительной технике и в измерительных устройствах. Как следствие этого, аморфные металлы, магнитные материалы и полупроводники нашли разнообразное технологическое применение. Из перечисленных материалов аморфные полупроводники отличаются тем, что их электрические и оптические свойства оказываются наиболее структурно чувствительными. Много усилий сделано для использования этих свойств в приборах. Наибольшие успехи в этой области в начале 70-х годов были достигнуты в технологии аморфных полупроводниковых галогенидов, из которых были изготовлены кинескопы II], флуоресцентные лампы тлеющего разряда [2], оптические запоминающие устройства [3], поляризационные переключатели [4], процессоры для фотолитографии [5, 6] и др.

2. Кроме перечисленных материалов, при выполнении заделок необходимо иметь припой, хлопчатобумажную нить, медный луженый канатик или проволоку для заземления, ленту из маслостойкой лакоткани.