Пассивным элементам

Элементы электрических цепей, имеющие в качестве параметров ЭДС, называются активными элементами, не имеющие ЭДС — пассивными элементами. Во многих случаях вместо

Расчет и анализ неразветвленных и некоторых разветвленных цепей с одним источником и пассивными элементами производится с помощью закона Ома, первого и второго законов Кирхгофа, не требует совместного решения уравнений. Во многих случаях расчет и анализ осуществляются путем зауены отдельных участков, а затем всей цепи одним элементом с эквивалентным сопротивлением и последующего перехода в процессе расчета к заданной цепи. В некоторых случаях целесообразно воспользоваться методом эквивалентного генератора (см. § 1.14).

Источники ЭДС и тока называются активными элементами, а рези-стивные, индуктивные и емкостные элементы — пассивными элементами схем замещения.

Навесные активные компоненты ^транзисторы, диоды и др.) в ГИС крепят на плату с пленочными пассивными элементами. Выводы активных компонентов присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. В ГИС при необходимости могут быть установлены навесные конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы и др. Примерная схема технологического процесса изготовления ГИС [34] представлена на 7.1.

В основе схемы 3.8 использована эквивалентная схема транзистора (см. 2.18), которая дополнена пассивными элементами усилительного каскада RK и R6, а также генератором входного сигнала и RH. Отметим, что генератор тока шунтируется двумя цепями: г* и гэ + /?кн, причем последняя является рабочей цепью нагрузки. Учесть влияние г* на выходной ток коллектора можно, воспользовавшись эквивалентным параметром Ре = Р'"*/(г* + /гкн), откуда /к = Ре/6. Здесь и далее под значениями /к, 15 будем подразумевать амплитудные значения токов.

Источники ЭДС и тока называются активными элементами, а рези-стивные, индуктивные и емкостные элементы - пассивными элементами схем замещения.

Источники ЭДС и тока называются активными элементами, а рези-стивные, индуктивные и емкостные элементы — пассивными элементами схем замещения.

§ 9.2. ФИЛЬТРЫ С ПАССИВНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ

§ 9.2. Фильтры с пассивными элементами........ 232

Под источником в теории цепей понимают элемент, питающий цепь электромагнитной энергией. Эта энергия потребляется пассивными элементами цепи — запасается в индуктивностях и емкостях и расходуется в активном сопротивлении. Указанным энергетическим процессам, как увидим, соответствуют создание магнитного и электрического полей и преобразование электромагнитной энергии в другие виды энергии. Источники возбуждают электрическую цепь и являются причиной появления токов и напряжений в цепи.

Активные цепи, которые наряду с пассивными элементами содержат и активные в виде зависимых источников и операционных усилителей, обладают рядом свойств, широко используемых в радиоэлектронике. Перечислим некоторые свойства активных цепей.

Формирование теплового поля при пайке ИК-излучением проводится при помощи различных по геометрии отражателей (рефлекторов). Для фокусирования излучения в точке или вдоль линии применяют отражатели эллиптической формы, в ближнем фокусе которого помещается источник, а в дальнем — объект нагрева. Равномерное распределение излучения по поверхности изделия достигается использованием отражателей параболической или гиперболической формы. Рефлекторы изготавливают из хорошо обрабатываемого материала (медь, латунь, алюминий), а их внутренние поверхности полируют. Длительная и непрерывная работа рефлекторов обеспечивается охлаждением внутренних полостей проточной водой; расход воды составляет 0,3 ...0,5 л/мин. Использование РЖ-излучения для пайки на ПП поверхностно-монтируемых элементов позволяет проводить соединения как индивидуальным, так и групповым методами. Разделение при групповой пайке зоны обработки на два участка (на первом производится предварительный нагрев и выравнивание температур платы и компонентов, а на втором — пайка под действием мощного импульса энергии) позволяет уменьшить брак из-за возникновения в соединении больших внутренних напряжений. Для ограничения зоны нагрева и снижения температурного влияния излучения на паяные ЭРЭ применяют защитные маски из металла. На качество паяного соединения важную роль оказывает размер галтели припоя. Эта галтель должна обеспечить равномерную передачу термических и механических напряжений от платы к керамическим пассивным элементам. Рекомендуется массу припоя регулировать таким образом, чтобы размеры галтели не превышали 2/3 полной толщины компонента. При большем размере могут произойти отслаивания торцевого электронного вывода или возникнуть напряжения вблизи верхних углов галтели и в керамике.

Асимптотические потери, смещая АЧХ T(f), уменьшают Атах в заданном диапазоне частот либо сужают диапазон частот, в котором достижима заданная Лтах. Для уменьшения АТ параллельно пассивным элементам в петле ОС включают конденсаторы, получившие название конденсаторов высокочастотного обхода, так, чтобы они образовали двухпроводную цепь .передачи с выхода усилителя 4—4 на его вход 3—3 на 2.2. Очевидно, что «обойти» на асимптотических частотах нужно Z"K\, Zs4, Z'K\ и ZB3. Послед--ний элемент чаще всего в схемах «заземлен» слева и справа (его попросту нет), и тогда достаточно трех конденсаторов ВЧ обхода. В схеме 1 табл. 7.2 также не требуется подключать конденсатор к точкам 5—6 и, следовательно, достаточно двух конденсаторов. В этой схеме перепад Ат можно (см. 7.6) уменьшить, включив последовательно с R небольшую индуктивность, в результате чего на асимптотических частотах затухание ?0-цепи будет уменьшаться.

Элемент называют активным, если в нем содержатся сторонние источники э. д. с. и напряжение на его выводах при отсутствии тока отлично от нуля. Пассивным называют элемент, в котором нет сторонних э. д. с. и напряжение на его выводах при отсутствии тока равно нулю. Для приемника зависимости / и 2 соответствуют пассивным элементам, зависимость 3 — активному линейному элементу. Экспери-

К пассивным элементам микроэлектронных устройств относятся проводники коммутационных цепей, соединяющих между собой элементы устройства.

Каждый элемент ИС выполнен нераздельно от общей схемы и не может быть выделен как самостоятельное изделие с точки зрения требований к нему по испытаниям, приемке и эксплуатации как к дискретному элементу. В отличие от дискретных элементов, которые включают три группы (пассивные, преобразующие и активные), элементы ИС принято делить на две группы — пассивные и активные. К активным элементам ИС относят полупроводниковые диоды и транзисторы. Все остальные элементы (резисторы, конденсаторы и т. д.) относят к пассивным элементам ИС. В микросхемах роль преобразующих элементов (диодов) часто выполняют транзисторные структуры, в связи с этим становится понятным деление элементов ИС на две группы, а не на три (см. § 1.1).

К пассивным элементам электронных схем относят резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, трансформаторы, к активным — диоды, транзисторы, тиристоры и др. Интегральные микросхемы содержат десятки и сотни пассивных и активных элементов. Показатель степени сложности микросхемы характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

и резисторы получают с помощью р-п-перехода. 86. После смыва защитной пленки в «карманах» формируют р-п-переходы. 87. Термокомпрессию используют для приваривания внешних выводов. 88. Микросхемы снабжены проволочными выводами. 89. В этом случае схема содержит от 10 до 100 логических элементов. 90. Полупроводниковые ИМС обозначаются цифрами 1, 5, 7. 91. Правильно. Отметим также, что эти факторы взаимосвязаны. 92. Этот элемент относится к пассивным элементам микросхем. 93. Может быть размещено как больше, так и меньше. 94. Правильно. Пассивные элементы целесообразно формировать в пленке. 95. Правильно. 96. Применяют также резистивные и диэлектрические пленки. 97. Диапазон толщин пленок значительно шире. 98. Правильно. Применяют и другие материалы: ситалл, сапфир. 99. Правильно. Толщину изменяют шлифовкой, ширину — лазерным лучом. 100. Назовите еще ряд материалов, применяемых для этой цели. 101. Метод химического осаждения применяют только для толстых пленок. 102. Правильно. 103. Выбивание электронов положительными ионами — физический процесс. 104. Этот метод применяют для нанесения любого фоторезиста. 105. Уясните разницу между позитивным и негативным фоторезистами. 106. Вы не правы. 107. Это основной тип транзисторов и интегральных микросхемах. 108. Правильно. И то, и другое важно при формировании ИМС. 109. Правильно. При этом каждая микросхема может быть очень сложной. 110. Правильно. В других ответах указаны методы получения пленки. 111. Правильно. Для этого в осаждаемые молекулы добавляют примеси. 112. Кремниевые подложки широко применяют в эпитаксиальных структурах. 113. Неверный ответ. 114. Для получения «карманов» нужны дополнительные технологические операции. 115. Правильно. 116. Правильно. Меняя маски, меняют области проникновения примесей.

В теории электрических цепей различают активные и пассивные элементы. Активными элементами считаются источники электрической энергии: источники напряжения и источники тока,.. К пассивным элементам электрических цепей относятся сопротивления, индуктивности, . и емкос?и. Соответственно различают активные и пассивные цепи.

В теории электрических цепей различают активные и пассивные элементы. Активными элементами считаются источники электрической энергии: источники э. д. с. и источники тока. К пассивным элементам электрических цепей относятся сопротивления, индуктивности и емкости. Соответственно различают активные и пассивные цепи.

Активные элементы схемы (диоды, транзисторы и др.) — дискретные элементы в миниатюрном или микроминиатюрном бескорпусном исполнении. Их монтируют на подложку к соответствующим пассивным элементам. Тонкопленочные схемы, в которых используют навесные активные элементы, называют гибридными интегральными микросхемами.

Принципы расчета электрических параметров элементов ИМС сильно отличаются от принципов расчета параметров дискретных элементов. Как отмечено в § 1.1 и 1.2, структура и характеристики элементов интегральных схем не идентичны структуре и характеристикам дискретных элементов. Кроме того, при расчете активных элементов ИМС обычно необходимо принимать во внимание требования к соответствующим пассивным элементам, которые вносят дополнительные ограничения. Поскольку все элементы ИМС выполняются на одном основании, возникающие паразитные взаимодействия в еще большей степени ограничивают возможность получения необходимых характеристик схемы. Следовательно, основные принципы расчета элементов ИМС должны базироваться на знании как параметров используемого полупроводникового материала, так и способов изготовления дискретных элементов. Необходимо также учитывать возможность изменения характеристик схемы под влиянием различных паразитных эффектов.