Пассивных компонентов

Введенные здесь понятия об активной и реактивной проводимостях цепи применяются и для характеристики пассивных двухполюсников. Выражению (2.65) соответствуют треугольники проводимостей на комплексной плоскости ( 2.35, а, б). Из треугольников проводимостей и из (2.65) следуют тригонометрическая и показательная фор-

9. АНАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФУНКЦИЙ ЦЕПИ, СИНТЕЗ ПАССИВНЫХ ДВУХПОЛЮСНИКОВ

9.3. СИНТЕЗ ПАССИВНЫХ ДВУХПОЛЮСНИКОВ

9.3. Синтез пассивных двухполюсников 181

9.3. Синтез пассивных двухполюсников

9. АНАЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФУНКЦИЙ ЦЕПИ. СИНТЕЗ ПАССИВНЫХ ДВУХПОЛЮСНИКОВ............ 170

9.3. Синтез пассивных двухполюсников......... 180

Синтез пассивных двухполюсников

Введенные здесь понятия об активной и реактивной проводимостях цепи применяются и для характеристики пассивных двухполюсников.

Введенные здесь понятия об активной и реактивной проводимостях цепи применяются и для характеристики пассивных двухполюсников. Выражению (2.65) соответствуют треугольники проводимостей на комплексной плоскости ( 2.35, а, б). Из треугольников проводимостей и из (2.65) следуют тригонометрическая и показательная фор-

1. Анализ вольтамперных характеристик пассивных двухполюсников резистивного типа.

Основные технологические этапы изготовления гибридных микросхем. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляют сочетания пленочных пассивных элементов и навесных активных и пассивных компонентов. Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и внутрисхемные соединения в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакууме (тонкопленочная технология), либо нанесением со-" ответствующих материалов

Решение данной задачи далеко не единственное. Для любой ЭС существует некоторое множество подмножеств значений параметров компонентов, удовлетворяющее предъявляемые к ней технические требования (ТТ). Множественность решения вытекает из того обстоятельства, что параметры всех компонентов входят в уравнения равновесия — уравнения Кирхгофа — и вариации значений параметров одних компонентов могут быть компенсированы вариациями значений параметров других компонентов при неизменных значениях одних и меняющихся в допустимых пределах значениях других выходных параметров. Отсюда следует также, что вариация значения параметра любого компонента схемы х в той или иной мере влияет на значения ее выходных параметров у. Другими словами, каждый выходной параметр у(х) является функцией параметров компонентов, образующих вектор х. В частных случаях в вектор X входят не все параметры компонентов, а лишь те, значения которых могут изменяться. Такие параметры называют управляемыми. Например, часто к управляемым параметрам относят только параметры пассивных компонентов, поскольку типы активных компонентов выбраны заранее.

Основными элементами физической структуры являются полупроводниковые приборы (см.книгу 1), используемые в качестве активных и пассивных компонентов ИМС, средства изоляции компонентов, внутрисхемные соединения и подложки, служащие механическим основанием ИМС.

В качестве второго классификационного признака (класса) примем методы функциональной интеграции. В настоящее время известны и широко используются при синтезе функционального интегрирования элементов БИС различные способы совмещения рабочих областей активных и пассивных компонентов. На основании анализа большого числа конструктивных вариантов функционально интегрированных элементов различного назначения выделим наиболее часто используемые:

В приведенной на 3.21 структуре функционально-интегрированного элемента РКТ осуществлено совмещение пассивных компонентов в коллекторных областях транзисторов. В соответствии с принятой классификацией этот элемент следует отнести к типу ТТЛ, классу РКТ

Наличие большого числа контактных узлов, сварных соединений обусловливает меньшую надежность ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС. Однако возможность проведения предварительных испытаний и отбора навесных активных и пассивных компонентов позволяет создавать ГИС достаточно высокой надежности.

1.11. Монтаж на плату ГИС миниатюрных пассивных компонентов различных конструкций:

Щелчком мышью на одной из одиннадцати пиктограмм полей компонентов, расположенных на панели, можно открыть соответствующее поле. На 1.1 открыто поле пассивных компонентов (Passive). Расположение элементов в полях ориентировано на частоту использования компонента. Для описания компонентов более логичным является разделение их по типам, чему мы будем следовать в дальнейшем, давая в каждом случае ссылку на поле, в котором расположен компонент.

Все рассмотренные преимущества, к которым приводит использование в аппаратуре микросхем с малым и средним уровнем интеграции, проявляются еще в большей мере с применением БИС — больших интегральных схем, имеющих кристалл увеличенных размеров (7,5 х 7,5 мм и более), в котором выполнены сотни или тысячи активных и пассивных компонентов, образующих сложную и функционально законченную схему.

Интегральная микроэлектроника — направление в электронике, объединяющее целый комплекс физических, технологических, конструктивных и схемотехнических методов построения радиоэлектронных функциональных элементов и узлов повышенной надежности, минимального объема и малого потребления энергии источников питания. Это достигается совместным изготовлением в едином интегральном технологическом цикле всей совокупности активных и пассивных компонентов электронной схемы и соединительных проводников между ними. Полученный таким способом интегральный микроэлектронный функциональный элемент (называемый также интегральной микросхемой) предназначен для выполнения заданных операций: генерирования сигналов заданной формы, усиления до заданного уровня, умножения или деления частоты сигнала, преобразования непрерывного сигнала в цифровой код и т. д.

1. Законы распределения параметров активных и пассивных компонентов характеризуются большими дисперсиями. Поэтому выбранный метод расчета должен обеспечивать необходимую точность при больших дисперсиях исходных данных. При этом для выходных параметров ИМС также характерна значительная дисперсия.