Параметров структуры

Бесконтактные аппараты по сравнению с контактными обладают более эффективными техническими характеристиками, часто недостижимыми для контактной аппаратуры: большой (почти неограниченный) срок службы, мало зависящий от частоты включения; высокие быстродействие, чувствительность, надежность; значительно меньшая зависимость параметров срабатывания от механических воздействий; способность к работе во взрывоопасных и загрязненных средах; бесшумность работы; уменьшенные габариты и масса; высокий уровень унификации и блочность конструкций, технологичность.

4) обслуживание .УРЗ в процессе их эксплуата-ц и и. Удобство установки необходимых параметров срабатывания; возможность периодической проверки УРЗ; удовлетворение условий охраны труда;

Необходимо также учитывать, что при выборе первичных параметров срабатывания защиты кроме погрешностей, вносимых УРЗ, должны учитываться погрешности из-за^ неточного учета условий работы защищаемого объекта и вносимые измерительными трансформаторами тока и напряжения. При токах, не превышающих но* минальный, погрешность трансформаторов тока меньше 3%, а при значительных кратностях тока может достигать 10% и больше. Обычно параметры токовых цепей (сопротивление соединительных проводов в сочетании с сопротивлением токовых цепей УРЗ) выби* раются так, что при токах, определяющих параметр срабатывания УРЗ, эта погрешность меньше 10%.

сти защиты для сокращения числа таких необнаруживаемых режимов также имеет определенный предел, так как при этом возрастает возможность ее неселективного срабатывания при внешних к. з. Следовательно, здесь существует оптимальное решение в выборе принципа выполнения защиты и ее параметров срабатывания.

2.2. К выбору параметров срабатывания максимальной токовой защиты с выдержкой времени и блокировкой минимального напряжения ВЛ 6—10 кВ: а — значения фазного тока и линейного напряжения для различных состояний ВЛ; б —структурная схема защиты

Другое интересное направление в выборе параметров срабатывания защиты состоит в том, что в случаях невозможности различить состояния Л о и А] или при необходимости упрощения схемы защиты ее выполняют заведомо неселективной. Например, ток срабатывания токовой мгновенной отсечки можно выбрать достаточно малым, чтобы она срабатывала при всех к. з. в определенной части защищаемой линии. Однако при этом будут иметь место и ее неселективные срабатывания при внешних к. з. Оптимальный ток срабатывания должен определяться из условия обеспечения максимальной эффективности функционирования.'

реагирующих органов ( 4.5). При отсутствии этой обмотки возможно влияние на действие защиты паразитных токов, протекающих из входных цепей напряжения через межобмоточную емкость трансформаторов. Нормально трансформируемый во вторичную обмотку ток зависит от коэффициента трансформации, а суммируемый с ним паразитный ток зависит только от уровня напряжения. Поэтому может возникнуть искажение параметров срабатывания реле и его характеристики. При наличии экрана паразитные токи уходят через емкости обмоток по отношению к нулевому выводу (С, и С2 на 4.5) и не попадают на вход реагирующего органа.

Необходимо отметить, что в приведенные в [15] показатели надежности аппаратурная надежность УРЗ входит лишь составной частью, поскольку ряд случаев неправильных действий УРЗ происходит и по другим, причинам, например из-за ошибочных действий эксплуатирующего персонала при настройке УРЗ, неправильного выбора параметров срабатывания.

При регулировании параметров срабатывания- УРЗ переменными резисторами необходимо предусмотреть фиксацию положения ручек настройки. Все элементы настройки закрываются прозрачной крышкой. Расстояния между ними должны обеспечивать удобство настройки и возможность размещения шкал параметров.

Защиты с относительной селективностью. К этой группе относятся рассматриваемые ниже токовые, токовые направленные и дистанционные защиты. Их селективность при внешних КЗ обеспечивается выбором выдержек времени защиты и параметров срабатывания измерительных органов и контролем (если оказывается необходимым) направления мощности КЗ. Ниже возможность такого выбора определяется на примере защиты линий законами изменений токов, напряжений и знаков мощностей, характеризующими КЗ в различных точках защищаемой сети ( 1.2).

защит с относительной селективностью и часто отличаются от последних только выбором параметров срабатывания отдельных ступеней.

4.4. Размещение параметров структуры

Следует отметить, что целью производственного контроля является не только своевременная отбраковка дефектных изделий на различных этапах изготовления, но и обеспечение требуемого уровня качества ИМС, что достигается за счет контроля технологических операций и процессов. Такой контроль может быть осуществлен как путем измерения параметров структуры, сформированной в результате проведения технологической операции или процесса, так и путем контроля технологических режимов и параметров, характеризующих данную операцию. Производственный контроль охватывает комплекс различных физических, химических и электрических методов измерений, предназначенных для контроля параметров материалов, полуфабрикатов, структурных элементов и готовых ИМС, а также для контроля технологических режимов и параметров отдельных операций.

ских параметров структуры интегрального биполярного транзистора [16]. Пусть критерий оптимизации транзистора выражен ЦФ вида

"Зависимость параметров структуры от плотности тока и температуры можно учесть в первом приближении с помощь^ идеализированной зависимости коэффициентов пе-редТчи р,р2 транзисторов ( 3.28), составляющих р-п-р-п

При выключении мощных тиристоров необходимо учитывать зависимость времени выключения от /Обр. Однако количественный учет этой зависимости достаточно сложен, так как ход ее зависит как от внутренних электрофизических параметров структуры, таких, как время жизни, коэффициент умножения носителей в области пробоя и др., так и от внешних — сопротивления цепи коммутации, напряжение источника запирания и т. п. Практически при запирании тиристоров достаточно большим обратным током /обр~/а можно считать, что его влияние сводится к снижению постоянной времени жизни неосновных носителей в базе, т. е. снижению г\.

емкости происходит изменение тока стока 1с, соответствующее изменению входного напряжения ?/3и. Описанный процесс изменения электрического состояния распределенных параметров структуры упрощенно можно представить как перезаряд сосредоточенной емкости затвора Сз через сосредоточенное сопротивление канала г ( 4.16,6). Следует напомнить, что емкость затвора зависит также от частоты изменения входного сигнала (см. § 4.2.3). Формулу для оценки сопротивления канала можно получить из (4.24) в предположении, что напряжение затвора L/зн ^> "> ?/си — «на крутой» ВАХ —

Интересно оценить значение постоянной времени TS, определяющей собственную инерционность МДП-транзистора. Учтя выражения для удельной крутизны (4.246) и сопротивления канала (4.44), представим постоянную времени TS в функции параметров структуры:

где \i*=dUcH/dU3u (при /с —const) — коэффициент усиления транзистора; /0 — постоянная, имеющая размерность тока и зависящая от параметров структуры; г\ — коэффициент, зависящий от параметров канала; грт — тепловой потенциал.

Все преимущества гетероструктур достижимы только при высоком качестве гетероперехода. Для получения качественного гетероперехода необходимо иметь хорошее совпадение параметров структуры по обе стороны от металлургической границы: различие постоянных кристаллических решеток не должно превышать 0,01 %, близкими должны быть

Выделение тепла в полупроводниковом приборе—неотделимый от режима его эксплуатации процесс, вызывающий изменение температуры структуры; температурная зависимость параметров структуры приводит к изменению электрического режима прибора и далее, через электрическую мощность потерь, к новым изменениям температуры. Такую взаимозависимость теплового и электрического режимов полупроводникового прибора называют тепловой обратной связью; механизм ее действия поясняет 7.6. Электрическая энергия источника питания Ри передается в нагрузку Рн, частично Р рассеивается в структуре прибора и преобразуется в тепло Q. Тепловое сопротивление /?т определяет нагрев структуры A7'y- = Q/?T; под действием температурной зависимости параметров структуры, которая отражена на 7.6, блоком P(Tj) замыкается цепь тепловой обратной связи, В зависимости от глубины обратной

висимости параметров структуры температура перегрева структуры одиночным импульсом мощности в первом приближении линейно связана с выделяющейся в приборе энергией: